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MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。...
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術替代傳統光耦，并具有豐富的開關選項，高度集成的開關IC集成了功率開關、保護、反饋和同步整流，可以穩定輸出電壓和電流，提升整體電源效率。...
在無源晶振應用方案中，兩個外接電容能夠微調晶振產生的時鐘頻率。而并聯1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當發生程序啟動慢或不運行時，建議給晶振并聯1MΩ的電阻。...
基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內, 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS,占空比為10|%。...
一個電子設備是由許多電子元件和電子器件按-定的連接關系組裝而成。 電子元件通常指一些象電阻器、電容器、電位器、電感器、變壓器等元件。 電子器件通常指半導體二極管、三極管、各類集成電路、各類電子管等有源器件。...
MCT 是一種新型MOS 與雙極復合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅動圖 MCT 的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器件。...
SiC MOSFET和散熱器之間的適當爬電距離至關重要。在太陽能應用中，散熱器很大，并且通過機械固定在機箱上，因此水平安裝往往很常見，在這種情況下，隔離墊的延伸通常略微超過端子的彎曲度會增加爬電距離。由于機箱形狀不同，有時端子必須彎曲成一定角度。...
啟動時間是指振蕩器啟動并達到穩定所需的時間。石英晶體振蕩器的啟動時間要比陶瓷晶體振蕩器的時間要長。 啟動時間受外部CL1和CL2電容影響，同時它隨著晶振頻率的增加而減少。不同種類的晶振對啟動時間影響也很大，石英晶振的啟動時間比陶瓷晶振的啟動時間長得多。...
這是很多人的疑問，經常被問到。放大器有兩個供電管腳+V和-V,分別為正電源管腳和負電源管腳。單電源供電時，+V為正電源，-V為地。所有的放大器都可以單電源或是雙電源供電，最主要的區別是單/雙電源供電時的輸入信號和輸出信號范圍不同。...
電流互感器也是一種較為常見的電流檢測方法， 使用時使流過負載電流的導線或走線穿過電流互感器， 進而在電流互感器輸出端輸出與負載電流成一定比例的感應電流。...
在電子設備設計中，除了性能提高和可靠性增加必須要求電子設備具有良好散熱性能以外，消除噪聲、減少能量消耗、降低設備造價也需要有良好的散熱。如果設備通過某種途徑合理散熱風扇的噪聲、能量消耗和費用將會降低。...
運算放大器，通常簡稱為運放，是一種重要的電子元件，它在各種模擬電路應用中發揮著關鍵作用。運放具有高放大倍數、高輸入阻抗和低輸出阻抗等特點，使其適用于信號放大、濾波、比較和其他眾多應用。然而，關于運放的電源配置中是否需要負電壓的問題，一直以來都讓工程師們產生疑慮。本文將解釋在什么情況下運放需要負電壓，...
單相交流電動機內部接線 Y00輸出控制單相電動機的開關，Y01輸出控制單相電動機的正轉和反轉。 當Y00閉合時，火線通過Y00的公共端以及常開觸點與單相交流電動機的公共端相連。 當Y00斷開時，火線則從單相交流電動機的公共端斷開。...
大家都知道電壓跟隨器具有高輸入阻抗，低輸出阻抗的優點。輸入阻抗很大時，跟隨器相當于和前級電路斷路，和自恢復保險絲原理一樣，通過高阻抗斷開電源電路。電壓跟隨器輸出阻抗很低，相當于和后級電路短路。后級電路的輸入電壓值，等于電壓跟隨器輸出端的電壓值。...
目前全球運算放大器廠商包括，德州儀器、亞德諾、凌力爾特、美信、意法半導體、圣邦微電子、思瑞浦、潤石等等，看起來品牌眾多，每家的型號也都成千上百，今天我們主要以高精度這個維度，來看看這個地球上最強的運算放大器。...
本成果針對高頻電感中的分布電容問題提出了建模及優化設計方案。探究了磁芯內部電場分布規律及建模方法；揭示了浮空磁芯電位的求解方法，推導了磁芯與繞組之間、繞組內部分布電容的解析公式；以此為基礎提出了高頻電感的分布電容及高頻電阻聯合優化設計流程。...
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶閘管為半控型器件，承受電壓和電流容量在所有器件中最高;電力二極管為不可...
中游器件制造環節，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。...
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