MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼備SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:00
8872 
三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預計
2016-08-01 11:04:32953 據臺灣經濟日報最新消息，聯電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）領導者美商Avalanche共同宣布，合作技術開發MRAM及相關28納米產品；聯電即日起透過授權，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發性MRAM技術。
2018-08-09 10:38:123129 9月13日，晶圓代工廠聯電宣布，手美商 Avalanche Technology，推出采 22 納米制程生產的自旋轉移矩磁性內存 (STT-MRAM)，將應用于航天等領域。9月12日，外媒報道，美國
2022-09-13 13:38:155194 
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領導者，Everspin所生產的MRAM產品包括40nm，28nm及更高工藝在內
2020-08-31 13:59:46
Everspin串口串行mram演示軟件分析
2021-01-29 06:49:31
，這使其能夠在耐久性方面提高多個數量級，從而提高了性能。Everspin Technologies 是設計制造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領導者，其市場和應用領域
2020-08-12 17:42:01
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
求大神詳細介紹一下STT-MRAM的存儲技術
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技術的優點
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼備SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋轉矩MRAM技術
2020-12-25 07:53:15
everspin最新1Gb容量擴大MRAM吸引力
2021-01-01 06:29:30
磁阻式隨機存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
Eversipn STT-MRAM的MJT細胞
2021-02-24 07:28:54
自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術，可利用各種工業標準接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產品，該產品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
開啟下一波儲存浪潮STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中，結合數種常規存儲器的特性而獲得市場重視。在多年來的發展中發現，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩定性與耐久性。STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性，在芯片中提供非揮發性儲存的功能。
2019-10-02 07:00:00
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優點與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優勢：?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數
2023-04-07 16:26:28
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產品化和優異的性能，是產品其能夠在-35C至110C的工業溫度范圍內使用。
2020-12-28 06:16:06
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器(MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實現 STT MRAM 商業可行性的進展。
2019-07-16 08:46:10
萌新求助，求一個基于嵌入式STT-MRAM的架構方案
2021-10-25 07:33:36
一般稱為自旋閥或隧穿磁阻結(TMJTunneling Magneto-resistive Junction)。它對MRAM單元的存儲功能起重要作用，例如寫‘0’或寫‘1'。宇芯有限公司自成立以來，我們
2020-10-20 14:34:03
耐久性。該算法如圖6所示。 圖6.智能寫操作算法，顯示動態組寫和帶寫驗證的多脈沖寫。 MRAM數據可靠性 在基于自旋的STT-MRAM的許多應用中，磁場干擾是一個潛在的問題。該解決方案是在封裝上沉積
2020-07-02 16:33:58
近日，北京航空航天大學與微電子所聯合成功制備國內首個80納米自旋轉移矩磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
2017-05-09 01:07:311346 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應用程序啟用低延遲寫入緩沖區。
2018-11-23 05:55:003220 IMEC進行了設計技術協同優化（DTCO），以確定5nm節點上STT-MRAM單元的要求和規格，并得出了一個結論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:543981 
研究機構IMEC已經發表了一篇論文，該研究表明，在5nm節點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節能效果。這種優勢比非易失性和較小的空間占用更重要。 半導體行業著名機構IMEC
2019-04-22 15:51:321089 
Everspin 近日宣布，其已開始試生產最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。
2019-06-27 08:59:439837 群聯電子宣布與Everspin策略聯盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群聯的企業級SSD儲存解決方案。
2019-08-13 19:07:023313 通過使用較小的電流和電壓來控制MTJ的磁對準，可以降低器件功耗。但是，自旋轉移矩MRAM（STT-MRAM）的問題在于，當其寫入速度很高時，其電壓會使用大量功率迅速增加。
2020-02-29 17:26:502343 
2018年8月份AMD宣布將7nm CPU訂單全都交給臺積電，雙方的合作關系這兩年非常密切。與之相比，AMD的前女友GF公司現在與X86 CPU代工漸行漸遠，現在他們宣稱要做MRAM領域的領導者。
2020-03-07 09:42:182244 GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142310 GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器啟用或FPGA，該公司也一直在通過其伙伴關系發展其生態系統。 Everspin的幾個合作
2020-03-23 15:32:08646 MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術。MRAM通常被稱為存儲器的圣杯，具有快速，高密度和非易失性的特點，可以在單個芯片中替代當今使用的所有類型的存儲器。 Everspin是全球唯一的磁性
2020-03-25 16:02:57820 ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰DRAM和SRAM），可擴展至10nm以下，并挑戰了閃存的低成本。STT代表旋轉傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 Everspin是專業研發生產MRAM、STT-MRAM等半導體領先供應商，在包括40nm，28nm及更高的技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07579 ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。 Toggle MRAM為許多行業提供服務，包括交通運輸，航空航天和醫療，物聯網及工業。Everspin與全球能源管理和自動化專家Schneider
2020-04-09 09:28:05680 Everspin在磁存儲器設計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道
2020-04-15 17:27:05844 everspin在此生產基于180nm，130nm和90nm工藝技術節點的MRAM產品。產品包裝和測試業務遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發
2020-04-15 16:46:113245 
Everspin擁有包括40nm，28nm及更高技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。Everspin生產基于180nm，130nm
2020-04-30 16:26:21525 Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發的Toggle MRAM在太空應用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚，并基于Everspin的技術交付生產級，符合太空要求的磁阻
2020-05-14 12:01:15722 MRAM內存的Everspin開始向STT-MRAM發運最高1Gb的芯片容量，這種內存密度使這些設備在許多應用中更受關注。Everspin代理商英尚微電子提供產品技術支持及解決方案。 主要的嵌入式半導體制造商為工業和消費應用中使用的嵌入式產品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 （STT-MRAM）。這些技術提供了密集的位單元（“1T1R”），并通過改變單元的靜態電阻來操作，這種電阻是通過材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當單元被訪問時，讀操作感知電阻大小，大大降低單元電流。理想情況下，兩個電阻之間的比率非常高，以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:334470 Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。為云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場提供了上億只MRAM和STT-MRAM
2020-07-13 11:25:581037 行良好的MTJ設計和測試。Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的，為汽車、工業和軍事。云存儲等行業等提供了大量可靠優質的MRAM，STT-MRAM存儲芯片。Everspin一級代理商接下來介紹Everspin MRAM器件的
2020-07-17 13:56:10453 
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有600多項有效專利和申請的知識產權，在平面和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511 的領先趨勢來增強動力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內存技術都不同，適合特定的應用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 ）STT-MRAM位單元的開發方面均處于市場領先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產量。 鑄造廠需要傳統的CMOS制造中不使用的新設備，例如離子束蝕刻，同時提高MTJ位單元的可靠性，以支持某些應用所需的大（1Mbit?256Mbit）存儲器陣列密度
2020-08-05 14:50:52389 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，離取代一般存儲器還有一段路要走，另一種比較可行的應用，是把STT－MRAM嵌入其他系統芯片，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高，有助于提高邏輯芯片內的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00593 新興MRAM市場的主要參與者之一已經開發了專有技術，該技術表示將通過增加保持力并同時降低電流來增強任何MRAM陣列的性能。 自旋轉移技術（STT）的進動自旋電流（PSC）結構，它有潛力提高MRAM
2020-08-18 17:34:53712 
Everspin主要是設計制造和商業銷售MRAM和STT-MRAM的領先者，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin MRAM產品應用在數據中心，云存儲，能源
2020-08-17 14:42:142309 Everspin是設計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應用涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。 在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗以及在平面內和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434 中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品。Everspin一級代理英尚微電子提供產品相關技術支持。 MRAM涉及汽車應用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發生時收集和存儲更多數據，并幫助確定車輛事故或故障的原因。 使用傳感器的汽車應用可以受益于MRAM。由于傳感器連續地寫入數據
2020-09-18 14:13:16698 Everspin MRAM內存技術是如何工作的？ Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存的介質有以下幾大優勢： 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:322609 的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰不斷涌現。通過將自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術的領先趨勢來增強動力，同時考慮了汽車應用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內存測試和修復解決方案，設計人員需
2020-10-14 15:52:19536 
本文由everspin代理宇芯電子介紹關于新型的芯片架構，將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應用于芯片架構設計中，與傳統芯片架構相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態功耗，延長手持設備的在線工作
2020-11-20 15:20:24512 
自旋傳遞扭矩RAM（STT-MRAM）它結合了非易失性，出色的可擴展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉矩（STT）寫入是一種通過對齊流過磁性隧道結（MTJ）元件的電子的自旋方向
2020-11-20 15:23:46791 。 后來科學家們想出了用自旋極化的電子流脈沖取代微電磁線圈的突破方案。穿過微磁粒的自旋極化電子流脈沖具有確定的磁場方向，它的磁矩在這里被稱為自旋轉移力矩或簡稱自旋轉矩，即前面提到的STT。自旋極化電子流可以代替電磁線圈使微磁粒的磁場方向發生
2020-12-07 14:24:00665 在ISSCC 2020上臺積電呈現了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環的寫入耐久性，在150度下10年以上的數據保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 Everspin Technologies，Inc是設計制造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin MRAM產品
2021-01-16 11:28:23531 Everspin是設計制造MRAM到市場和應用程序的翹楚，在這些市場和應用程序中，數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin是MRAM產品的長期可靠制造商，并在亞利桑那州錢德勒
2021-04-26 14:25:21479 
，該系統將被搭載在日本的一顆研究衛星發射進入太空。 在數據存儲的可靠性和持久性方面，同類產品無法與Everspin的MRAM產品相比， Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat
2021-04-30 17:17:53325 Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發性和高耐久性。該設備能夠以高達
2021-05-08 15:47:56713 
，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品。擁有超過600項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場
2021-06-08 16:37:17575 Everspin公司生產的MRAM用于數據持久性和應用的市場和應用。Everspin MRAM應用在數據中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠將存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結合，同時具有非易失性和節能性。
2021-08-17 16:26:191926 在 MRAM 這類內存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數據的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權衡。這意味著即使STT?MRAM技術已經接近成熟，其受到的限制
2021-12-11 14:47:44519 Everspin Technologies，Inc是設計制造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯電子介紹關于新型的芯片架構,將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應用于芯片架構設計中,與傳統芯片架構相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是設計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應用涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。在磁存儲器設計，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 自旋轉移扭矩隨機存取存儲器（STT-RAM）技術希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結合了DRAM的成本優勢，SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390 STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產品。STT-MRAM存儲的結構簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 Everspin科技有限公司是全球領先的設計， 制造嵌入式磁阻 RAM （MRAM） 和自旋轉移扭矩 MRAM （STT-MRAM） 的生產商，自從Everspin第一款產品進入市場，由于MRAM
2022-03-15 15:45:22527 MRAM可能是非易失性存儲技術的下一個大事件。該技術利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關系。本質上，當兩個磁鐵靠近時，它們的電阻會發生變化，這取決于它們的磁極相對于另一個磁極的位置。
2022-07-25 16:04:33836 everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。
2022-11-17 14:23:282461 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。
2022-11-29 15:57:581325 Everspin的xSPI STT-MRAM產品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數SPI兼容總線接口，時鐘頻率高達200MHz。這些持久存儲器MRAM設備在單個1.8V電源
2022-12-08 16:07:20400 Netsol是一家成立于2010年的無晶圓廠IC設計和營銷公司。在下一代存儲器解決方案方面處于世界領先地位，特別是在STT-MRAM方面。憑借強大的開發能力，為廣泛的應用程序提供定制/優化的內存
2023-01-31 15:53:37226 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數據和程序的應用程序，至少應用于數量引腳。它具有優異的性能和非易失特性。詳情請洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說，這是最理想的內存。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 安全地獲得備份。能夠充分執行該作用的存儲器，在工業設備中至關重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說，這是合適的內存。適用于工業設備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136 其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性，它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 
目前三星仍然是全球專利第一，2002年三星宣布研發MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發逐漸走向低調。
2023-11-22 14:43:53213 
鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用對更高效率、穩定性和更低功耗的內存的需求愈發緊迫，如磁阻式隨機存取內存（MRAM）這樣的新一代內存技術已成為眾多廠商爭相研發的重點。
2024-01-18 14:44:00838 MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發難度高，目前主要分為兩大類：傳統MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅動，后者則采用自旋極化電流驅動。
2024-01-22 10:50:50123 
電子發燒友App
工商網監
評論