優(yōu)勢

執(zhí)行封裝熱模型的高精度結溫預測（在特定情況下，精度可超過 99.5%）

克服與傳統(tǒng)手動校準相關的時間限制

輕松探索測量校準所需的封裝規(guī)格和材料特性變化

在CFD研究中充分利用校準的最高精度瞬態(tài)熱模型，更準確地評估設計熱穩(wěn)定性，并驗證成本降低決策的正確性

摘要

Simcenter FLOEFD、CAD嵌入式CFD軟件的自動校準模塊可輕松快速地依據熱瞬態(tài)測試數據校準熱模型，有效提高仿真精度。自動熱模型校準增強的熱分析精度有助于滿足現代電子產品開發(fā)中日益苛刻的設計要求。實踐證明，依據測試紙校準仿真模型對于打磨高保真度的組件熱建模精度很關鍵，但是手動校準調整工作可能相當耗時。作為Siemens Xcelerator產品組合的一大構成，多款Simcenter測試和仿真工具加持了獨特的自動校準技術。

Simcenter Micred T3STER硬件是一款先進的熱瞬態(tài)測試解決方案，適用于IC封裝、功率半導體、LED和電子系統(tǒng)的熱特性分析。該設備采用電氣測試方法提供公認的高精度、可重復的結溫瞬態(tài)測量功能。在電子設備或IC封裝的典型測試期間，可精準測量功率階躍的加熱或冷卻瞬態(tài)響應。測量結果經過后處理以生成結構函數，表征從器件結點到環(huán)境的熱流路徑，作為熱阻與熱容的關系曲線。工程師如今可以通過在Simcenter FLOEFD中自動校準基于仿真的結構函數并匹配導入的測量結果后生成結構函數，以獲得高精度的熱特性模型，并輕松自如地將其用于瞬態(tài)分析。

先決條件

Simcenter Micred T3STER SI、T3STER或Power Tester硬件設備測量數據。

Simcenter FLOEFD

T3STER自動校準模塊

Simcenter FLOEFD自動校準模塊賦能用戶首先從Simcenter Micred T3STER硬件熱瞬態(tài)測試研究中導入基于測量的結構函數，隨后將其與基于仿真的結構函數進行比較分析。接下來，工程師用戶可以運用參數化研究工具的自動校準功能，深入探索封裝模型內部規(guī)格和材料特性變化。此自動程序可確保仿真模型瞬態(tài)熱特性與測試數據相匹配。其結果是生成高精度且已校準的3D詳細模型，可將其用于瞬態(tài)分析。

熱瞬態(tài)測試、結構函數生成以及未校準與已校準熱模型的比較分析。高精度且已校準的瞬態(tài)分析熱特性模型對于以下應用具有很高的應用價值：

• 基于功率電子任務配置文件的熱穩(wěn)定性分析洞察，例如給定電動汽車駕駛循環(huán)車輛逆變器內的功率半導體結溫預測等
• 數字電子學，例如：對功率模式變化、熱響應或節(jié)流控制影響執(zhí)行建模
• 供應鏈支持，用于半導體OEM為電子產品客戶提供高精度測試校準的詳細熱模型，以生成市場差異化優(yōu)勢價值
• 高保真度3D詳細熱模型亦是快速生成各種降階、求解電熱電路仿真或系統(tǒng)仿真模型的利好基礎。（有關獨立于邊界條件的降階模型的更多詳細信息，請參見Simcenter FLOEFD BCI-ROM和Package Creator模塊）

自動校準過程。

結構函數校準特寫視圖。

采用已自動校準的IC封裝熱模型執(zhí)行精確的瞬態(tài)響應建模。