壓電晶體聲控電燈電路圖
2010-04-02 18:10:58
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在新思科技（Synopsys）于美國(guó)硅谷舉行年度使用者大會(huì)上，參與一場(chǎng)座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體（FinFET）雖有發(fā)展?jié)摿Γ灿酗L(fēng)險(xiǎn)，而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。Cavium 估計(jì)FinFET將使閘極電容提升40%。
2013-04-01 10:30:141173 宜普公司推出內(nèi)含增強(qiáng)型氮化鎵（eGAN）場(chǎng)效電晶體（FET）的 EPC9005 開發(fā)板。該開發(fā)板是一款7A最大輸出電流半橋電路設(shè)計(jì)，內(nèi)含兩個(gè)EPC2014場(chǎng)效應(yīng)電晶體，并采用最佳化閘極驅(qū)動(dòng)器LM5113。
2013-05-08 15:59:561212 先進(jìn)制程晶圓代工市場(chǎng)戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺(tái)積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體（FinFET）制程后，格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）日前也喊出將超前
2013-06-11 10:14:031067 臺(tái)積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善電晶體漏電流問題，臺(tái)積電除攜手硅智財(cái)（IP）業(yè)者，推進(jìn)鰭式電晶體 （FinFET）制程商用腳步外，亦計(jì)畫從晶圓導(dǎo)線
2013-07-01 09:16:58524 晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場(chǎng)效電晶體制程世代后，與整合元件制造商的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟，串連矽智財(cái)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化供應(yīng)商等合作夥伴的力量，強(qiáng)化在FinFET市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2013-07-24 10:12:501077 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭(zhēng)相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。
2013-08-26 09:34:041899 
在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。FinFET會(huì)是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)最佳選項(xiàng)？
2014-04-01 09:07:473015 
美國(guó)普渡大學(xué)（Purdue University）研究人員已經(jīng)證明可與互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）相容、且速度可達(dá)4THz（Terahertz）的全光敏電晶體（All-optical
2015-08-07 07:04:08829 打開這一年來半導(dǎo)體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，例如：iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），代表FinFET開始全面攻占手機(jī)處理器，三星
2015-09-19 16:48:004522 
“不必?fù)?dān)心‘摩爾定律’走到盡頭，因?yàn)樵谡麄€(gè)半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖上還有許多好辦法。”被譽(yù)為“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美國(guó)舉行的“新思科技產(chǎn)品使用者研討會(huì)”上指出，新的電晶體概念能夠?yàn)樾酒a(chǎn)業(yè)點(diǎn)燃持續(xù)發(fā)展數(shù)十年的動(dòng)力。
2016-05-11 09:24:361280 比利時(shí)微電子在2016國(guó)際電子元件會(huì)議中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體的CMOS集成電路，其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對(duì)7納米以下技術(shù)候選人，IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體會(huì)雀屏中選。
2016-12-12 13:48:212538 今年得獎(jiǎng)?wù)邽槊绹?guó)加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他也曾是臺(tái)積電前技術(shù)長(zhǎng)，主辦單位表示，胡研發(fā)的3D鰭式電晶體（FinFET），突破物理極限，使元件更小，能源使用效率提高，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來最大變革，也使得摩爾定律得以延續(xù)至今
2016-12-30 07:41:271295 FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 
埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣佈推出專為諸如數(shù)位視訊廣播（DVBT）和特高頻（UHF）類比電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計(jì)的BLF989射頻（RF）功率電晶體。
2018-06-07 11:43:237780 如圖是激光門報(bào)警器電路的發(fā)射端和接收端。其中Laser Pointer為激光發(fā)射器（或激光筆），L14F1為光電晶體管。
2019-01-28 15:13:2813 使用光電晶體管和光電二極管的光檢測(cè)功能，是微處理器或微控制器了解物理世界并相應(yīng)地進(jìn)行控制或分析算法的一種手段。光電晶體管的應(yīng)用與光電二極管相同，但各有優(yōu)勢(shì)。
2022-07-27 11:53:412151 
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
現(xiàn)在的房地產(chǎn)行業(yè)真的是越來越火，因此也帶動(dòng)了周邊裝修行業(yè)的發(fā)展，現(xiàn)在人們?cè)谘b修的時(shí)候都會(huì)選擇一些比較好的集成墻面，格羅佳美智能軟晶墻飾就憑借它特有的特色在市場(chǎng)上迎來了不少的消費(fèi)者關(guān)注，那么格羅
2016-10-22 15:37:05
羅德與施瓦茨攜手華為成功調(diào)試完成V2X模塊DA2300及RSU（RSU5210）測(cè)試方案
2021-01-12 07:04:24
羅德與施瓦茨CMW100 無線通信生產(chǎn)測(cè)試儀 羅德與施瓦茨CMW100 無線通信生產(chǎn)測(cè)試儀 TELE:189 3868 3940深圳華波電子儀器有限公司 適用于旗艦版智能手機(jī)生產(chǎn)線的全新
2020-04-01 15:45:54
工廠閑置/倒閉電子儀器，個(gè)人處理儀器，歡迎您的來電！！ 趙經(jīng)理：188~~~8361~~~1172 （V信同號(hào)） 企鵝：25722~~38817 地址：東莞市塘廈鎮(zhèn)蓮湖怡景路8號(hào)羅德與施瓦茨公司新推出
2020-01-11 09:01:11
蘋果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
兩種比光敏二極管產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個(gè)術(shù)語(yǔ)指的是基本上是一個(gè)光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因?yàn)樗慕Y(jié)
2022-04-21 18:05:28
場(chǎng)效應(yīng)管的演變 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的未來發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因?yàn)樗鼪]有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
什么叫壓電效應(yīng)？壓電晶體又是什么？壓電晶體有何作用？
2021-06-08 06:33:16
制作的濾波器，保證了圖像和聲音的清晰度。你手上戴的石英電子表中有一個(gè)核心部件叫石英振子。就是這個(gè)關(guān)鍵部件保證了石英表比其他機(jī)械表更高的走時(shí)準(zhǔn)確度。 裝有壓電晶體元件的儀器使技術(shù)人員研究蒸汽機(jī)、內(nèi)燃機(jī)
2021-05-13 07:19:48
基于ARM 架構(gòu)處理器的手持多媒體播放裝置設(shè)計(jì)從2004 年至今，手持式裝置的多媒體播放功能逐漸被消費(fèi)者所注重，許多大廠也針對(duì)原本只針對(duì)單一用途的隨身聽、手機(jī)系統(tǒng)，加入了視訊播放的能力，而不少?gòu)S商也
2009-10-05 08:13:57
大小核(big.LITTLE)晶片設(shè)計(jì)架構(gòu)正快速崛起。在安謀國(guó)際(ARM)全力推廣下，已有不少行動(dòng)處理器開發(fā)商推出采用big.LITTLE架構(gòu)的新方案，期透過讓大小核心分別處理最適合的運(yùn)算任務(wù)，達(dá)到兼顧最佳效能與節(jié)能效果的目的，以獲得更多行動(dòng)裝置制造商青睞。
2019-09-02 07:24:33
光電晶體管和光電二極管是密切相關(guān)的電光傳感器，它們?cè)谖恢?存在感測(cè)、光強(qiáng)度測(cè)量和高速光脈沖檢測(cè)等應(yīng)用中可將入射光轉(zhuǎn)換成電流。但是，要充分利用這些器件，設(shè)計(jì)人員需要特別注意接口電路、波長(zhǎng)和光學(xué)機(jī)械校準(zhǔn)
2021-01-12 07:56:44
` 消費(fèi)者今天利用電子裝置能做的事情比以往任何時(shí)候都多當(dāng)談到行動(dòng)運(yùn)算時(shí)，我們通常是指智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)。去年，行動(dòng)裝置已擴(kuò)展至涵蓋更多樣的新型態(tài)裝置，包括穿戴式裝置、二合一筆電，以及其他行動(dòng)
2016-07-29 16:33:37
微型無線傳感器的架構(gòu)與優(yōu)化
2021-02-25 06:01:06
德州儀器（TI）推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
相比，能夠?yàn)橥ㄐ藕投嗝襟w應(yīng)用提供高達(dá)10倍速的更高的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證能力。Synphony HLS為ASIC 和 FPGA的應(yīng)用、架構(gòu)和快速原型生成最優(yōu)化的RTL。Synphony HLS解決方案架構(gòu)圖
2019-08-13 08:21:49
求能控制羅德與施瓦茨FSL的測(cè)試程序
2017-05-27 10:15:41
的量子物理問題。這個(gè)時(shí)候就要導(dǎo)入FinFET（Tri-Gate）來改善這個(gè)問題。導(dǎo)入這項(xiàng)技術(shù)后，電晶體漏電的問題就會(huì)減少（并非是完全消除）。此外，FinFET（Tri-Gate）還可以增加下層和Gate
2016-12-16 18:20:11
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會(huì)怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
請(qǐng)教音叉開關(guān)上面的振動(dòng)壓電晶體在什么地方能買到
2023-09-08 08:49:16
用可規(guī)劃積體電路開發(fā)第三代行動(dòng)通訊亂碼接收器第三代行動(dòng)通訊是以CDMA技術(shù)為主軸，而CDMA 又以亂碼的產(chǎn)生（發(fā)射端）與尋找（接收端）為主，在歐規(guī)ＷCDMA中，各個(gè)基地臺(tái)是用
2009-11-22 17:19:31
5 Rosenberger羅森伯格 LTE2600M互調(diào)儀 便攜式互調(diào)儀為了滿足客戶現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量互調(diào)失真的需求，羅森伯格推出了一款小型、高集成度、便攜式無源互調(diào)分析儀，它能夠快速地在線測(cè)量連接器
2023-04-28 11:47:24
電晶體之交流分析
教學(xué)目標(biāo)1. 熟悉共射極放大器的輸入、輸出特性。2. 熟悉共集極放大器的輸入、輸出特性。3. 熟悉
2010-06-11 17:13:270 有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。水晶（α-石英）是一種有名的壓
2006-06-08 18:04:531075 電晶體化３Ｍ～２００ＭＨｚ寬頻帶放大器
圖７－１系儀器計(jì)測(cè)用前置放大器及
2008-08-17 14:21:36830 
無線電衛(wèi)星站用電晶體控制交換型充電器電路
2008-11-04 10:16:40500 
壓電晶體揚(yáng)聲器聲控電燈電路圖
2009-06-08 15:54:03500 
光電晶體管控制的繼電器電路圖
2009-07-03 14:20:091026 
光電晶體三極管電路
這里顯示出了在光電晶體
2009-09-22 17:19:431705 
提升行動(dòng)裝置屏幕的觀賞效果
行動(dòng)上網(wǎng)裝置(MID)與上網(wǎng)本(Netbook)一項(xiàng)成功關(guān)鍵是使用者的使用體驗(yàn)——尤其是屏幕顯示效果。 消費(fèi)者對(duì)這些裝置的
2009-11-05 16:36:53405 壓電晶體定義 有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就
2009-12-03 11:34:04874 壓電晶體是什么
有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶
2010-01-16 09:21:183989 用自置偏電路以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
電路的功能
在光
2010-05-18 11:38:57594 
逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特爾（Intel） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為叁閘極（tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實(shí)際上是幾乎呈現(xiàn)三
2012-05-23 09:54:442050 
NEC日前發(fā)表一項(xiàng)專為行動(dòng)裝置設(shè)計(jì)的影像辨識(shí)技術(shù)，利用行動(dòng)裝置上的攝影機(jī)，拍攝食品、汽車、或是印刷物等物品，并且透過其影像辨識(shí)技術(shù)進(jìn)行高精準(zhǔn)度的辨識(shí)，將其物品的詳
2012-06-19 11:01:51681 晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術(shù)授權(quán)合約，將以3D架構(gòu)的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET），促進(jìn)次世代尖端20納米CMOS制程的開發(fā)，以加速聯(lián)電次世代尖端技術(shù)的研發(fā)時(shí)程。
2012-06-30 11:27:11527 高功率氮化鎵（GaN）電晶體因容易過熱而令人詬病，最近美國(guó)科學(xué)家研發(fā)出一種由石墨及石墨烯（graphene）制成的「排熱被」，能夠有效降溫而解決此問題。這個(gè)由碳材料所組成的補(bǔ)丁結(jié)
2012-08-17 08:48:231411 
GLOBALFOUNDRIES 推出一項(xiàng)專為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術(shù)將為客戶展現(xiàn)三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢(shì)，不僅風(fēng)險(xiǎn)更低
2012-09-24 08:55:51550 為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。
2012-10-09 12:02:37911 個(gè)原子組成。為了進(jìn)展到下一個(gè)矽晶世代，除了各種缺陷和摻雜不均的問題以外，業(yè)界還面臨著矽電晶體尺寸進(jìn)一步縮小的挑戰(zhàn)。
2014-07-07 09:59:42761 英國(guó)劍橋大學(xué)（Cambridge University）日前推出新的電晶體設(shè)計(jì)，可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應(yīng)來源并可在1伏特下運(yùn)作且耗電低于10億分之1瓦特。
2016-11-10 10:14:11779 融合，如以IPv6架構(gòu)為基礎(chǔ)的M2M、行動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)云端運(yùn)算、SDN、網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化(NFV)等，以改
2017-02-09 09:00:02149 功耗低，面積小的優(yōu)點(diǎn)，臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開始計(jì)劃推出自己的FinFET晶體管［4］，為未來的移動(dòng)處理器等提供更快，更省電的處理器。從2012年起，FinFET已經(jīng)開始向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。
2018-07-18 13:49:00119524 
鰭式場(chǎng)效晶體管（簡(jiǎn)稱 finFET）的推出標(biāo)志著 CMOS 晶體管首次被看作是真正的三維器件。由于源漏區(qū)以及與其周圍連接的三維結(jié)構(gòu)方式（包括本地互連和接觸通孔），導(dǎo)致了復(fù)雜性和不確定性。
2018-01-28 14:28:013592 
三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的環(huán)繞式閘極(gate-all-around；GAA)電晶體。
2018-05-30 11:37:134765 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:003390 高通新一代Snapdragon 855為全球首款可同時(shí)支持千兆等級(jí)(multi-gigabit)5G服務(wù)、人工智能(AI)及沉浸式延展實(shí)境(XR)技術(shù)的商用行動(dòng)平臺(tái)，訴求將迎來革命性行動(dòng)裝置的下一個(gè)嶄新十年。
2018-12-11 11:01:592808 我國(guó)科學(xué)家首次研制出高銦含量三元光電晶體!
2019-04-28 16:45:122845 非中心對(duì)稱晶體，在機(jī)械力作用下，產(chǎn)生形變，使帶電質(zhì)點(diǎn)發(fā)生相對(duì)位移，從而在晶體表面出現(xiàn)正、負(fù)束縛電荷，這樣的晶體稱為壓電晶體。壓電晶體極軸兩端產(chǎn)生電勢(shì)差的性質(zhì)稱為壓電性。
2019-06-27 14:30:0515707 Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因?yàn)镮ntel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:095687 
如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA，就已有一個(gè)時(shí)代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616 有消息表示，處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點(diǎn)上將會(huì)放棄 FinFET 電晶體，轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體。
2020-03-17 16:35:262811 引述消息人士援引威廉姆森的話說：“華為正在潛在地發(fā)起替代行動(dòng)。” “這不是華為想要的東西。我們很高興成為Android家族的一員，但是紅盟正在接受測(cè)試，主要是在中國(guó)。大概我們將嘗試放置商標(biāo)。”
2020-04-22 11:28:023597 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 制程工藝是非常重要的基礎(chǔ)。在今年“架構(gòu)日”上，英特爾推出了創(chuàng)新的晶體管技術(shù)SuperFin。這項(xiàng)技術(shù)擁有行業(yè)顛覆意義，英特爾在底層晶體管設(shè)計(jì)上做了優(yōu)化，降低了電阻，提高了電流，同時(shí)在電容層級(jí)采用了Super MIM的大幅優(yōu)化技術(shù)，電容量提高了5倍，同時(shí)降低了壓降。
2020-08-27 11:14:582275 電路使用。 本應(yīng)用筆記介紹了有關(guān)光電晶體管的一些基本事實(shí)，包括其在行業(yè)中常用的不同架構(gòu)。它討論了它的操作以及這些設(shè)備內(nèi)部的工作原理。 當(dāng)光電晶體管檢測(cè)到近紅外范圍內(nèi)的光時(shí)，共發(fā)射極放大器電路（圖 1）產(chǎn)生一個(gè)輸出，該輸出
2021-06-01 16:40:233965 
FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。
2020-12-24 15:54:06289 ? ? FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了
2020-12-30 17:45:162676 光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因?yàn)樗慕Y(jié)暴露在入射光下。除了暴露的半導(dǎo)體材料是雙極結(jié)型晶體管 （BJT）的基極之外，光電晶體管的功能與此類似。
2021-06-23 16:46:597163 
在開發(fā)出第一個(gè)點(diǎn)接觸晶體管之后，貝爾實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)發(fā)明了光電晶體管。當(dāng)時(shí)，大量的開發(fā)工作正在啟動(dòng)。盡管光電晶體管的歷史不像其他半導(dǎo)體的早期發(fā)展那樣被公開，但它無疑是一個(gè)非常重要的發(fā)展。
2021-09-17 15:53:093525 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LED和光電晶體管來感應(yīng)手指的心跳.zip》資料免費(fèi)下載
2022-11-09 11:27:381 光電晶體管電路的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
2022-11-15 20:08:503 有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。壓電晶體用于制造選擇和控制頻率的電子元器件，廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域，如彩電、空調(diào)、電腦、DVD、無電線通訊等，尤其在高性能電子設(shè)備及數(shù)字化設(shè)備中應(yīng)用日益擴(kuò)大。
2023-01-17 14:55:59541 
光電晶體管是一種電子開關(guān)和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理：當(dāng)光落在結(jié)上時(shí)，反向電流流動(dòng)，其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測(cè)光脈沖并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào)。這些是通過光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:12656 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流，而是激活晶體管。這是因?yàn)楣?b class="flag-6" style="color: red">電晶體管由雙極半導(dǎo)體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06287 
光電功能晶體主要是利用光電轉(zhuǎn)化的功能晶體，種類很多，如光學(xué)晶體、激光晶體、非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、閃爍晶體和磁光晶體等。它的作用是接受光信號(hào)，并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
2023-05-16 16:07:26389 光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場(chǎng)效應(yīng)型等。
2023-05-16 16:13:16584 
光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:20:41529 在光電晶體管電路中，基本的工作模式包括有源和開關(guān)兩種，其中常用的工作模式是開關(guān)型。它解釋了對(duì)光的非線性響應(yīng);一旦沒有光，就沒有電流流入晶體管。
2023-05-16 16:25:08374 光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:29:33389 
光電晶體管是一種光電轉(zhuǎn)換器件，它是在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上加入光敏材料制成的。光電晶體管可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，具有高靈敏度、高速度、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于光電傳感、光電控制、光電通信等領(lǐng)域。
2023-05-17 15:29:281557 光電晶體管是將光轉(zhuǎn)化為電能的組件。它是一種晶體管，只是它使用光而不是基極電流來打開和關(guān)閉。
2023-06-29 10:40:38432 
的問題在于它只是一個(gè)臨時(shí)解決方案。它可能只持續(xù)幾十年。然而，它很可能成為FinFET的未來替代品，至少在有人提出全新的晶體管架構(gòu)之前是這樣。
2023-07-07 09:58:374434 
有關(guān)光電二極管和光電晶體管的硬核科普，值得收藏！
2023-12-01 16:22:43245 
在本指南中，您將了解什么是光電晶體管，如何使用光電晶體管，并通過一個(gè)簡(jiǎn)單的項(xiàng)目來構(gòu)建自動(dòng)開/關(guān)開關(guān)。
2024-02-11 11:09:00595 
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