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• 發布了文章 2025-04-25 11:34

  浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

  

  近年來，電力電子技術取得了重大進展。從電動汽車到可再生能源系統，逆變器在直流電轉換為交流電的過程中發揮著關鍵作用。傳統上，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造體系，長期主導著逆變器設計領域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現正在重塑行業格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關頻率和更

  功率器件 寬禁帶 逆變器

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• 發布了文章 2025-04-24 11:33

  韓國對華半導體出口銳減23.5%，貿易逆差現象引發關注

  

  根據韓國產業通商資源部發布的最新數據顯示，今年第一季度，韓國對華出口總額達288億美元，其中半導體出口額為137.3億美元，占對華出口總額的47%。然而，令人關注的是，韓國對華半導體出口額較去年同期的179.4億美元下降了23.5%。這一趨勢引發了廣泛的關注，也暴露出中韓貿易關系中的新動向。對于半導體出口的顯著下降，分析人士指出，主要有兩個方面的原因。首先，

  半導體

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• 發布了文章 2025-04-24 11:32

  合成金剛石在半導體與量子領域的突破性應用

  

  合成金剛石因其在多種應用中提供極致性能的卓越能力，被譽為"超級材料"。其獨特屬性可深刻改變工藝流程和終端產品性能，適用于半導體、傳感器和光學等廣泛領域。卓越特性與應用價值電子工業主要采用化學氣相沉積(CVD)法培育的合成金剛石。其碳原子以密集四面體結構排列的分子結構，賦予了無與倫比的強度與硬度。核心特性包括：·寬光譜透光性·超高導熱率·寬電子帶隙·優異抗熱震

  GaN 半導體 金剛石

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• 發布了文章 2025-04-23 11:36

  寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰

  

  功率電子技術的快速發展，得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得功率晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動態響應的可能性。寬帶隙晶體管在現代電力系統中扮演著關鍵角色，包括開關電源(SMPS)、逆變器和電動機驅動器，因為

  GaN SiC 功率晶體管 寬帶隙半導體

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• 發布了文章 2025-04-22 11:35

  氮化鎵技術驅動的高效逆變器設計：硅與GaN器件的比較分析

  

  通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時實現了98.5%的效率。在DRS，我們設定了一個目標，即設計出改進版的2kVI車輛逆變器。在開發過程中，我們比較了基于硅的IGBT和MOSFET解決方案與最近出現的常關型E-HEMTGaN器件的性能。本

  GaN器件 氮化鎵 逆變器

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• 發布了文章 2025-04-21 11:57

  上汽英飛凌無錫擴建功率半導體項目 投資3.1億元提升產能！

  

  近日，上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司發布了關于其無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環境影響評價(環評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣，計劃選址于無錫分公司，旨在進一步提升其生產能力，以滿足日益增長的市場需求。隨著全球汽車行業的快速發展，尤其是電動汽車和智能汽車的崛起，對功率半導體的需求顯著增加。功率半導體是電動車和混合動力車中的重要組成部

  功率半導體 英飛凌

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• 發布了文章 2025-04-21 11:56

  霍爾效應電流傳感技術：開環與閉環系統的比較與應用

  

  電流傳感器廣泛應用于各種場合。常見的技術是電阻式電流傳感，即測量分流電阻上的電壓降來確定未知電流。基于分流電阻的解決方案不提供電氣隔離，并且在測量大電流時功率效率較低。另一種廣泛使用的技術基于霍爾效應。霍爾效應電流傳感器由于其傳感器與待測電流之間的電氣隔離，提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產生的高功耗。在本文中，我們將了解霍爾

  開環 電流傳感器 閉環系統

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• 發布了文章 2025-04-18 11:48

  臺積電2025年第一季度財報出爐：營收利潤略有下滑但同比大幅增長

  

  在剛剛結束的法說會上，全球領先的半導體制造公司臺積電公布了2025年第一季度的財務報告。盡管該季度的營收和利潤環比略有下滑，但同比數據則顯示出顯著的增長，整體表現符合市場預期。根據臺積電的財報，第一季度的總營收和利潤較上一季度有所下降，這是由于市場需求的季節性波動和全球經濟環境的影響。然而，與2024年第一季度相比，營收和利潤均有大幅度提升，這表明公司在整體

  半導體 臺積電

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• 發布了文章 2025-04-18 11:46

  浮思特 | 肖特基二極管如何在手機系統中提高射頻功率測量的準確性與效率?

  

  電流和電壓確實很重要，但功率給我們提供了更完整和更有用的射頻(RF)信息，原因有幾個。功率提供了一種更直接和方便的方式來表征射頻系統的性能、評估信號強度、優化能量傳輸、確保安全以及分析系統性能。在大多數射頻應用中，功率測量通常比高頻電流或電壓測量更相關且更易于準確獲取。與其他射頻儀器相比，功率計在射頻功率測量中提供了最高的準確性。這些儀器可以是專用的獨立設備

  手機系統 測量 肖特基二極管

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• 發布了文章 2025-04-17 11:23

  SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統

  

  在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發企業，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計，以滿足各行業對高功率密度和能效解決方案日益增長的需求。新推出的SiCMOSFET模塊采用強大的平面技術制造，具備耐用的柵氧化物結構，并集成了可靠的體二極管，從而顯著提升

  MOSFET SiC SiC MOSFET 電源系統

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