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• 發布了文章 2024-11-28 11:20

  電力電子的熱管理未來趨勢與挑戰！

  

  在快速發展的電力電子領域，熱管理已成為確保設備可靠性、效率和耐久性的重要因素。這在電動車等能源密集型行業尤為相關，其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)電子電路解決方案，如逆變器、變換器和充電電路，正在徹底改變行業格局。引言SiC和GaN器件相比傳統硅開關提供了更高的性能水平，得益于它們能夠在更高的電壓和頻率下運行，并減少開關損耗。因此，它們可以在比過去的電

  熱管理 電力電子 電子電路 設備

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• 發布了文章 2024-11-27 11:33

  下一代光伏優化器采用eGaN FET和專用ASIC控制器

  

  低功率商業和住宅光伏系統主要有兩種配置。第一種配置是微型逆變器，在每個安裝的面板上使用一個逆變器，確保每個面板都能充分發揮其能源潛力。第二種配置是串聯逆變器，它將多個面板連接在一起，并接入一個中心逆變器。然而，當一個或多個面板被遮擋時，這種設置在能量收集方面表現不佳。為了解決這個問題，出現了一種創新的增強解決方案：優化器。這是一種優化每個面板能量收集的電力模

  asic 光伏 控制器

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• 發布了文章 2024-11-26 11:19

  意法半導體2024年業績報告,前九月MCU銷量大幅下滑

  

  近日，意法半導體(STMicroelectronics)公布了其2024年前九個月的業績報告，數據顯示，其微控制器(MCU)銷量同比下降了41.3%，僅為25.8億美元，遠低于2023年同期的44億美元。這一顯著的下滑引發了行業的關注，尤其是在全球半導體市場競爭加劇的背景下。在巴黎舉行的資本市場日上，ST公司首席執行官RemiEl-Ouazzane對業績下滑

  mcu 意法半導體

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• 發布了文章 2024-11-26 11:17

  提升電力電子效率：功率MOSFET的應用與選擇指南

  

  現代電子應用需要高開關頻率以實現相應的高效率。功率MOSFET是電力密集型應用中的重要組成部分。它們具有相對較低的門電荷，使其非常適合中高功率的應用場景。這種較低的門電荷減少了驅動電流的要求，從而能夠實現高頻率和更高的效率。本文探討了中功率MOSFET在各種應用中的優勢、局限性及選擇時的考慮因素。功率MOSFET在電子應用中的角色功率MOSFET通常根據其擊

  MOSFET 功率 電力電子

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• 發布了文章 2024-11-25 11:38

  第三季度IC銷售額增長12%，AI投資驅動半導體市場復蘇

  

  近日，國際半導體產業協會(SEMI)發布了其最新的半導體產業報告，顯示2024年第三季度集成電路(IC)的銷售額相比于上個季度實現了12%的顯著增長。這一增長主要受到人工智能(AI)資料中心投資需求強勁的推動，反映出市場對高性能計算和數據處理能力的持續關注。報告指出，AI技術的快速發展及其在各行業的廣泛應用，極大地推動了對IC的需求。隨著越來越多的企業開始將

  AI IC 半導體

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• 發布了文章 2024-11-25 11:35

  如何通過建模與仿真提升電力電子組件的設計與性能?

  

  建模過程被稱為建模，而仿真被定義為使用模型研究實際或理論系統的行為和性能的過程。在仿真中，模型可以用于研究系統的現有或擬議特性。對于大型互聯系統的仿真，建模方法被證明是非常有效的。這篇文章介紹了解電力電子組件建模與仿真的基礎知識，以及建模與仿真工作中的優缺點。圖1建模與仿真的概述建模與仿真概念涉及使用模型作為仿真的基礎，以開發用于決策的數據，這些數據涉及技術

  仿真 電力電子 集成電路

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• 發布了文章 2024-11-06 11:58

  Nexperia與科世達達成合作 共同推進汽車應用寬帶隙器件的生產

  

  近日，全球領先的半導體公司Nexperia宣布與知名汽車供應商科世達(KOSTAL)建立戰略合作伙伴關系。這一合作將專注于開發和生產符合汽車行業嚴格規范的寬帶隙(WBG)電力電子器件，特別是針對電動汽車(EV)車載充電器(OBC)的應用需求。該合作不僅展現了兩家公司的技術實力和市場前瞻性，同時也為電動汽車行業的可持續發展提供了強有力的支持。隨著全球環境問題日

  Nexperia 寬帶隙器件 汽車 科世達

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• 發布了文章 2024-11-06 11:55

  浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

  

  由于其低導通損耗和開關能量損耗，IGBT廣泛應用于高功率應用領域，如電源、馬達驅動逆變器和電動汽車等。對更先進功率器件的需求促使了新型硅基開發及寬禁帶材料開發的努力，以實現超越硅的理想特性。從MOS柵極的高電子注入效率是必需的為了將IGBT硅材料推向極限，需要從MOS柵極實現極高的電子注入效率，同時孔載流子注入應僅限于對導電調制的貢獻水平。對于Fairchi

  IGBT MOS 功率器件

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• 發布了文章 2024-11-05 11:18

  英飛凌推出新款CoolGaN™晶體管，促進高壓器件市場發展

  

  英飛凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高壓分立器件系列——CoolGaN?晶體管650VG5，進一步豐富了其氮化鎵(GaN)產品組合。這一新產品系列的推出，不僅為消費和工業開關模式電源(SMPS)提供了新的技術選擇，也為諸如USB-C適配器、充電器、照明系統、電視、數據中心和電信整流器，以及可再生能源和家用電器中的電機驅動等廣泛應用提供了支持。CoolGaN

  晶體管 英飛凌 高壓器件

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• 發布了文章 2024-11-05 11:16

  如何設計 IGBT 和 SiC FET 驅動電路以防止誤觸發？

  

  在設計IGBT或SiCFET橋接電路時，門驅動電路的正確設計與選擇晶體管同樣重要，以確保高可靠性。對環境的關注是可再生能源、智能工業和電動出行等趨勢背后的主要推動力。這些趨勢又進一步推動了對高效電力轉換器和電機驅動器的需求。這些系統必須非常可靠，通常要求其工作壽命達到10年或更長時間。為了確保高可靠性，設計師在選擇電路中如逆變器或電機驅動的H橋功率晶體管時，

  IGBT SiC 驅動電路

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