9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1434 。 繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1：NAND閃存隨著SLC，MLC，TLC，QLC發展 3D NAND是當前SSD中常用的閃存技術。換句話說
2019-10-04 01:41:005232 SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:555764 2020年下半年制造48層的3D NAND存儲。然后，該公司計劃在2021年開始出貨96層3D NAND，并在2022年開始出貨192層3D NAND。目前，該公司用于制造NAND的最先進技術是其19納米
2019-12-14 09:51:295357 Western Digital和Kioxia宣布成功開發了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:006377 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231142 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:512210 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436570 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16914 各大原廠已經在2016年研發了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術不成熟以及2D NAND生產線替換問題，如今3D NAND的良品率并不高，總產量也不夠高，因而才引發了當下固態硬盤市場價格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:382952 據外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:401596 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041614 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042371 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002157 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態硬盤產品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355439 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數據為全新的半導體設施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價格下跌疑慮，表示將于9月量產96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425182 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:292771 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。這款176層NAND產品采用美光第五代3D NAND技術和第二代替換柵極架構。
2020-11-13 09:40:163067 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:322617 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業、數據中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:003689 
)KLM8G2FE3B-B001(8GB) KLM8G1GEAC-B001(8GB)(MLC,4.5)KLM8G1GEND-B031(8GB)(MLC,5.0)KLMAG2GE4A-A001(16GB
2020-12-16 17:31:39
)KLM8G2FE3B-B001(8GB) KLM8G1GEAC-B001(8GB)(MLC,4.5)KLM8G1GEND-B031(8GB)(MLC,5.0)KLMAG2GE4A-A001(16GB
2021-01-11 18:16:12
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替傳統使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。據悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
鎂光年中量產25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發部門的經理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511229 據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111074 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術將會在今年成為閃存領域的卓越性技術。
2017-05-03 01:02:501469 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40789 6月29日消息 據外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態硬盤，它是主流的SATA驅動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:05887 目前，東芝和西數先后宣布成功開發基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1394444 
盡管不少用戶對TLC的壽命和穩定性都保持謹慎的態度，但東芝將TLC應用到企業級，卻也表達了東芝對TLC的信心。繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后，就在近日，東芝再將64層堆疊設計的3D TLC閃存帶到了企業級領域，而這也是全球首次。
2017-08-09 15:53:564038 的廠商競爭，以及日經貼般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區別和聯系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據
2017-10-13 20:33:26
6 如果用一個詞來描述2016年的固態硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產引發固態漲價，閃存顆粒的制程問題引發的廠商競爭，以及“日經貼”般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。
2018-06-12 12:13:0015072 
看好64層3D NAND成為今年主流，往后則邁進96層堆疊，群聯今年也持續持升研發能量，預計大幅征才超過200名研發工程師。
2018-07-09 09:52:00619 TLC是一種閃存顆粒的存儲單元，它的英文是TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell。在TLC發明之前，固態硬盤大部分采用SLC和MLC，即Single-Level
2018-06-28 09:19:0042554 （Toshiba）等業者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產的新一代NAND Flash規格特性，控制器業者群聯已備妥對應的解決方案。
2018-06-11 09:16:004585 層數的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4849568 而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到
2018-06-03 09:50:555890 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364947 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。
2018-08-03 16:15:031332 隨著原廠3D技術的快速發展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產96層3D NAND。據DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161373 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-10 09:14:394817 Maxio（杭州聯蕓科技）日前展示了基于Intel 3D QLC閃存的SSD樣品，容量高達4TB。
2018-08-19 11:42:401274 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND
2018-08-29 11:10:009118 
上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注
2018-08-22 16:25:462291 SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043411 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
2018-09-16 10:38:14596 V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是，三星在3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39521 西部數據公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質量、高耐用性的汽車儲存解決方案，
2018-10-18 16:52:411447 推出64層/72層3D NAND，預計從下半年開始將陸續進入量產階段，屆時3D NAND產能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571269 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241950 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345776 
日前有消息稱紫光純國產的SSD硬盤就要上市了，使用是他們研發生產的64層堆棧3D TLC閃存，P/E次數可達1500次，這個技術及規格在主流SSD中已經不低了。
2019-03-15 10:38:455342 國產存儲芯片再下一城，日前有產業鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121769 （高級駕駛輔助系統）、先進信息娛樂系統以及自動駕駛的計算機。新款256GB西部數據TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術，產品生命周期超越了2D NAND，以滿足不斷變化的應用需求和不斷增長的容量需求。
2019-05-14 13:45:113652 現在，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002502 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021173 據悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002832 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09795 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241172 隨著數據量的迅速增大，主流存儲技術也在迅速向前推進中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:11739 紫光集團旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產基于Xtacking？架構的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-10-08 11:29:181486 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321216 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:522838 追求存儲密度以降低存儲成本不斷推動著NAND閃存技術的發展。NAND閃存技術已經從最初的SLC時代，跨越MLC、TLC向QLC時代快速演進，并且從最初的2D平面技術全面切換到3D堆疊技術。而3D NAND閃存技術也從最初的32層堆疊，發展到了目前最新一代的高達128層堆疊。
2020-04-14 15:28:032122 
長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:002953 兩年前，鎂光發布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的固態硬盤，其型號為5210 ION系列。
2020-04-22 11:31:142743 4月28日消息，金士頓剛剛推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固態硬盤新品，采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的慧榮（SMI）2262EB 主控 + 96 層 3D
2020-04-29 14:27:014058 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091295 長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發成功，這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225087 長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發成功。同時發布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421596 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162108 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342118 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212321 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572120 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552875 / s，高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比，讀（寫）延遲提高了35% 以上，與128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開始批量生產
2020-11-13 14:25:131715 及主流用戶選用。 參數方面，閃存是長江存儲64層3D TLC，主控型號是聯蕓MAS 9002A（32位CPU內核、4通道接口、SATA 3.2標準、帶寬560MB/s）。 性能方面，實驗室測得基于主流
2020-11-18 13:00:162834 NAND 應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:132543 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:443256 根據外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術
2020-12-07 16:16:232926 NAND應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的3D NAND將如何發展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:492996 發展至今，NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374023 近日，Intel全球首發了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392310 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術并不一樣，所以堆棧
2021-02-19 18:03:412396 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582232 3D TLC NAND 代表了存儲介質的轉折點，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場擴展到嵌入式行業，該技術需要提供一套可持續的、可擴展的比特糾錯解決方案。
2022-06-10 07:41:001657 
在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152445 
長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:217104 通過實施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來基于 3D TLC NAND 的設備可以保證 SSD 質量和數據完整性。
2022-08-17 11:54:142283 
美光已經在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20596 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392845 全行業正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝，這與學術論文提出和內存行業研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46533 
3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:562174 
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:292215 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:211139 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:471090 目前，鎧俠和西部數據共同研發NAND閃存技術，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。
2024-04-07 15:21:57649 知名存儲品牌美光近日正式宣布，搭載其研發的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術的固態硬盤產品已然問世，并已批量上市，成為全球業內首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產品所采用的堆疊層數高達
2024-07-31 17:11:17644 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144324
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