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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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15萬(wàn)車(chē)型也能有車(chē)規(guī)SiC!2025年慕展6家廠商新品亮點(diǎn)大揭秘
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 4月15日,慕尼黑上海電子展盛大開(kāi)場(chǎng)。海內(nèi)外的工程師、采購(gòu)商和觀眾紛紛入館,人潮涌動(dòng)。在N4和N5館內(nèi),近40家企業(yè)分別展示了汽車(chē)...
中國(guó)電源逆變器變流器廠家徹底拋棄美系SiC碳化硅功率器件的底氣何來(lái)
中國(guó)電源逆變器及變流器廠家能夠徹底拋棄美系SiC碳化硅功率器件,其底氣源于技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈自主化、成本優(yōu)勢(shì)、政策支持及市場(chǎng)需求等多重因素的協(xié)同作用。以下...
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFE...
方正微電子推出第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車(chē)規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性...
SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展,尤其是在電力電子領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的物理性能...
方正微電子攜碳化硅全場(chǎng)景解決方案,亮相上海慕尼黑電子展,這場(chǎng)以“車(chē)規(guī)碳化硅功率專家”為核心的場(chǎng)景化展示,引來(lái)了客戶、媒體、同行矚目,紛紛來(lái)展臺(tái)交流參觀,...
在新能源汽車(chē)高速發(fā)展的浪潮中,主驅(qū)逆變器作為電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件,直接影響整車(chē)的動(dòng)力性能和能效比。而碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高效率、低損耗、高耐溫...
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)
在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域,SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)企業(yè),近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨...
2025-04-17 標(biāo)簽:MOSFETSiC電源系統(tǒng) 140 0
三菱電機(jī)開(kāi)始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布,將于4月22日開(kāi)始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng),在新能源汽車(chē)、光伏逆變等領(lǐng)域滲透率正在不斷提高。 ? 根據(jù)國(guó)信證券數(shù)據(jù),我國(guó)2025年1月新能源上險(xiǎn)乘...
2025-04-15 標(biāo)簽:SiC 2679 0
低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”
低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機(jī)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的SiC碳化...
方正微電子亮相第十三屆儲(chǔ)能?chē)?guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)
近日,在2025年第十三屆儲(chǔ)能?chē)?guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)上,深圳方正微電子副總裁彭建華發(fā)表了主旨演講,發(fā)布了“750V/650V中壓SiC MOS產(chǎn)品系列 &am...
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)
SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC...
電力電子應(yīng)用全面轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的趨勢(shì)加速的原因
電力電子應(yīng)用全面轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的加速趨勢(shì),既源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì),也與全球供應(yīng)鏈重構(gòu)下對(duì)自主可控的迫切需求密切相關(guān)。以下從技術(shù)優(yōu)勢(shì)和供應(yīng)...
2025-04-12 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 317 0
如何用SiC模塊打造最高效率大于98.8%的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS
如何用SiC模塊打造最高效率及高性價(jià)比的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS) 通過(guò) 半橋兩電平拓?fù)淙嗨木€制+BMF240R12E2G3模塊 為核心,結(jié)合高效散熱...
2025-04-11 標(biāo)簽:模塊SiC儲(chǔ)能變流器 121 0
意法半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)?;l(fā)展
???????? ? ??文章來(lái)源:行家說(shuō)三代半 ? ??作者:行家說(shuō)-許若冰 ? ? 回顧2024年,碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步,并經(jīng)...
2025-04-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC第三代半導(dǎo)體 702 0
國(guó)產(chǎn)SiC模塊破局策略:堅(jiān)持“技術(shù)定力+供應(yīng)鏈韌性+場(chǎng)景深耕”三位一體協(xié)同
以“他強(qiáng)任他強(qiáng),清風(fēng)拂山崗;他橫任他橫,明月照大江”為核心理念,結(jié)合當(dāng)前進(jìn)口IGBT模塊降價(jià)30%的價(jià)格戰(zhàn)背景,國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊行業(yè)的發(fā)展需以內(nèi)在定力...
近日,茂睿芯受邀參加充電頭網(wǎng)在前海國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2025(春季)亞洲充電展。我司華南區(qū)應(yīng)用經(jīng)理梁潮裕先生參加了同期舉辦的2025亞洲充電大會(huì),并在現(xiàn)...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么
部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性以及TDDB(時(shí)間相關(guān)介電擊穿)和HTGB(高溫柵偏)報(bào)告作假的現(xiàn)象,反映了行業(yè)深層次的技術(shù)矛盾、市場(chǎng)...
通用變頻器中SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局
結(jié)合國(guó)家節(jié)能改造政策,SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電機(jī)通用變頻器中的應(yīng)用潛力巨大,其影響將深刻改變工業(yè)能效格局。...
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