1. 法拉第未來被曝銷量造假,賈躍亭回應:誹謗
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近日市場消息,法拉第未來(Faraday Future)被兩名前員工舉報稱,迄今為止的銷量數據存在造假,而且法拉第未來還存在通過人力資源部門報復舉報人的行為。據披露,目前舉報法拉第未來銷量不實的人員為前銷售和售后總監約瑟·格雷羅(Jose Guerrero)、前市場項目經理維多利亞·謝(Victoria Xie),他們在兩起訴訟中指控法拉第未來、賈躍亭以及人力資源主管楊楠存在非法解雇、違約和精神傷害行為。
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關于銷量造假問題,兩名前員工舉報稱,法拉第未來在車輛未完成銷售即官宣交付,實際上有三輛車未獲全額付款,另有一輛延遲60多天才付款,法拉第未來此舉是為了抬高股價。維多利亞·謝同時稱,她舉報兩天后即遭解雇。針對被舉報一事,賈躍亭回應稱,“我認為該訴狀中存在大量的虛假陳述和誹謗,目的是陰謀報復和敲詐勒索,我將會對這兩人提起反訴!”
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2. 恩智浦發布S32N55處理器,率先實現汽車中央實時控制的超高集成度
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2024年4月10日,恩智浦半導體發布S32N55處理器, S32N系列超高集成度車載處理器家族的首位成員。
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S32N55作為最近發布的S32 CoreRide中央計算解決方案的核心,可提供安全、實時和應用處理的可擴展組合,滿足汽車制造商的多樣化中央計算需求。S32N55處理器在安全、集中、實時汽車控制方面表現出色,實現這種控制需要高性能、確定性計算能力來支持最高級別的功能安全。通過軟件定義的硬件強制隔離,S32N55可以承載數十種具有不同重要性級別的汽車功能,同時避免不同功能間的干擾。
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3. 三星研發出16層堆疊HBM3芯片樣品,采用混合鍵合技術
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三星電子表示,已經研發制造出16層堆疊的高帶寬存儲(HBM)的樣品。三星副總裁Kim Dae-woo表示,三星采用混合鍵合技術制造了該芯片。他表示,雖然16層堆棧HBM距離投入量產還需要一段時間,但證實其運行正常。
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Kim Dae-woo還補充說,該芯片是作為HBM3制造的,但三星計劃在HBM4中使用來提高生產率。消息人士稱,由于對準問題,三星預計只會對一兩個芯片堆疊組使用混合鍵合,但后來將該技術應用于所有堆疊。該樣品是使用三星晶圓廠設備子公司Semes的設備制造的。
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4. Meta推出新款AI芯片 降低對英偉達依賴
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臉書母公司 Meta Platforms (10 日)推出新款自研芯片“Meta 訓練和推論加速器”幫助驅動人工智能 (AI) 服務,在臉書和 IG 上對內容進行排名和推薦,也減少對英偉達和其他外部公司半導體的依賴。Meta 去年曾發表第一代 MTIA 產品。
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值得注意的是,新一代 MTIA 將采用臺積電5 納米制程,效能是上一代芯片的 3 倍。該款芯片已布署在資料中心,替 AI 應用程式提供服務,目前正在進行幾個專案,擴大 MTIA 的范圍,包括支援生成式 AI 運作。
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5. 消息稱 AMD APU 核顯將長期采用 RDNA3+ 架構,預計將持續到 2027 年
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@金豬升級包 表示,由于三星 Exynos 合作的原因,AMD 無法對 APU 的核顯進行重大架構升級,因此只能長期維持在 RDNA3+,預計將至少持續到 2027 年。RDNA 3+ 圖形架構將首先在接下來的 AMD Zen 5 系列“Strix Point”APU 中采用,至少要等到今年年中才能看到。
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實際上,AMD RDNA 3+ 架構已經測試了很長一段時間,之前已經出現在了 Linux 補丁中,ID 屬于“GFX115X”系列,可以理解為 RDNA 3.5。官方稱,該架構將被命名為 RDNA 3+,只是對現有 RDNA 3 系列(應用于 Radeon RX 7000 GPU 和 Ryzen 7040/8040 APU)IP 的優化。
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6. 比亞迪混動 + 華為 HiCar,賽力斯藍電 E5 榮耀版上市:9.98 萬元起
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賽力斯藍電 E5 榮耀版現已上市,官方指導價 9.98 萬元-11.98 萬元,較上一代車型下調 4.01 萬元。該系列車型定位中型大七座插混 SUV,全系標配 100 公里純電續航及 5 項主動安全科技。
性能方面,藍電 E5 榮耀版賽力斯集團 DE-i 超級電驅智能平臺,搭載弗迪動力 1.5L 高效插混專用發動機,功率達到 81kW,電動機最大功率為 130kW,系統綜合功率 211kW,系統綜合扭矩 435N.m,WLTC 綜合百公里饋電油耗 5.4L,0-50km/h加速 2.9 秒。
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今日看點丨三星研發出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款AI芯片
- Meta(11178)
- AI芯片(34315)
- 三星(30155)
- HBM3(49)
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2010-04-07 10:20:15
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百度首款AI芯片昆侖完成研發 將由三星代工生產
今日據外媒報道,百度和三星宣布,百度首款AI芯片昆侖已經完成研發,將由三星代工生產。該芯片使用的是三星14nm工藝技術,封裝解決方案采用的是I-Cube TM。明年年初,昆侖芯片將實現量產。
2019-12-18 10:55:20
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三星新發布HBM2E存儲芯片,其代號Flashbolt
三星近日發布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現16GB容量。
2020-02-05 23:34:45
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小米將推出新款自研芯片
據悉,此次小米推出新款澎湃自研芯片,很可能不是一款傳統意義上類似麒麟9000、驍龍888一樣大規模、集成式的SoC,這一代從官方“小芯片”的描述也能判斷。
2021-03-26 12:49:33
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SK海力士成功開發出業界第一款HBM3 DRAM 內存芯片
韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發出業界第一款HBM3 DRAM內存芯片,可以實現24GB的業界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數據,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14
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新思科技推出業界首個完整HBM3 IP和驗證解決方案,加速多裸晶芯片設計
HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內存帶寬。
2021-10-22 09:46:36
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什么是HBM3 為什么HBM很重要
“慢而寬”的內存技術,用于減少芯片外內存中的信號傳輸延遲,但現在HBM3正變得越來越快,越來越寬。在某些情況下,甚至被用于L4緩存。 Arm首席研究工程師Alejandro Rico表示:“這些新功能將使每傳輸位的焦耳效率達到更高水平,而且更多設計可以使用
2021-11-01 14:30:50
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瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39
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AI加速存儲芯片反轉 HBM芯片崛起
HBM(High Bandwidth Memory)是一種創新的CPU/GPU內存芯片,它通過堆疊多個DDR芯片并與GPU封裝在一起,實現了高容量和高位寬的DDR組合陣列。
2023-07-13 14:53:05
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三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務;傳蘋果悄悄開發“Apple GPT” 或將挑戰OpenAI
熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務 據報道,英偉達正在努力實現數據中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱,這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:02
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美光推出業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內存
Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40
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美光推出性能更出色的大容量高帶寬內存 (HBM) 助力生成式人工智能創新
(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內存,其帶寬超過1.2TB/s,引腳速率超過9.2Gb/s,比當前市面上現有的HBM3解決方案
2023-08-01 15:38:21
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業界最快、容量最高的HBM?
來源:半導體芯科技編譯 業內率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進的1β工藝節點實現“卓越功效”。 美光科技已開始提供業界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07
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SK海力士開發出全球最高規格HBM3E,向英偉達提供樣品
該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E,鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:41
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Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能
? 中國北京,2023年12月7日—— 作為業界領先的芯片和IP核供應商,致力于使數據傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布Rambus HBM3內存控制器IP
2023-12-07 11:01:13
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Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能
作為業界領先的芯片和 IP 核供應商,致力于使數據傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 內存控制器 IP 現在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:06
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Meta計劃今年部署自研定制芯片,以加速AI研發
Meta公司近日宣布計劃在今年內為其數據中心部署一款自研定制芯片,以支持其人工智能(AI)的研發工作。這一舉措旨在提高Meta在AI領域的競爭力,并加速其技術發展。
2024-02-03 10:48:23
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Meta將于今年在數據中心部署新款定制AI芯片
Meta近日宣布,計劃于2024年在其數據中心部署新款內部定制的AI芯片。這款芯片將用于支持Meta的人工智能業務,進一步提升數據處理和運算效率。
2024-02-04 10:17:32
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三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:00
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三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品,其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:21
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三星開創性研發出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達36
三星在技術上采用了最新的熱壓力傳導性膜(TC NCF)技術,成功維持了12層產品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:45
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三星電子發布業界最大容量HBM
三星電子近日宣布,公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升,這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51
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Meta擬將自研AI芯片交由三星代工
Meta正在積極拓展其AI技術領域,尋求與新的芯片代工伙伴合作。據外媒報道,Meta CEO扎克伯格在近期訪問韓國期間,與三星高層深入探討了AI芯片代工合作的可能性。此舉被看作是Meta為減少對臺積電依賴,進一步推動自研AI芯片發展的重要一步。
2024-03-08 13:55:30
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Meta尋求與三星合作生產AI芯片
該媒體稱,扎克伯格在此次與尹錫悅的會談中,曾提到擔憂公司過度依賴臺積電代工,且臺積電因產能不足而存在一定程度上的不確定性,這可能對Meta未來的供應鏈造成影響。據悉,Meta已經向臺積電訂購兩款AI芯片。
2024-03-08 14:09:17
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三星效仿SK海力士,采用競爭對手主導的芯片封裝工藝
就此,知情人士指出,三星此舉體現出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業分析機構表示,考慮到AI行業對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調整。
2024-03-13 13:35:19
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英偉達尋求從三星采購HBM芯片
英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業內領頭羊SK海力士,后者已率先實現下一代HBM3E芯片的大規模量產。
2024-03-25 11:42:04
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三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據業內透露,三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09
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