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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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會展動態 | SiC“隱形心臟”引爆技術革命！TMC2025功率半導體論壇：以點帶面構建全產業鏈協同創新
當新能源汽車的續航焦慮撞上材料科學的顛覆性突破，一場由碳化硅（SiC）功率半導體主導的“ 效能革命 ”正悄然改寫行業規則，同時車規級功率半導體技術創新已...
2025-03-19 標簽：SiC 261 0
2025年3月17日，比亞迪集團執行副總裁廉玉波正式宣布，比亞迪發布了其自主研發的全新一代1500V車規級碳化硅（SiC）功率芯片 。這項技術突破被強調...
onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統成本
近日，半導體技術公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(...
國內首條8英寸車規級SiC產線正式通線！ST本土化戰略再進一步
電子發燒友網綜合報道 在2月27日，意法半導體（ST）和三安光電宣布雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠正式通線。這也意味著這個近年海外半導體巨頭...
只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業儲能印鈔機狂飆
采用碳化硅（SiC）功率模塊的工商業儲能變流器（PCS）之所以被稱為“印鈔機”，是因為其在效率、成本、可靠性和系統集成等方面實現了革命性突破，顯著提升了...
SiC全橋碳化硅模塊在家儲系統電池充放電DC-DC中的應用優勢
BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲系統電池PACK充放電DC-DC中的應用優勢 BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...
國產SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術優勢
國產SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術優勢分析 FP35R12N2T7_...
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2024年，SiC市場經歷了動蕩的一年。從過去的供不應求，受到大規模產能釋放的影響，迅速轉變為供過于求；另一方面，...
2025-03-17 標簽：SiC 2876 0
隨著汽車市場向主流采用加速，電力電子技術已成為創新的基石，推動了卓越的性能和效率。在這一技術演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項關鍵進展，重新定...
瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L
近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景，提供了高效、低...
國產SiC碳化硅模塊解決工商業儲能PCS多維度痛點的技術優勢
BMF240R12E2G3解決工商業儲能PCS多維度痛點的技術優勢分析 一、效率提升：高頻、低損耗與高溫穩定性 低導通電阻與開關損耗優勢 BMF240R...
碳化硅功率半導體的高國產化程度是中國制造2025戰略的典型成果，通過 政策引導、產業鏈整合、技術創新與市場需求共振 ，實現了從“進口替代”到“全球競爭”...
近日，由揚州市集成電路產業鏈、揚州揚杰電子科技股份有限公司聯合舉辦的“揚帆起航 共贏未來”SiC、IGBT功率產品合作交流會在揚州隆重舉行。
在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業。這些寬禁帶材料提供了諸多優勢，如降低功率損耗、更高的開關速度以及能...
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅（SiC）器件在電力電子應用中全面替代IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的元年，在于國產SiC（碳化硅）單管和模塊價格首次低于進口...
近日，士蘭微電子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。封頂儀式現場，海滄臺商投資區管委會副主任眭國瑜，士蘭微電子...
根據YoleGroup最近公布的市場預測，全球化合物半導體市場到2030年的市場規模有望達到約250億美元。這一預測顯示了化合物半導體行業在未來幾年的快...
深度分析與解讀功率半導體發展走向的“三個必然”及其產業影響 ? 一、功率半導體發展的“三個必然”的技術內涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導體發展走向的“...
SemiQ最新發布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產品基礎上實現突破性升級，芯片面積縮小20%，開關損耗更低，能效表現更優。...
國產SiC模塊賦能組串式儲能變流器（PCS）助力能源高效利用
SiC模塊 BMF240R12E2G3 成為組串式儲能變流器（PCS）首選功率模塊并全面取代 IGBT 模塊和 IGBT 單管方案的核心原因如下： BM...
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