已經完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產品中添加另一個尖端節(jié)點，三星再次證明了其在先進晶圓代工市場的領導地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:47
6010 MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:008870 
在3年內展開MRAM量產，也引起了業(yè)界高度的注目。韓媒指出， STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲器技術。與目前的NAND Flash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。
2016-08-01 11:04:32953 9月13日，晶圓代工廠聯(lián)電宣布，手美商 Avalanche Technology，推出采 22 納米制程生產的自旋轉移矩磁性內存 (STT-MRAM)，將應用于航天等領域。9月12日，外媒報道，美國
2022-09-13 13:38:155193 
研究機構IMEC已經發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
產品會取代獨立存儲器目前各廠商已經基本掌握了用于實現(xiàn)第一階段應用的關鍵技術。在車載MCU中,通常是將設備工作時使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠將自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
，這使其能夠在耐久性方面提高多個數(shù)量級，從而提高了性能。Everspin Technologies 是設計制造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領導者，其市場和應用領域
2020-08-12 17:42:01
和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。 高速緩存可以用與SRAM幾乎相同的方式來組建。MRAM與SRAM具有相似的電路結構(見圖1)。 它們都由字線來選擇目標操作單元,由位線
2020-11-06 14:17:54
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
求大神詳細介紹一下STT-MRAM的存儲技術
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技術的優(yōu)點
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
Eversipn STT-MRAM的MJT細胞
2021-02-24 07:28:54
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領導者，Everspin所生產的MRAM產品包括40nm，28nm及更高工藝在內
2020-08-31 13:59:46
自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術，可利用各種工業(yè)標準接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產品，該產品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
開啟下一波儲存浪潮STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中，結合數(shù)種常規(guī)存儲器的特性而獲得市場重視。在多年來的發(fā)展中發(fā)現(xiàn)，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩(wěn)定性與耐久性。STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性，在芯片中提供非揮發(fā)性儲存的功能。
2019-10-02 07:00:00
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行，但還允許系統(tǒng)設計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內最重要的代工企業(yè)臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
跡可循。 在2002年開啟MRAM研發(fā)工作后，三星在2005年又率先開始了STT-MRAM的研發(fā)，該技術后來被證明可以滿足高性能計算領域對最后一級緩存的性能要求，被認為是MRAM突破利基市場的利器
2023-03-21 15:03:00
年三月進入了風險試產階段，據(jù)說試產良率可以達到40%，而在今年的第二季度，就可以實現(xiàn)大規(guī)模的量產。面對這一商機，全球5nm產業(yè)鏈上的相關廠商都繃緊了神經，要么爭取分一杯羹，要么爭取產能。因此，關注
2020-03-09 10:13:54
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產品化和優(yōu)異的性能，是產品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內使用。
2020-12-28 06:16:06
，為了提供足夠的數(shù)據(jù)緩存能力，隨著集成電路制造工藝的發(fā)展，嵌入式SRAM 的存儲單元的面積也在以約0.5 倍每代的速度減小，在45 nm 工藝節(jié)點嵌入式SRAM 的密度已可以達到150 Mb/cm2。雙
2020-07-06 16:26:25
臺積電宣布5nm基本完工開始試產：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
SRAM存儲單元的寫裕度(WM)。同時,可以優(yōu)化SRAM存儲單元的抗PVT波動能力,并且可以降低SRAM存儲單元的最小操作電壓。 基于SMIC 28nm工藝節(jié)點仿真結果顯示,新型10T單元結構在電源電壓為
2020-04-01 14:32:04
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半導體產業(yè)正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。
2019-07-16 08:46:10
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
萌新求助，求一個基于嵌入式STT-MRAM的架構方案
2021-10-25 07:33:36
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。MRAM技術仍遠未
2020-04-15 14:26:57
耐久性。該算法如圖6所示。 圖6.智能寫操作算法，顯示動態(tài)組寫和帶寫驗證的多脈沖寫。 MRAM數(shù)據(jù)可靠性 在基于自旋的STT-MRAM的許多應用中，磁場干擾是一個潛在的問題。該解決方案是在封裝上沉積
2020-07-02 16:33:58
半導體產業(yè)正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。
2018-05-29 15:42:002282 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應用程序啟用低延遲寫入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003220 IMEC進行了設計技術協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以確定5nm節(jié)點上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格，并得出了一個結論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:543980 
Everspin 近日宣布，其已開始試生產最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。
2019-06-27 08:59:439837 與過去相比，研究人員現(xiàn)在已經將EUVL作為存儲器關鍵結構的圖形化工藝的一個選項，例如DRAM的柱體結構及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分，IMEC的研發(fā)工程師Murat Pak提出了幾種STT-MRAM關鍵結構的圖形化方案。
2019-09-05 11:45:007207 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142310 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 Everspin是專業(yè)研發(fā)生產MRAM、STT-MRAM等半導體領先供應商，在包括40nm，28nm及更高的技術節(jié)點在內的先進技術節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07579 非易失性和高能效。下面由宇芯電子介紹MRAM有哪些的優(yōu)劣勢. MRAM優(yōu)勢分析 MRAM的核心面積只有SRAM的1/2-1/4，也就是說同面積下緩存容量是sram的2-4倍，可以大大降低成本。 CPU的性能要想進一步提高，緩存容量也必須跟著提高才能容納更多的數(shù)據(jù)和指令，而緩存占用的核心面積往往比核心
2020-04-09 09:13:145682 結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。英尚微電子作為everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 產品描述
2020-04-15 17:27:05844 隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導體工藝復雜性劇增導致高密度SRAM在先進技術節(jié)點處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲器已成為替代基于SRAM的最后一級高速緩存存儲器的有希望
2020-05-26 11:13:341202 
MRAM內存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運最高1Gb的芯片容量，這種內存密度使這些設備在許多應用中更受關注。Everspin代理商英尚微電子提供產品技術支持及解決方案。 主要的嵌入式半導體制造商為工業(yè)和消費應用中使用的嵌入式產品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 （STT-MRAM）。這些技術提供了密集的位單元（“1T1R”），并通過改變單元的靜態(tài)電阻來操作，這種電阻是通過材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當單元被訪問時，讀操作感知電阻大小，大大降低單元電流。理想情況下，兩個電阻之間的比率非常高，以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:334465 Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。為云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場提供了上億只MRAM和STT-MRAM
2020-07-13 11:25:581037 行良好的MTJ設計和測試。Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的，為汽車、工業(yè)和軍事。云存儲等行業(yè)等提供了大量可靠優(yōu)質的MRAM，STT-MRAM存儲芯片。Everspin一級代理商接下來介紹Everspin MRAM器件的
2020-07-17 13:56:10453 
隨著有希望的非易失性存儲器架構的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術
2020-08-04 17:24:263389 ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面均處于市場領先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產量。 鑄造廠需要傳統(tǒng)的CMOS制造中不使用的新設備，例如離子束蝕刻，同時提高MTJ位單元的可靠性，以支持某些應用所需的大（1Mbit?256Mbit）存儲器陣列密度
2020-08-05 14:50:52389 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，離取代一般存儲器還有一段路要走，另一種比較可行的應用，是把STT－MRAM嵌入其他系統(tǒng)芯片，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高，有助于提高邏輯芯片內的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00593 -RAM還解決了第一代現(xiàn)場交換MRAM的主要缺點。 STT-RAM作為通用的可擴展存儲器具有巨大的潛在市場。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的閃存，32nm的DRAM，并最終取代NAND。STT-RAM是一項很有
2020-08-10 15:30:20832 Everspin是設計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。 在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗以及在平面內和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434 MRAM是一種非易失性存儲技術，可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應用?；?b class="flag-6" style="color: red">MRAM的設備可以為黑匣子應用提供解決方案，因為它以SRAM的速度
2020-09-18 14:25:181049 
中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品。Everspin一級代理英尚微電子提供產品相關技術支持。 MRAM涉及汽車應用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時收集和存儲更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。 使用傳感器的汽車應用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)
2020-09-18 14:13:16698 Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質有以下幾大優(yōu)勢： 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:322609 。 MRAM替代SRAM做L2高速緩存 首先比較具有同樣面積的MRAM和SRAM。直接用相同面積的MRAM替換SRAM作L2高速緩存能降低錯誤率。但是寫入延時較長。當寫入操作強度高時，錯誤率降低的優(yōu)勢會被長延時所抵消導致性能下降。雖然這種直接替代能大大降低漏功耗，但當寫
2020-11-09 16:46:48628 MRAM因具有許多優(yōu)點，有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。然而MRAM寫入操作的長延時和較高的功耗成為其瓶頸，阻礙了其性能的進一步提高。讀取優(yōu)先
2020-11-17 16:31:48419 
本文由everspin代理宇芯電子介紹關于新型的芯片架構，將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應用于芯片架構設計中，與傳統(tǒng)芯片架構相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態(tài)功耗，延長手持設備的在線工作
2020-11-20 15:20:24512 
來極化電流的技術。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來使用超精細工藝生產的MRAM的技術，可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器，微控制器和片上
2020-11-20 15:23:46791 最初的MRAM都是用微電磁線圈產生電磁場，使自由層的磁矩方向反轉來進行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復雜的結構大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程，因此當時MRAM的存貯密度遠遠不及DRAM和SRAM
2020-12-07 14:24:00665 在ISSCC 2020上臺積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環(huán)的寫入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 Everspin Technologies，Inc是設計制造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin MRAM產品
2021-01-16 11:28:23531 仍讓它無法滿足高速RAM應用必須兼具高速寫入、無限耐久性，以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級類型的MRAM設備。與常規(guī)設備相比，STT-MRAM可實現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對于
2021-12-11 14:47:44519 Everspin Technologies，Inc是設計制造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯電子介紹關于新型的芯片架構,將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應用于芯片架構設計中,與傳統(tǒng)芯片架構相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是設計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。在磁存儲器設計，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產品。STT-MRAM存儲的結構簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-05 16:00:291208 
MRAM可能是非易失性存儲技術的下一個大事件。該技術利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關系。本質上，當兩個磁鐵靠近時，它們的電阻會發(fā)生變化，這取決于它們的磁極相對于另一個磁極的位置。
2022-07-25 16:04:33836 everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。
2022-11-17 14:23:282461 
在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內的先進技術節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。
2022-11-17 14:32:39444 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。
2022-11-29 15:57:581325 Everspin的xSPI STT-MRAM產品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時鐘頻率高達200MHz。這些持久存儲器MRAM設備在單個1.8V電源
2022-12-08 16:07:20400 Netsol是一家成立于2010年的無晶圓廠IC設計和營銷公司。在下一代存儲器解決方案方面處于世界領先地位，特別是在STT-MRAM方面。憑借強大的開發(fā)能力，為廣泛的應用程序提供定制/優(yōu)化的內存
2023-01-31 15:53:37225 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序，至少應用于數(shù)量引腳。它具有優(yōu)異的性能和非易失特性。詳情請洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應用程序來說，這是最理想的內存。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲器，在工業(yè)設備中至關重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應用程序來說，這是合適的內存。適用于工業(yè)設備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136 STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 
目前三星仍然是全球專利第一，2002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調。
2023-11-22 14:43:53213 
目前，蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺積電能達成緊密合作，預示臺積電將繼續(xù)增加 5nm產能至該節(jié)點以滿足客戶需求，這標志著其在3nm制程領域已經超越競爭對手三星及英特爾。
2024-03-19 14:09:0367
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