MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫(xiě)性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫(xiě)入信息
2021-07-26 08:30:00
8872 
三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲(chǔ)器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預(yù)計(jì)
2016-08-01 11:04:32953 9月13日，晶圓代工廠聯(lián)電宣布，手美商 Avalanche Technology，推出采 22 納米制程生產(chǎn)的自旋轉(zhuǎn)移矩磁性內(nèi)存 (STT-MRAM)，將應(yīng)用于航天等領(lǐng)域。9月12日，外媒報(bào)道，美國(guó)
2022-09-13 13:38:155194 
隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中
2023-11-14 09:28:10419 
研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點(diǎn)上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
，這使其能夠在耐久性方面提高多個(gè)數(shù)量級(jí)，從而提高了性能。Everspin Technologies 是設(shè)計(jì)制造離散和嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域
2020-08-12 17:42:01
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
STT-MRAM萬(wàn)能存儲(chǔ)器芯片
2021-01-06 06:31:10
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲(chǔ)技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫(xiě)性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫(xiě)入信息
2021-12-10 07:06:51
Eversipn STT-MRAM的MJT細(xì)胞
2021-02-24 07:28:54
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢(qián)德勒，主要是設(shè)計(jì)和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)
2020-08-31 13:59:46
自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-MRAM）是一種持久性存儲(chǔ)技術(shù)，可利用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
開(kāi)啟下一波儲(chǔ)存浪潮STT-MRAM（又稱自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)）具有在單一元件中，結(jié)合數(shù)種常規(guī)存儲(chǔ)器的特性而獲得市場(chǎng)重視。在多年來(lái)的發(fā)展中發(fā)現(xiàn)，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲(chǔ)器的穩(wěn)定性與耐久性。STT-MRAM是透過(guò)電子自旋的磁性特性，在芯片中提供非揮發(fā)性儲(chǔ)存的功能。
2019-10-02 07:00:00
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
萌新求助，求一個(gè)基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
2021-10-25 07:33:36
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
耐久性。該算法如圖6所示。 圖6.智能寫(xiě)操作算法，顯示動(dòng)態(tài)組寫(xiě)和帶寫(xiě)驗(yàn)證的多脈沖寫(xiě)。 MRAM數(shù)據(jù)可靠性 在基于自旋的STT-MRAM的許多應(yīng)用中，磁場(chǎng)干擾是一個(gè)潛在的問(wèn)題。該解決方案是在封裝上沉積
2020-07-02 16:33:58
The PM004M is Mbit of SPI/QPI (serial/quad parallel interface) MRAM device. This device
2022-07-05 16:48:31
近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。
2017-05-09 01:07:311346 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2018-05-29 15:42:002282 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲(chǔ)加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應(yīng)用程序啟用低延遲寫(xiě)入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003220 來(lái)源：全球SSD 上周，在第64屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。 首先，我們來(lái)了解一下 MRAM (Magnetic
2018-12-17 16:09:01147 IMEC進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以確定5nm節(jié)點(diǎn)上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格，并得出了一個(gè)結(jié)論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:543981 
研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點(diǎn)上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用更重要。 半導(dǎo)體行業(yè)著名機(jī)構(gòu)IMEC
2019-04-22 15:51:321089 
Everspin 近日宣布，其已開(kāi)始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機(jī)存取器。
2019-06-27 08:59:439837 群聯(lián)電子宣布與Everspin策略聯(lián)盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群聯(lián)的企業(yè)級(jí)SSD儲(chǔ)存解決方案。
2019-08-13 19:07:023313 與過(guò)去相比，研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲(chǔ)器關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化工藝的一個(gè)選項(xiàng)，例如DRAM的柱體結(jié)構(gòu)及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分，IMEC的研發(fā)工程師Murat Pak提出了幾種STT-MRAM關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化方案。
2019-09-05 11:45:007207 通過(guò)使用較小的電流和電壓來(lái)控制MTJ的磁對(duì)準(zhǔn)，可以降低器件功耗。但是，自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM（STT-MRAM）的問(wèn)題在于，當(dāng)其寫(xiě)入速度很高時(shí)，其電壓會(huì)使用大量功率迅速增加。
2020-02-29 17:26:502343 
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142310 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 在不久的將來(lái)，我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現(xiàn)在諸如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、微控制器(MCU)、汽車(chē)、邊緣運(yùn)算和人工智能(AI)等應(yīng)用中。美國(guó)EVERSPIN還提供了幾種獨(dú)立的MRAM
2020-03-25 15:27:15449 ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù)，因?yàn)樗且环N高性能存儲(chǔ)器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴(kuò)展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 Everspin是專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，在包括40nm，28nm及更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07579 Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。擁有超過(guò)600多項(xiàng)有效專(zhuān)利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-04-15 17:27:05844 隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲(chǔ)器已成為替代基于SRAM的最后一級(jí)高速緩存存儲(chǔ)器的有希望
2020-05-26 11:13:341202 
MRAM內(nèi)存的Everspin開(kāi)始向STT-MRAM發(fā)運(yùn)最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲(chǔ)器選項(xiàng)。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 （STT-MRAM）。這些技術(shù)提供了密集的位單元（“1T1R”），并通過(guò)改變單元的靜態(tài)電阻來(lái)操作，這種電阻是通過(guò)材料的“Write1”和“Write0”脈沖電流和大小引起。當(dāng)單元被訪問(wèn)時(shí)，讀操作感知電阻大小，大大降低單元電流。理想情況下，兩個(gè)電阻之間的比率非常高，以加速讀取操作。
2020-06-30 11:01:334470 存儲(chǔ)器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。 MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)，在許多應(yīng)用中獲得了
2020-07-13 11:25:581037 行良好的MTJ設(shè)計(jì)和測(cè)試。Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的，為汽車(chē)、工業(yè)和軍事。云存儲(chǔ)等行業(yè)等提供了大量可靠?jī)?yōu)質(zhì)的MRAM，STT-MRAM存儲(chǔ)芯片。Everspin一級(jí)代理商接下來(lái)介紹Everspin MRAM器件的
2020-07-17 13:56:10453 
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有600多項(xiàng)有效專(zhuān)利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在平面和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511 隨著有希望的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲(chǔ)器，新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過(guò)將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)
2020-08-04 17:24:263389 ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面均處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。本篇文章everspin代理宇芯電子要介紹的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造產(chǎn)量。 鑄造廠需要傳統(tǒng)的CMOS制造中不使用的新設(shè)備，例如離子束蝕刻，同時(shí)提高M(jìn)TJ位單元的可靠性，以支持某些應(yīng)用所需的大（1Mbit?256Mbit）存儲(chǔ)器陣列密度
2020-08-05 14:50:52389 新興MRAM市場(chǎng)的主要參與者之一已經(jīng)開(kāi)發(fā)了專(zhuān)有技術(shù)，該技術(shù)表示將通過(guò)增加保持力并同時(shí)降低電流來(lái)增強(qiáng)任何MRAM陣列的性能。 自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)（STT）的進(jìn)動(dòng)自旋電流（PSC）結(jié)構(gòu)，它有潛力提高MRAM
2020-08-18 17:34:53712 
Everspin主要是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷(xiāo)售MRAM和STT-MRAM的領(lǐng)先者，其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源
2020-08-17 14:42:142309 Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場(chǎng)和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434 中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。Everspin一級(jí)代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 MRAM涉及汽車(chē)應(yīng)用。對(duì)于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時(shí)收集和存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車(chē)輛事故或故障的原因。 使用傳感器的汽車(chē)應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫(xiě)入數(shù)據(jù)
2020-09-18 14:13:16698 Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類(lèi)非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢(shì)： 1. 非易失性存儲(chǔ)器
2020-09-19 11:38:322609 隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，芯片工藝制程的不斷演進(jìn)和成本的不斷降低，半導(dǎo)體芯片廣泛應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)、個(gè)人終端、汽車(chē)電子、可穿戴設(shè)備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等各個(gè)領(lǐng)域。 隨著芯片工藝的逐步升級(jí)，性能問(wèn)題已不在是芯片
2020-11-09 16:44:531223 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu)，將嵌入式磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中，與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態(tài)功耗，延長(zhǎng)手持設(shè)備的在線工作
2020-11-20 15:20:24512 
自旋傳遞扭矩RAM（STT-MRAM）它結(jié)合了非易失性，出色的可擴(kuò)展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫(xiě)功能。 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩（STT）寫(xiě)入是一種通過(guò)對(duì)齊流過(guò)磁性隧道結(jié)（MTJ）元件的電子的自旋方向
2020-11-20 15:23:46791 最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場(chǎng)，使自由層的磁矩方向反轉(zhuǎn)來(lái)進(jìn)行0、1數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進(jìn)程，因此當(dāng)時(shí)MRAM的存貯密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及DRAM和SRAM
2020-12-07 14:24:00665 在ISSCC 2020上臺(tái)積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個(gè)循環(huán)的寫(xiě)入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場(chǎng)干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品
2021-01-16 11:28:23531 仍讓它無(wú)法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫(xiě)入、無(wú)限耐久性，以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM（也稱為STT-RAM或有時(shí)稱為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級(jí)類(lèi)型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比，STT-MRAM可實(shí)現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對(duì)于
2021-12-11 14:47:44519 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場(chǎng)和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 近日中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。
2022-01-26 19:41:352 STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 Everspin科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計(jì)， 制造嵌入式磁阻 RAM （MRAM） 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM （STT-MRAM） 的生產(chǎn)商，自從Everspin第一款產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，由于MRAM
2022-03-15 15:45:22527 MRAM可能是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的下一個(gè)大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對(duì)極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上，當(dāng)兩個(gè)磁鐵靠近時(shí)，它們的電阻會(huì)發(fā)生變化，這取決于它們的磁極相對(duì)于另一個(gè)磁極的位置。
2022-07-25 16:04:33836 三星半導(dǎo)體宣布，通過(guò)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了基于MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)）的存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算（In-Memory Computing），進(jìn)一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術(shù)。
2022-11-10 12:16:21542 everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專(zhuān)利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。
2022-11-17 14:23:282461 
在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。
2022-11-17 14:32:39444 
反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性，但在宏觀尺度上卻沒(méi)有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒(méi)有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。
2022-11-17 14:58:46921 
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時(shí)鐘頻率高達(dá)200MHz。這些持久存儲(chǔ)器MRAM設(shè)備在單個(gè)1.8V電源
2022-12-08 16:07:20400 Netsol是一家成立于2010年的無(wú)晶圓廠IC設(shè)計(jì)和營(yíng)銷(xiāo)公司。在下一代存儲(chǔ)器解決方案方面處于世界領(lǐng)先地位，特別是在STT-MRAM方面。憑借強(qiáng)大的開(kāi)發(fā)能力，為廣泛的應(yīng)用程序提供定制/優(yōu)化的內(nèi)存
2023-01-31 15:53:37226 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限耐用性。醫(yī)療器械理想的存儲(chǔ)器用于快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，至少應(yīng)用于數(shù)量引腳。它具有優(yōu)異的性能和非易失特性。詳情請(qǐng)洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲(chǔ)器，在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，這是合適的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136 在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 
MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程。可以記錄系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫(xiě)入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
鑒于AI、5G新時(shí)代的到來(lái)以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)。
2024-01-18 14:44:00838 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類(lèi)似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類(lèi)：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。
2024-01-22 10:50:50123 
臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類(lèi)似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開(kāi)發(fā)出具有快速讀寫(xiě)能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列。
2024-03-05 10:05:46199 
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