三星今年或將大力推進先進DRAM生產
據悉，三星已經向子公司Semes采購了大量熱壓（TC）鍵合機。作為生產堆疊DRAM、高帶寬內存（HBM）以及DDR5等前沿技術所需設備之一，這種大型訂單預示著三星有望在今年全力拓展先進DRAM產品。
消息透露，自2023年末起，存儲芯片價格逐漸上漲；盡管整個行業陷入衰退期，受服務器和數據中心應用拉動，先進DRAM芯片需求依然穩健。而在另一方面，NAND閃存需求預計將繼續走弱。
考慮到TC鍵合機訂單數量龐大，據知情人士預測，三星還可能擴展訂購廣達制造的Syndion（適用于硅通孔（TSV）蝕刻）及泛林集團的Damascene SABRE 3D設備兩款，也主要用于HBM的制備過程。
此外，據相關媒體報道，三星計劃提升1a、1bDRAM芯片產能。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2326瀏覽量
183868 -
數據中心
+關注
關注
16文章
4860瀏覽量
72383 -
NAND閃存
+關注
關注
2文章
223瀏覽量
22855 -
存儲芯片
+關注
關注
11文章
902瀏覽量
43275
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星電子否認1b DRAM重新設計報道
據報道，三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發了業界對三星電子內存產品策略的新
三星否認重新設計1b DRAM
據DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級
三星1c nm DRAM開發良率里程碑延期
(High Bandwidth Memory 4)內存規劃方面產生影響。 原本，三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結束開發工作并進入量產階段所必需的水平
三星重啟1b nm DRAM設計，應對良率與性能挑戰
近日，據韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀，三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上，全面重新設計新版1b
三星芯片代工新掌門：先進與成熟制程并重
據韓媒報道，三星電子設備解決方案部新任foundry業務總裁兼總經理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內部信中明確提出了三星代工部門的發展策略。 韓真晚強調，三星代工部門要實現先進
三星蘇州先進封裝廠將擴產
近期，據 Business Korea 報道，三星電子正在擴大國內外投資，以強化其先進半導體封裝業務。封裝技術決定了半導體芯片如何適配目標設備，而對于 HBM4 等下一代高帶寬存儲（HBM）產品
三星或重新設計1a DRAM以提升HBM質量
三星電子正面臨嚴峻挑戰，特別是在其半導體業務領域。除了代工業務停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發了廣泛關注。據業內人士透露，為了提升在HBM領域的競爭力，三星可能會著手重新設計部分1a DRAM電路。
三星、SK海力士及美光正全力推進HBM產能擴張計劃
近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存（HBM）的產能擴張計劃。據預測，至2025年，這一領域的新增產量將激增至27.6萬個單位，推動年度總
今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7；三星：HBM3e先進芯片今年量產
1. 三星：HBM3e 先進芯片今年量產，營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量
發表于 08-01 11:08
?875次閱讀
三星電子研發16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管
在今年的IEEE IMW 2024活動中，三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出，已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM，其中
SK海力士與三星將率先量產1c納米DRAM
在近期舉辦的行業盛會Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產計劃，預計在今年年底前，他們將成功實現1c nm制程的批量生產。
三星預估先進芯片封裝業務今年營收將達1億美元乃至更多
根據市場調查機構TrendForce提供的數據，三星在2023年第四季度用於科技品類的DRAM芯片市場占有率已高達45.5%。為了應對數據洪流以及千變萬化的人工智能市場，三星正致力于維持其在高端存儲芯片市場的競爭優勢
三星將Galaxy AI應用于可穿戴設備，提升數字健康體驗
值得關注的是，三星可穿戴設備或將內置AI軟件，助力推進數字健康發展，引領“全新智能健康體驗新時代”。盡管尚未確認此類設備的具體名稱，但結合此前信息，可以推測Galaxy AI
消息稱三星正在整合混合鍵合技術
據業界消息人士透露，為了進一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進混合鍵合技術的整合工作。據悉，應用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區開始安裝先進的混合鍵合
工商網監
評論