9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:555462 臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295044 SanDisk于日前表示，正與東芝（Toshiba）合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠（Fab 5）第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米（nm）節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸，預(yù)做準(zhǔn)備。
2013-07-16 09:17:15966 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512064 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢(shì)，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0640846 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154035 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
求大神賜個(gè)全面的3D PCB封裝庫(kù)（PCB封裝附帶3D模型）！！！~
2015-08-06 19:08:43
這段時(shí)間以來，最熱的話題莫過于iPhone X的Face ID，關(guān)于用它刷臉的段子更是滿天飛。其實(shí)iPhone X 實(shí)現(xiàn)3D視覺刷臉是采用了深度機(jī)器視覺技術(shù)(亦稱3D機(jī)器視覺)。由于iPhone X的推動(dòng)，3D視覺市場(chǎng)或許將被徹底的激活。
2019-07-25 07:05:48
什么是3D圖形芯片？3D圖像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
你好! 現(xiàn)在我有個(gè)問題想請(qǐng)教大家， 我怎么做一個(gè)3D圖像的渦輪扇葉然后通過控制器調(diào)整它的速度然后再3D圖像中開始轉(zhuǎn)并且根據(jù)控制量改變?cè)?b class="flag-6" style="color: red">3D圖像中轉(zhuǎn)的快慢？怎么在3D圖像中仿真水平面 并且有相應(yīng)的變化！希望大家能給我有任何指教！
2016-11-30 23:25:31
一些3D模型，蠻有用的，對(duì)PCB 3D模型有興趣的捧友來看看
2013-06-22 10:50:58
3D打印將精準(zhǔn)的數(shù)字技術(shù)、工廠的可重復(fù)性和工匠的設(shè)計(jì)自由結(jié)合在一起，解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對(duì)當(dāng)下3D打印技術(shù)帶來便利的總結(jié)，節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實(shí)》一書。虎嗅會(huì)繼續(xù)摘編該書精華。
2019-07-09 07:02:03
`LABVIEW的3D控件是如何創(chuàng)建的，請(qǐng)各位大俠幫忙一下`
2013-06-25 15:35:01
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
3D模型基礎(chǔ)
2021-01-28 07:50:30
我公司專業(yè)從事3D全息風(fēng)扇研發(fā)生產(chǎn)，主要生產(chǎn)供應(yīng)3D全息風(fēng)扇PCBA，也可出售整機(jī)，其他配件可免費(fèi)提供供應(yīng)商信息或者代購(gòu)，歡迎咨詢 劉先生：*** 微信同號(hào)3d全息風(fēng)扇燈條3d全息風(fēng)扇PCBA3D全息風(fēng)扇方案本廣告長(zhǎng)期有效
2019-08-02 09:50:26
的存儲(chǔ)成本。在認(rèn)識(shí)到不斷縮小的光刻技術(shù)的擴(kuò)展局限性之后，需要一種新的方法來增加每個(gè)設(shè)備的密度，同時(shí)降低每 GB 的相對(duì)成本，此時(shí)便出現(xiàn)了3D NAND FLASH。16nm制程以上的閃存如28nm多屬
2020-11-19 09:09:58
`AD16的3D封裝庫(kù)問題以前采用封裝庫(kù)向?qū)傻?b class="flag-6" style="color: red">3D元件庫(kù)，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設(shè)置都沒有改變，怎么生成的3D庫(kù)就沒有管腳了呢？請(qǐng)問是什么原因？需要怎么處理，才能和原來一樣？謝謝！沒管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
Altium designer summer 09 怎么建立3D庫(kù)，及PCB怎么導(dǎo)出3D圖，請(qǐng)教各位前輩們
2016-11-23 19:48:22
在AD14中3D的要導(dǎo)入元件庫(kù)中，有的插件為什么就是放不到對(duì)應(yīng)的焊盤中去。如圖所示。
2017-06-22 09:37:34
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
第一幅圖是加了.step文件后的樣子。第二幅圖是加載這個(gè)自建庫(kù)后的pcb預(yù)覽。在沒加3D元件時(shí)。自定義庫(kù)是可以用，可預(yù)覽的。加了3D元件后，工程文件使用了后預(yù)覽并沒有顯示出3D的形式。這是怎么回事
2019-09-04 04:36:03
當(dāng)3D電影已成為影院觀影的首選，當(dāng)3D打印已普及到雙耳無線藍(lán)牙耳機(jī)，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會(huì)一臉茫然，這個(gè)3D微波是應(yīng)用在哪個(gè)場(chǎng)景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
PS：Labview 版本是2014 最近開始測(cè)試 Labview的3D相關(guān)的功能。 制作3D 對(duì)象，然后顯示。 導(dǎo)入3D對(duì)象 ，然后顯示。那個(gè) 3D圖是Solidework里面導(dǎo)出來的。主要那個(gè)格式97的。
2015-12-23 22:00:10
怎么創(chuàng)建3D模型
2019-09-17 05:35:50
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時(shí)候封裝會(huì)遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫(kù)?復(fù)制到3D庫(kù)不能用.`
2013-08-21 12:42:02
3D打印技術(shù)是綜合了三維數(shù)字技術(shù)、控制技術(shù)、信息技術(shù)眾多技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)，具有設(shè)計(jì)樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點(diǎn)。通過數(shù)字化設(shè)計(jì)工具+3D打印技術(shù)相結(jié)的模式，可以幫助企業(yè)高效實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新
2021-05-27 19:05:15
差異。步驟一：點(diǎn)選「比較模型」功能在浩辰3D軟件的開始菜單中，選擇「工具」選項(xiàng)卡，并且點(diǎn)選「比較模型」功能。輸入?yún)⒖寄Ｐ秃凸ぷ髂Ｐ偷奈募畔ⅰＨ绻麉⒖寄Ｐ痛嬖谛薷暮螅幢４娴那闆r，則按照提示進(jìn)行保存
2020-12-15 13:45:18
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
我用ALTIUM10 畫PCB封裝 從網(wǎng)上下載的3D模型怎么導(dǎo)入的時(shí)候顯示不了，前幾天還可以顯示 現(xiàn)在一個(gè)都顯示不了， 是不是弄錯(cuò)了， 手動(dòng)畫3D 又能顯示方塊模型 導(dǎo)入的時(shí)候就一點(diǎn)效果都沒有像沒有導(dǎo)入3D模型一樣， 求大師指點(diǎn)。
2016-07-12 22:48:20
優(yōu)勢(shì)，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來，存儲(chǔ)產(chǎn)品也開始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
在3D模式下能不能隱藏元件的3D，就是3D模式下只能看見PCB板
2019-04-18 05:51:13
SanDisk認(rèn)為，未來10年閃存將發(fā)展到盡頭，3D內(nèi)存技術(shù)將成為閃存的接班人。
SanDisk上周表示，由于閃存具有局限性，它的發(fā)展未來將走到盡頭，SanDisk希望3D讀寫內(nèi)存能夠成為
2008-07-30 14:07:16708 SanDiski推出NAND嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器支持e.MMC 4.4
SanDisk（閃迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4規(guī)格。這些驅(qū)動(dòng)器基于
2010-02-24 16:37:071048 SanDisk將為昔日冤家供應(yīng)閃存芯片產(chǎn)品
據(jù)閃存業(yè)者透露，包括威剛，創(chuàng)見，勁永，以及閃存控制器制造商群聯(lián)在內(nèi)的多家臺(tái)系閃存產(chǎn)品供應(yīng)商已經(jīng)開始從閃存芯片廠商
2010-03-11 11:11:26535 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
北京時(shí)間2月23日晚間消息，東芝周四表示，該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit（16GB）NAND閃存芯片。
2012-02-24 08:39:43650 閃存芯片廠商SanDisk在周二提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)的一份文件中披露，它已經(jīng)與東芝展開合作，聯(lián)合開發(fā)和生產(chǎn)可重復(fù)寫入的3D內(nèi)存。
2013-07-22 15:05:05835 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:11991 市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11633 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4847895 據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度。可見，3D NAND閃存已經(jīng)成為國(guó)際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場(chǎng)”。
2018-07-17 10:34:084865 
三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043196 公布很多技術(shù)細(xì)節(jié)，特別是很少提及具體的制程工藝，除了三星之外其他廠商的3D NAND閃存現(xiàn)在才開始推向市場(chǎng)，代表性產(chǎn)品也不足。?三星：最早量產(chǎn)的V-NAND閃存?三星是NAND閃存市場(chǎng)最強(qiáng)大的廠商
2018-10-08 15:52:39395 11月15日， 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 加利福尼亞州桑尼維爾（ChipWire） - 放棄其先前作為無晶圓廠閃存供應(yīng)商的商業(yè)模式，SanDisk公司在此宣布它將與東芝公司（Toshiba Corp.）建立合資企業(yè)，生產(chǎn)先進(jìn)的閃存產(chǎn)品。此舉
2019-08-13 11:03:174407 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 根據(jù)國(guó)科微官方的消息，國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存儲(chǔ)設(shè)備包含一個(gè)128Gb的48針TSOP封裝。所有可能的配置可能不可用。有關(guān)當(dāng)前零件號(hào)的列表，請(qǐng)參見第0頁(yè)的“市場(chǎng)營(yíng)銷零件
2020-07-01 08:00:006 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:141632 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:592809 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來。
2020-11-19 16:11:182910 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132330 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:443030 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)高密度 NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。目前，這一需求已通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，而且尤其是在過去十年中一直處于存儲(chǔ)討論和發(fā)展中心的 3D NAND 架構(gòu)
2022-07-28 10:12:491704 
在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21865
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