三星電子近日宣布，公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升，這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。

據悉，HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s，這一數字相較于前代產品有了顯著的增長。同時，其產品容量也達到了36GB，為高性能計算應用提供了更為強大的數據處理能力。

與三星之前推出的8層堆疊的HBM3 8H相比，HBM3E 12H在帶寬和容量上的提升幅度超過50%。這一重大進步不僅體現了三星電子在半導體技術領域的持續創新和領先實力，也預示著高性能計算領域將迎來更為強勁的發展動力。

HBM3E 12H的發布，標志著三星在高性能存儲器領域的又一重大突破。通過采用先進的12層堆疊技術，該產品實現了更高的集成度和更低的功耗，為人工智能、數據中心等高性能計算應用提供了更為可靠和高效的硬件支持。