LM5114 設計用于驅動升壓型配置中的低側 MOSFET 或驅動 隔離拓撲中的次級同步 MOSFET。具有強大的灌電流能力， LM5114 可以并聯驅動多個 FET。LM5114 還具有驅動所需的功能 低側增強模式 氮化鎵 （GaN） FET。LM5114 提供反相和 同相輸入，滿足單個反相和同相柵極驅動要求 設備類型。LM5114 的輸入與 TTL/CMOS 邏輯兼容，可承受輸入電壓 到 14 V，與 VDD 電壓無關。LM5114 具有分離柵極輸出，可靈活地實現 單獨調整 Turnon 和 Turning Off 強度。LM5114 具有快速開關速度和 最小化了傳播延遲，促進了高頻作。LM5114 采用 6 引腳 SOT-23 封裝和 6 引腳 WSON 封裝，帶有外露焊盤以幫助散熱。
*附件：lm5114.pdf

特性

• 獨立的源電流和灌電流輸出，可實現
  可控的上升和下降時間
• 4V 至 12.6V 單電源
• 7.6A/1.3A 峰值灌電流和拉電流驅動電流
• 0.23-Ω 開漏下拉灌電流輸出
• 2 Ω 漏極開路上拉源輸出
• 12ns（典型值）傳播延遲
• 反相和
  同相輸入之間的匹配延遲時間
• TTL/CMOS 邏輯輸入
• 0.68V 輸入遲滯
• 高達 14V 的邏輯輸入（與 VDD 電壓無關）
• 低輸入電容：2.5pF（典型值）
• –40°C 至 125°C 工作溫度范圍
• 與 MAX5048 引腳對引腳兼容
• 6 引腳 SOT-23 封裝

參數

方框圖

一、產品概述

• ?型號?：LM
• ?類型?：單通道.A峰值電流低側柵極驅動器
• ?特點?：
  • 獨立源和沉輸出，適用于升壓配置或隔離拓撲中的次級同步MOSFET驅動
  • .A峰值沉電流和.A峰值源電流能力
  • TTL/CMOS兼容邏輯輸入，可承受高達V的輸入電壓
  • 分裂柵極輸出，可獨立調整開通和關斷強度
  • 2ns（典型值）傳播延遲
  • -0°C至5°C的工作溫度范圍
  • 提供SOT-和WSON封裝選項

二、應用領域

• 升壓轉換器
• 反激和正激轉換器
• 隔離拓撲中的次級同步FET驅動
• 電機控制

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：柵極驅動供電
• ?VSS?：地，所有信號參考此引腳
• ?IN?：非反相邏輯輸入，未使用時連接到VDD
• ?INB?：反相邏輯輸入，未使用時連接到VSS
• ?P_OUT?：源電流輸出，連接到MOSFET柵極
• ?N_OUT?：沉電流輸出，連接到MOSFET柵極
• ?UVLO?：欠壓鎖定功能，當VDD低于閾值時禁用輸出

四、電氣特性

• ?VDD工作范圍?：V至.V
• ?輸入閾值?：
  • VIN_H（輸入高閾值）：LM4A為.7×VDD，LM4B為.V
  • VIN_L（輸入低閾值）：LM4A為.3×VDD，LM4B為.V
  • 輸入滯回：LM4A為.8V，LMB為0.V
• ?輸出特性?：
  • 峰值源電流：.A
  • 峰值沉電流：.A
  • 輸出泄漏電流：N_OUT為微安級，P_OUT為微安級
• ?傳播延遲?：
  • 開通傳播延遲：LMA為0ns（典型值），LM4B為ns（典型值）
  • 關斷傳播延遲：LMA為0ns（典型值），LM4B為ns（典型值）

五、保護功能

• ?UVLO?：欠壓鎖定功能，當VDD電壓低于UVLO閾值時，輸出被關斷以防止不正常工作。

六、典型應用

• 提供了升壓DC-DC轉換器的典型應用電路，使用LM4驅動0V增強型GaN FET。
• 詳細描述了設計要求和設計過程，包括功率耗散計算、柵極驅動電阻選擇等。

七、布局指南

• 推薦將驅動器盡可能靠近MOSFET放置，以最小化柵極驅動回路的電感。
• 推薦在VDD和VSS之間放置低ESR/ESL陶瓷電容器，以支持FET開通時的高峰值電流。
• 提供了布局示例，展示了如何優化PCB布局以減少噪聲和提高性能。

八、文檔與支持

• 提供了相關技術文檔、工具、軟件和社區資源的鏈接。
• 提供了靜電放電警示和術語表。