動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-04-09 10:57
氮化鎵單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下一代突破
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者。基于橫向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨(dú)特優(yōu)勢,可有效應(yīng)用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場景,并重點(diǎn)介紹即將實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的新一代GaNBDS器件系列。雙向開關(guān)應(yīng)用解析傳統(tǒng)MOSFET或IGBT開關(guān)通常僅具備正向?qū)ㄅc反向阻斷功能。雖然通過MOSFET體二353瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-09 10:55
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發(fā)布了文章 2025-04-01 10:39
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發(fā)布了文章 2025-03-27 11:49
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發(fā)布了文章 2025-03-27 11:48
創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用
保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。在本文中,我們將重點(diǎn)介紹非對稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列,這些二極管非常適合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的門保護(hù)。瞬態(tài)保護(hù)設(shè)備瞬態(tài)尖峰可以由雷電、附近的機(jī)械設(shè)備、電源負(fù)載切換等引起。一個(gè)例子是現(xiàn)代汽車,其中越來越多的車載電子設(shè)備連接到電池和發(fā)電機(jī)。發(fā)電機(jī)的輸出可能不穩(wěn)定,例如在電池?cái)嚅_ -
發(fā)布了文章 2025-03-26 12:00
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發(fā)布了文章 2025-03-25 11:25
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發(fā)布了文章 2025-03-25 11:23
智能功率模塊在電動機(jī)驅(qū)動逆變器中的應(yīng)用與優(yōu)勢分析
在消費(fèi)類和通用工業(yè)應(yīng)用中,針對小型交流電動機(jī)的逆變器設(shè)計(jì)師面臨著日益嚴(yán)格的效率、可靠性、尺寸和成本的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)上,許多小型逆變器設(shè)計(jì)采用離散功率器件封裝,并結(jié)合實(shí)現(xiàn)接口、驅(qū)動和保護(hù)功能所需的輔助組件。這種方法需要較大的復(fù)雜PCB設(shè)計(jì),以滿足驅(qū)動器和離散功率器件組合的所有間距和布局要求。另一個(gè)同樣令人困惑的問題是,當(dāng)驅(qū)動器和功率器件的特性未能正確匹配時(shí),如何保 -
發(fā)布了文章 2025-03-24 11:38
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發(fā)布了文章 2025-03-24 11:36
浮思特 | 創(chuàng)新互補(bǔ)模型:提升功率電子轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)與仿真的新方法
功率電子轉(zhuǎn)換器可以視為由分段線性元件(傳統(tǒng)元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(guān)(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下,我們將電子設(shè)備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件,盡管這可能是一個(gè)不太精確的術(shù)語。在許多實(shí)際情況下,電子設(shè)備可以建模為一個(gè)可變電阻,其在導(dǎo)通狀態(tài)下的值非常低,而在阻斷狀態(tài)下的201瀏覽量