動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-15 11:01

  高壓逆變器中的載波基礎PWM技術比較

  

  高壓逆變器是可再生能源系統(tǒng)的重要組成部分，這些逆變器依賴脈寬調制(PWM)來控制電力轉換過程。PWM使得波形生成和電力質量的精確控制成為可能，同時有效地抑制諧波。通過調節(jié)電壓脈沖的寬度，可以在高壓逆變器中近似出所需的交流波形，從而實現有效且平穩(wěn)的電力傳輸給負載。載波波形的形狀在與參考信號進行比較時區(qū)分了不同的PWM技術。主要的三種載波基礎PWM技術包括三角波

  PWM 電力轉換器 逆變器 高壓逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 11:04

  2024全球半導體市場增長，區(qū)域表現分化趨勢明顯

  

  根據美國半導體行業(yè)協會(SIA)近日發(fā)布的數據顯示，2024年11月全球半導體銷售額達到578億美元，環(huán)比增長1.6%，連續(xù)第八個月實現月度增長，同時也創(chuàng)下了新的歷史紀錄。這一數據表明，全球半導體行業(yè)在經歷過去幾年的波動后，正在持續(xù)復蘇并保持強勁的增長態(tài)勢。在全球半導體銷售表現中，美洲地區(qū)成為最大的亮點。11月，美洲地區(qū)的銷售額達到195億美元，占全球總額的

  半導體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 11:02

  高電壓轉換器與電動車應用：NPC多電平逆變器為何如此關鍵?

  

  隨著能源需求的持續(xù)增長，電流在傳輸和利用過程中出現了許多問題。特別是，智能電網的增長和可再生能源的使用對電能的“質量”提出了更高的要求，例如減少諧波和在電網中平衡有功與無功功率的能力，因此需要使用靜態(tài)無功補償器(STATCOM)。簡單來說，它們由電力電子設備組成，動態(tài)提供無功功率支持，在負載或發(fā)電波動期間幫助穩(wěn)定電壓水平。通常，它們位于高電壓側(從30kV到

  多電平逆變器 電動車 轉換器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:41

  瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領域應用

  

  近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業(yè)領先的技術表現成為市場焦點。新型MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術有效降低了MOSFET的導通電阻(Rdson)高達30%，從而顯著減少了功率損耗，為

  MOSFET 功率MOSFET 瑞薩電子

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:40

  SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能？

  

  隨著DC/DC電源轉換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機驅動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應用對功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達175°C溫度下安全運行的元器件。基于寬禁帶材料(如碳化硅，SiC)制造的器件滿足了這一要求，并在這些應用中越來越受歡迎。然而，即使是SiCMOSFET，在高溫下也會表現出復雜的行為，

  MOSFET SiC 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 11:55

  意法半導體推出全新IO-Link參考設計 助力智能工業(yè)應用

  

  日前，全球知名的半導體領導企業(yè)意法半導體正式發(fā)布了一款全新的IO-Link參考設計——EVLIOL4LSV1電路板。此產品以其強大的功能和高集成度，旨在為工業(yè)監(jiān)控和設備制造商提供高效可靠的一站式解決方案。EVLIOL4LSV1電路板采用了ST先進的L6364Q雙通道IO-Link收發(fā)器和IPS4260L低邊功率開關。這種設計使得該電路板能夠直接連接到智能警示

  工業(yè) 意法半導體 電路板

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 11:52

  第六代雙極功率模塊如何推動工業(yè)應用的性能升級?

  

  雙極模塊在工業(yè)工頻應用中仍然是一種穩(wěn)健且具有成本效益的解決方案。盡管此類電路的基本操作方式沒有變化，但功率模塊的封裝技術卻在不斷進步。自1975年SEMIPACK隔離底板整流模塊問世以來，它已發(fā)展成為一個覆蓋多種電流和拓撲的大型產品系列，成為50/60Hz整流器和交流控制器的標準，并廣泛應用于電機驅動、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)及過程控制等市場。SEMIPAC

  二極管 功率模塊 工業(yè)

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 11:40

  安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠，助力技術布局！

  

  近日，全球領先的半導體解決方案供應商安森美(onsemi)宣布，以2000萬美元的價格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystems氮化鎵(GaN)晶圓制造廠。這項交易受到業(yè)界廣泛關注，標志著安森美在功率半導體領域的進一步布局。該晶圓制造廠最初由紐約州政府斥資近1億美元建造，旨在推動當地先進制造業(yè)的發(fā)展。然而，由于市場波動和企業(yè)運營問題

  GaN 安森美 晶圓制造

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 11:38

  碳化硅IGBT在汽車領域的關鍵作用是什么?

  

  自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來，碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術就被認為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比，寬禁帶材料具有更高的禁帶寬度和擊穿電壓，可實現更高的電流密度、更高的開關頻率以及更低的總損耗。

  IGBT 汽車 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 12:00

  兩個晶體管能如何實現高效正弦波振蕩？

  

  在電子設計中，振蕩器是一個重要的組件，廣泛應用于信號發(fā)生、無線通信和音頻設備中。一般來說，設計一個穩(wěn)定的正弦波振蕩器往往需要運算放大器或復雜的電路結構。然而，是否可以僅用兩個晶體管就輕松實現一個高效的正弦波振蕩器呢?本文將介紹一種僅使用兩個晶體管、少量無源元件以及簡單反饋機制的正弦波振蕩器設計，并分析其工作原理和性能。電路結構與原理本文介紹的振蕩器電路如圖1

  單片機 振蕩器 晶體管

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