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MOS在控制器電路中的工作狀態：開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態、關斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態。MOS主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗(開通過程和關斷過程)，導通損耗，截止損耗(漏電流引起的，這個忽略不計)，還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mo...
如果您想知道或擔心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應該查看器件的SOA數據。...
運放應用于比例運算時，處于深度負反饋狀態，虛短條件始終成立，不用特別關注開環放大倍數；而運放構成滯回比較器時，處于正反饋工作狀態，正是利用了開環放大倍數很大的特點，使運放在最大輸出和最小輸出之間躍變。...
結溫為154.72°C的器件不僅超過了建議的溫度規范，還非常接近熱關斷溫度。關斷溫度通常為160°C;這意味著器件結溫高于160*C時會激活器件內部的熱保護電路。此熱保護電路會禁用輸出電路，使器件溫度下降，防止器件因過熱而受到損壞。...
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。...
由靜電荷積累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的靜電電壓帶來的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項危害在正常工作的電路中是很小的，因為柵極受片內齊納二極管保護，它可使電荷損耗至安全水平。...
MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。...
在垂直方向上，IGBT結構經歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和電場截止型（field stop，FS），使器件的整體性能不斷提高。...
光學模數轉換器運用光學方式取代電子采樣/保持編碼和量化電路中的一個或幾個部分。...
單相組串式逆變器里面會有Heric后極逆變是需要使用IGBT單管的，目前我們看到單相組串式逆變器正朝采用多層次拓撲結構的逆變器發展方向。...
5000W的光伏逆變器會有DC-AC逆變電路、PFC電路等電路，其中DC-AC逆變電路需要使用4個IGBT，PFC電路需要使用2個IGBT。...
很多工程師都將DAC看成一個具有數字輸入和模擬輸出的黑匣子，但往往在面對市場上種類繁多的DAC，了解DAC的基本架構則更有利于實際的系統設計。...
ADC (Analog Digital Converter) 用來將連續的模擬信號轉化成離散的數字信號，從而將數字信號給處理器進一步作數字域的處理。本章以SAR ADC ADS8688為例介紹ADC的 DC指標。...
作為模擬工程師，環路穩定性是一個繞不開的話題，很多運算放大器的書籍也或多或少對運算放大器的穩定性都有介紹，但看下來都不夠完整，或者部分知識點有些陳舊，基于此，搬運工重新梳理并整理成本文運算放大器的穩定性。本文比較長，為了更有目的性的閱讀，大家可以帶著以下幾個問題點去詳細閱讀本文，并在閱讀完之后再...
對于 ADC，SFDR 展示了 ADC 如何在存在大信號的情況下同時處理小信號。例如，考慮一個接收器應用程序。假設 ADC 輸入包含一個 +1 dBm 阻塞信號和一個 -75 dBm 所需信號。...
差分放大電路的分析一直是大家的弱項，很大一部分原因是差放的電路不僅是元器件的數量還是需要求解的技術指標，都至少是之前學過的基本放大電路的兩倍。甚至連輸入信號都變成兩個，分析時還看成四個。是不是有要裂開的感覺。...
一個接收機前端設計要求NF<2.5dB,分別由濾波器、限幅器和兩級LNA級聯而成，現有一方案濾波器插損0.5dB，限幅器插損0.1dB，兩級低噪放各自增益都是12dB，噪聲系數都為1.3dB，這種方案設計是否合乎要求?...
年來碳化硅材料應用于電子設備技術有了長足的發展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優點...
晶體振蕩器是一種使用逆壓電效應的電子振蕩器電路，即當電場施加在某些材料上時，它會產生機械變形。因此，它利用壓電材料的振動晶體的機械共振來產生具有非常精確頻率的電信號。...
IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統稱NTC）用于溫度檢測。在實際應用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實的結溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？...
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