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• 發布了文章 2025-05-20 11:59

  霍爾效應電流傳感器技術解析：開環與閉環架構的設計

  

  電流傳感器在各類應用場景中廣泛使用。傳統電阻式電流檢測技術通過測量分流電阻兩端的壓降來推算電流值，但這類方案無法實現電氣隔離，且在測量大電流時能效較低。另一種主流技術基于霍爾效應原理。霍爾電流傳感器通過感應被測電流產生的磁場進行非接觸測量，其電氣隔離特性可提供更高的安全性，同時避免了分流電阻方案中的功率損耗問題。本文將深入解析霍爾電流傳感器的基本原理。開環電

  測量 電流傳感器 霍爾效應

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• 發布了文章 2025-05-19 11:30

  歐洲投資銀行計劃籌集700億歐元：致力于AI和半導體發展

  

  當地時間5月17日，歐洲投資銀行(EIB)行長納迪婭·卡爾維尼奧在一次會議上透露，該行正在推進一項雄心勃勃的新計劃，旨在到2027年籌集700億歐元，以提升歐洲在人工智能和半導體等關鍵技術領域的能力。此項計劃被視為“科技歐盟”項目的一部分，標志著歐盟在全球高科技競爭中的進一步發展和戰略布局。卡爾維尼奧在會議上強調，面對全球科技競爭的加劇，尤其是在人工智能和半

  AI 半導體

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• 發布了文章 2025-05-19 11:29

  浮思特 | 電子電路下拉電阻詳解：原理、計算與應用指南

  

  下拉電阻是電子電路設計中的重要組成部分，尤其在處理數字邏輯、晶體管和通信接口時。本教程將系統講解其基本原理、計算方式、應用場景、選型要點、功耗考量，以及在晶體管和串行通信線路中的實際應用。什么是下拉電阻?下拉電阻是連接在信號線(如微控制器輸入引腳或晶體管柵極)與地(GND)之間的電阻元件。其主要功能是確保當信號線無主動驅動時，能穩定維持在確定的低邏輯電平(通

  下拉電阻 電子電路 電路設計

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• 發布了文章 2025-05-16 11:09

  AI驅動半導體產業爆發式增長 2030年全球產值或突破萬億美元大關

  

  全球半導體產業正迎來新一輪增長周期。臺積電全球業務資深副總經理張曉強近日透露，在人工智能(AI)技術的強勁推動下，2025年全球半導體產業同比增長率預計將超過10%。更值得關注的是，到2030年，全球半導體行業總產值有望達到1萬億美元規模，其中AI相關應用將貢獻近半壁江山。2024年被業界普遍視為"AI元年"，生成式AI技術的爆發性發展對半導體產業產生了深遠

  AI芯片 半導體

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• 發布了文章 2025-05-16 11:08

  浮思特 | 從IGBT到超結MOSFET：超結MOSFET成冰箱變頻技術新寵

  

  目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜，2024年市場規模約為750億美元。預計該市場將以6.27%的年復合增長率持續增長，到2032年將達到約1200億美元。當前冰箱壓縮機驅動主要采用兩種硅基技術：一種是IGBT，另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術中，高壓MOSFET的采用正在加速，這主要得益于兩大趨勢。第一個趨勢是冰箱壓縮機系統的變頻化，通過

  IGBT MOSFET 冰箱

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• 發布了文章 2025-05-14 11:20

  PCIM 2025：面向電動汽車與工業系統的新型SiC功率器件

  

  隨著全球電氣化進程加速，工程師們面臨著一個核心難題：如何在更緊湊的空間內實現更高功率密度，同時不犧牲散熱性能與長期可靠性。無論是電動汽車、可再生能源系統還是先進工業設備，傳統硅基功率器件已逼近物理極限。不斷提升的開關速度、更嚴苛的能效要求以及日益復雜的應用場景，都在呼喚性能更強的功率半導體解決方案。為應對這些挑戰，SemiQ、英飛凌、安世半導體和納微半導體四

  SiC 功率器件 電動汽車

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• 發布了文章 2025-05-14 11:18

  SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開啟高壓高效新時代

  

  自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經歷了顯著進化。雖然GE最早實現了IGBT的商業化，但東芝公司通過解決閂鎖效應問題，大幅拓展了這一功率器件的商業應用版圖。隨后，眾多廠商的加入推動該器件在電力轉換和電機驅動等領域的廣泛應用。時至今日，全球已有約20家主要供應商，市場規模從最初的數百萬美元擴展

  IGBT SiC 硅基

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• 發布了文章 2025-05-13 11:23

  全球功率半導體市場規模縮減 比亞迪半導體首進前十

  

  2025財年第二季度，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發布了最新財報，顯示全球功率半導體市場規模已縮減至323億美元，這一變化標志著市場格局的顯著調整。在這份財報中，英飛凌盡管依然穩坐市場首位，但其市場份額同比下降了2.9個百分點，降至17.7%。這一趨勢引發了業界的廣泛關注，尤其是在全球經濟環境不確定性加大的背景下。根據

  功率半導體 比亞迪

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• 發布了文章 2025-05-13 11:21

  半導體芯片的ESD靜電防護：原理、測試方法與保護電路設計

  

  半導體芯片易受大電流與高電壓現象影響。為實現元件級保護，我們采用片上ESD保護電路來提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電放電(ESD)是電子設備面臨的常見威脅。當ESD事件發生時，一定量的電荷會在兩個物體間轉移(例如從人體到集成電路)。這種電荷轉移可能導致極高電流在極短時間內流經芯片，若器件無法快速耗散能量就會造成損壞。ESD威脅貫穿產品全生命周期：在制造組

  ESD 半導體芯片 電路設計

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• 發布了文章 2025-05-08 11:09

  Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩定性

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiCMOSFET)，這些新產品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產品在性能指標(FoM)上處于行業領先水平，之前僅提供工業級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標準認證，這些MOSFET現已適合用于多種應用場景，包括車載充電器(OBC)、電動車

  Nexperia SiC MOSFET 汽車

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