UCC21320-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設計用于驅(qū)動高達 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

輸入側(cè)通過 3.75kVRMS 基本隔離柵與兩個輸出驅(qū)動器隔離，具有最小 125V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI）。兩個次級側(cè)驅(qū)動器之間的內(nèi)部功能隔離允許高達 1500VDC 的工作電壓。
*附件：ucc21320-q1.pdf

每個驅(qū)動器都可以配置為兩個低側(cè)驅(qū)動器、兩個高側(cè)驅(qū)動器或一個具有可編程死區(qū)時間 （DT） 的半橋驅(qū)動器。一個禁用引腳可同時關(guān)閉兩個輸出，并在保持開路或接地狀態(tài)時允許正常作。作為故障安全措施，初級側(cè)邏輯故障會強制兩個輸出為低電平。

每個器件都接受高達 25V 的 VDD 電源電壓。3V 至 18V 的寬輸入 VCCI 范圍使驅(qū)動器適合與模擬和數(shù)字控制器連接。所有電源電壓引腳均具有欠壓鎖定 （UVLO） 保護。

憑借所有這些高級功能，UCC21320-Q1 可實現(xiàn)高效率、高功率密度和穩(wěn)健性。

特性

• 4A 峰值拉電流、6A 峰值灌電流輸出
• 3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍，可與數(shù)字和模擬控制器連接
• 高達 25V VDD 輸出的驅(qū)動電源
• 切換參數(shù)：
  • 33ns 典型傳播延遲
  • 20ns 最小脈沖寬度
  • 6ns 最大脈寬失真
• 共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI） 大于 125V/ns
• 通用：雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動器
• 可編程重疊和死區(qū)時間
• 寬體 SOIC-14 （DWK） 封裝
  • 驅(qū)動器通道之間的間距為 3.3mm
• 結(jié)溫范圍 –40 至 +150°C
• TTL 和 CMOS 兼容輸入
• 快速禁用電源排序
• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結(jié)果如下
  • 設備溫度等級 1

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC0-Q是一款A源電流、6A漏電流、.5kV RMS隔離的雙通道柵極驅(qū)動器，專為汽車電子應用設計。該驅(qū)動器能夠驅(qū)動MOSFET、IGBT和SiC MOSFET，適用于HEV和BEV電池充電器、隔離轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和太陽能逆變器等應用。

二、主要特性

• ?雙通道設計?：支持雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動配置。
• ?寬輸入電壓范圍?：輸入VCCI電壓范圍為3V至8V，適用于數(shù)字和模擬控制器接口。
• ?高輸出驅(qū)動能力?：每通道高達A的源電流和A的漏電流。
• ?高隔離電壓?：.5kV RMS基本隔離屏障，CMTI大于5V/ns。
• ?可編程重疊和死區(qū)時間?：通過DT引腳實現(xiàn)可編程死區(qū)時間控制。
• ?快速禁用功能?：禁用引腳可同時關(guān)閉兩個輸出，實現(xiàn)快速電源排序。
• ?AEC-Q認證?：符合汽車應用標準，溫度等級為級。

三、應用領(lǐng)域

• HEV和BEV電池充電器
• 隔離轉(zhuǎn)換器（DC-DC和AC-DC電源供應）
• 電機驅(qū)動和DC-to-AC太陽能逆變器
• 不間斷電源（UPS）

四、功能描述

• ?雙通道靈活性?：每個通道可獨立配置為低側(cè)、高側(cè)或半橋驅(qū)動，適用于多種拓撲結(jié)構(gòu)。
• ?高CMTI?：確保在高噪聲環(huán)境中穩(wěn)定工作。
• ?可編程死區(qū)時間?：防止半橋或H橋電路中的直通現(xiàn)象。
• ?UVLO保護?：輸入和輸出側(cè)均具備欠壓鎖定保護，確保在供電不足時關(guān)閉輸出。
• ?快速禁用?：通過禁用引腳實現(xiàn)快速關(guān)閉，提高系統(tǒng)安全性。

五、典型應用

文檔提供了一個典型的半橋應用電路，展示了UCC-Q1如何驅(qū)動SiC MOSFET。同時，還提供了詳細的設計要求、設計步驟和布局指南，幫助用戶實現(xiàn)可靠的系統(tǒng)設計。

六、電源推薦

• ? 輸入供電電壓（VCCI） ?：推薦范圍為V至V，需使用低ESR/ESL的陶瓷電容旁路至GND。
• ? 輸出供電電壓（VDDA/VDDB） ?：最高可達V，需使用低ESR/ESL的陶瓷電容旁路至相應的VSSA/VSSB。

七、布局指南

• ?組件放置?：旁路電容應盡可能靠近VCCI、VDDA/VDDB和相應的GND/VSSA/VSSB引腳放置。
• ?最小化寄生電感?：驅(qū)動器應盡可能靠近被驅(qū)動的功率半導體，以減小寄生電感。
• ?避免噪聲耦合?：確保隔離屏障區(qū)域的PCB設計不會降低隔離性能，避免在隔離屏障下方放置PCB走線或銅層。
• ?熱設計?：在高功率密度應用中，需考慮散熱設計，確保器件結(jié)溫不超過最大允許值。