電子發燒友網綜合報道，RRAM（阻變存儲器）存儲是一種新興的非易失性存儲技術，它基于材料的電阻變化來存儲數據。其存儲單元通常由兩個電極和中間的阻變材料組成。當在電極上施加一定的電壓脈沖時，阻變材料內部的離子會發生遷移，從而導致材料的電阻狀態發生改變，一般可分為高阻態和低阻態，分別對應邏輯 “0” 和 “1”。通過檢測存儲單元的電阻值來讀取存儲的數據。
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RRAM具有讀寫速度較快、低功耗、高密度、耐久性等特點，能夠滿足一些對實時性要求較高的應用場景，如高速數據緩存。能夠實現較高的存儲密度，增加存儲容量。且具有較好的讀寫耐久性。可應用于嵌入式系統的片上存儲、人工智能領域用于存儲神經網絡模型參數，提高訓練和推理的速度等。
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去年，國內面板廠商維信諾宣布完成世界首顆采用嵌入式RRAM（阻變存儲器）存儲技術AMOLED顯示驅動芯片的開發認證。該芯片由維信諾和昇顯微電子聯合開發，合肥高新區企業睿科微電子提供技術支持，采用了睿科微RRAM作為存儲單元，取代了傳統外置存儲器。
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這顆采用嵌入式RRAM存儲技術的新型AMOLED顯示驅動芯片（RRAM阻變存儲器），集Demura SRAM、OTP和Flash三種功能于一體，通過器件本身電阻值的變化來實現存儲功能。新方案相比傳統方案存儲面積可縮減30%，同時取消了外置Flash，采用RRAM技術可隨時“原地”讀取數據，極大地降低了數據傳輸所帶來的消耗，真正實現降本增效。
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近年來，基于RRAM的存算一體芯片的研發成為許多高校、初創企業的方向，它可用于人工智能、智能駕駛等領域，市場潛力巨大。
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清華大學此前宣布研發出首顆基于憶阻器（RRAM）的片上學習存算一體芯片，這一創新技術讓AI計算直接在存儲單元內完成，大幅降低數據搬移的功耗和時間開銷，真正實現計算與存儲合二為一。
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在AI計算領域，憶阻器的優勢尤為顯著。它能夠模擬神經網絡中的突觸行為，使得類腦計算成為可能。?這意味著，未來的AI計算不再依賴龐大的GPU陣列，而是能夠用更加高效、低功耗的方式進行智能學習。
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同時，如何讓憶阻器適應高密度存儲需求，并與先進CMOS工藝兼容，業界正在探索HBM（高帶寬存儲）堆疊技術，將多個憶阻器陣列垂直集成，提高存算一體芯片的計算能力。
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最近，又一家RRAM企業銘芯啟睿獲近近億元天使輪融資，由錦秋基金領投，聯想創投、小米戰投等頭部戰略和財務投資機構共同出資。
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銘芯啟睿成立于2024年5月，主要研發突破傳統架構計算瓶頸的新型RRAM存儲及AI計算技術。銘芯啟睿董事長劉琦指出，相比于傳統內存方案，RRAM的一大特點是，能夠將存儲和計算融為一體，是“存算一體”的重要技術路徑。
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RRAM另一優勢是不需要像傳統存儲器一樣消耗大量能量來維持存儲狀態，整體功耗低。又因為RRAM器件可調制到多個不同電阻狀態，單個存儲單元能存儲多位數據，在未來也極有希望進一步提高存儲密度。
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銘芯啟睿創始團隊由來自于中國科學院集成電路相關核心研究所和行業界的多名資深半導體專家組成，具備芯片研發和產品全流程交付實力，曾創下多項業界記錄，包括全球第一顆14nm RRAM 芯片，全球28nm單芯片最大容量128Mb RRAM，全球最高密度3D VRRAM等。目前該公司的產品聚焦在三個方向——面向AI大模型場景的混合異構存算系統的產品，以及嵌入式IP和獨立式存儲芯片產品等。
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