新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興市場(chǎng)的強(qiáng)力推進(jìn)下，sic的igbt市場(chǎng)替代加快，但是成熟的sic比igbt技術(shù)仍在持續(xù)改善的過程中，為了加快sic的大規(guī)模市場(chǎng)上市企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈條sic正在加快相關(guān)技術(shù)開發(fā)。

其中，成立于2020年的衍梓裝備是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備公司，聚焦于硅基外延環(huán)節(jié)及SiC的晶圓制造環(huán)節(jié)。公司發(fā)展迅速，目前已形成制程段完整設(shè)備矩陣，實(shí)現(xiàn)主要客戶全覆蓋。創(chuàng)新國(guó)內(nèi)技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)設(shè)備的替代和升級(jí)。

衍梓裝備擁有業(yè)界最好的研究開發(fā)組。核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)來自國(guó)際知名的idm， foundry，設(shè)備和材料等大工廠，包括零部件，制作工程，材料，設(shè)備及模擬等領(lǐng)域，具有數(shù)十年的生產(chǎn)和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。公司建設(shè)1000條以上測(cè)試生產(chǎn)線，瞄準(zhǔn)尖端薄膜研究開發(fā)中心、電力、射頻及先進(jìn)制程研究設(shè)備及技術(shù)，與主要客戶形成良好的研究合作能力。

在硅基領(lǐng)域包括微分化和關(guān)注方向，產(chǎn)品差別化sto等離子表面處理設(shè)備，高可靠性的厚設(shè)備；碳化領(lǐng)域硅外延生長(zhǎng)的有特色的技術(shù)創(chuàng)新為重點(diǎn)，產(chǎn)品有硅炭化硅基片處理設(shè)備、硅碳化缺點(diǎn)我電網(wǎng)氧氣制造設(shè)備，sic -硅碳化測(cè)量解決方案等。

衍梓裝備技術(shù)的自主研發(fā)，產(chǎn)品是根據(jù)顧客的要求深入理解的基礎(chǔ)上進(jìn)行技術(shù)革新，可以為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，為客戶提高收率和生產(chǎn)效率，提高產(chǎn)品的一貫性，降低客戶的生產(chǎn)費(fèi)用。

在SiC制造領(lǐng)域，高溫離子注入機(jī)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀MOCVD以及柵氧制備設(shè)備是SiC領(lǐng)域的三大核心設(shè)備。在團(tuán)隊(duì)全力攻關(guān)下，衍梓裝備成功推出低缺陷SiC柵極氧化層制備設(shè)備。

在極端工作條件下，碳化硅器件的可靠性對(duì)保證系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行起著非常重要的作用，主要問題有雪崩失效、短路失效和浪涌失效等。器件的短路失效和浪涌失效除了熱失效原因外，高溫下場(chǎng)氧區(qū)斷裂或鋁熔化破壞柵氧導(dǎo)致柵源短路也是兩個(gè)原因，這對(duì)于沉積、熱氧化工藝也提出了更高的要求。

相較于競(jìng)品所采用含一氧化氮高溫工藝，衍梓裝備設(shè)備采用改進(jìn)工藝，在各項(xiàng)指標(biāo)性能上均具備較強(qiáng)優(yōu)勢(shì)，切實(shí)有效解決產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn)，其優(yōu)勢(shì)包括但不限于：

1、大幅提高晶體管的性能；

2、降低碳化硅氧化層生成成本；

3、大幅提高可靠性；

4、有助于碳化硅器件降低線寬；

5、有效降低對(duì)國(guó)外高溫零部件的依賴；

6、大幅降低碳化硅器件整體成本。

衍梓裝備由此也成為國(guó)內(nèi)第一家推出新一代低缺陷柵氧制備設(shè)備的設(shè)備企業(yè)。