LM27222 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET 驅動器，旨在以推挽方式驅動 MOSFET 同步降壓穩(wěn)壓器中常用的配置。LM27222 獲取 PWM 輸出 ，并為功率級 MOSFET 提供適當?shù)臅r序和驅動電平。 自適應擊穿保護可防止損壞并提高效率，從而降低擊穿電流， 從而確保能夠與幾乎任何 MOSFET 一起使用的穩(wěn)健設計。自適應 擊穿保護電路還將死區(qū)時間降低至 10ns，確保 最高的運行效率。LM27222 的每個驅動器的峰值拉電流和吸收電流 分別約為 3A 和 4.5Amps，Vgs 為 5V。系統(tǒng)性能也通過以下方式得到增強 將傳播延遲保持在 8ns。在所有負載電流下，效率再次提高 通過 LEN 引腳支持同步、非同步和二極管仿真模式。最小值 在 MOSFET 輸出端實現(xiàn)的輸出脈沖寬度低至 30ns。這將使 降壓穩(wěn)壓器設計中具有非常高的轉換比的工作頻率。要支持低 電源狀態(tài)在筆記本電腦系統(tǒng)中，當 IN 和 LEN 時，LM27222僅從 5V 電源軌吸收 5μA 的電流 inputs 為低電平或浮動。
*附件：lm27222.pdf

特性

• 自適應擊穿保護
• 10ns 死區(qū)時間
• 8ns 傳播延遲
• 30ns 最小導通時間
• 0.4Ω 下拉和 0.9Ω 上拉驅動器
• 4.5A 峰值驅動電流
• MOSFET 容錯設計
• 5μA 靜態(tài)電流
• 降壓配置中的最大輸入電壓為 30V
• 4V 至 6.85V 工作電壓
• SOIC-8 和 WSON 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產品概述

LM是一款高速雙N溝道MOSFET驅動器，專為同步降壓（buck）轉換器中的推挽配置設計。它具備自適應射極跟隨保護、低傳播延遲、高峰值驅動電流等特性，適用于高電流降壓和升壓轉換器、快速瞬態(tài)DC/DC電源供應器、單端正向整流輸出以及CPU和GPU核心電壓調節(jié)器等應用。

二、主要特性

• ?自適應射極跟隨保護?：防止射極跟隨電流損壞，提高效率，減少射極跟隨時間至ns。
• ?低傳播延遲?：ns的傳播延遲，支持高頻率操作。
• ?高峰值驅動電流?：每路驅動器提供約A的峰值源電流和.A的峰值漏電流。
• ?低靜態(tài)電流?：僅μA的靜態(tài)電流，降低功耗。
• ?寬輸入電壓范圍?：V至.V的操作電壓范圍。
• ?高電壓耐受?：最大V的輸入電壓。
• ?多種封裝形式?：提供SOIC-和WSON-封裝選項。

三、引腳功能

• ?SW?：高端驅動器返回，應連接到高端和低端MOSFET的公共節(jié)點。
• ?HG?：高端柵極驅動輸出，連接到高端MOSFET的柵極。
• ?CB?：自舉引腳，接受自舉電壓以供電高端驅動器。
• ?IN?：接受來自控制器的PWM信號，有效高電平。
• ?LEN?：低端柵極使能，有效高電平。
• ?VCC?：連接到+V電源。
• ?LG?：低端柵極驅動輸出，連接到低端MOSFET的柵極。
• ?GND?：接地。

四、電氣特性

• ?操作靜態(tài)電流?：IN=V, LEN=V時為μA；IN=V, LEN=V時為μA至μA。
• ?高/低端驅動器的峰值拉電流和拉下電流?：分別為A和.A。
• ?上升和下降時間?：約ns和ns（對于.nF負載電容）。
• ?最小正輸出脈沖寬度?：ns。

五、功能描述

• ?自適應射極跟隨保護?：確保高端和低端MOSFET不會同時導通，減少射極跟隨電流損失，提高效率。
• ?低傳播延遲?：支持高頻操作，提高系統(tǒng)性能。
• ?高峰值驅動電流?：快速切換大功率MOSFET，減少開關損失。
• ?多模式支持?：支持同步、非同步和二極管仿真模式，通過LEN引腳控制。

六、應用信息

• ?典型應用?：與LM等控制器配合使用，實現(xiàn)高效率、高頻率的DC/DC轉換。
• ?布局指南?：推薦將驅動器靠近MOSFET放置，使用短而粗的走線連接HG、SW、LG和GND引腳，以減少寄生電感。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：SOIC-和WSON-。
• ?訂購代碼?：提供不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼選項，如LMM/NOPB（SOIC-封裝）和LMSD/NOPB（WSON-封裝）。