動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-04-01 10:39

  電阻率在電子電力學(xué)中為何如此重要?

  

  電阻率是電子學(xué)和材料科學(xué)中的一個(gè)基本概念，尤其是在設(shè)計(jì)電路和選擇電子元器件材料時(shí)。它在理解材料在電流作用下的行為中扮演著至關(guān)重要的角色。本教程將涵蓋電阻率的定義、測量單位、計(jì)算方法、影響電阻率的因素，以及它對電子工程師和設(shè)計(jì)師的重要性。電阻率的定義電阻率(用希臘字母ρ表示)是一個(gè)基本的材料屬性，它量化了材料對電流流動(dòng)的阻礙程度。簡單來說，電阻率是指特定材料對

  電力電子 電阻率

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• 發(fā)布了文章 2025-03-27 11:49

  Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

  

  VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)和計(jì)算領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度，顯著改善了前代產(chǎn)品的性能。SiHK050N65E采用了先進(jìn)的n-channel設(shè)計(jì)，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導(dǎo)

  MOSFET Vishay 電源

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• 發(fā)布了文章 2025-03-27 11:48

  創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用

  

  保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹非對稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列，這些二極管非常適合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的門保護(hù)。瞬態(tài)保護(hù)設(shè)備瞬態(tài)尖峰可以由雷電、附近的機(jī)械設(shè)備、電源負(fù)載切換等引起。一個(gè)例子是現(xiàn)代汽車，其中越來越多的車載電子設(shè)備連接到電池和發(fā)電機(jī)。發(fā)電機(jī)的輸出可能不穩(wěn)定，例如在電池?cái)嚅_

  MOSFET SiC 二極管 瞬態(tài)電壓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-26 12:00

  探討RC電路在逆變器設(shè)計(jì)中的應(yīng)用與限制

  

  不可能用簡單的RC電路制作逆變器，我們注意到逆變器的重要性，因?yàn)檫@些設(shè)備在光伏系統(tǒng)中至關(guān)重要。不幸的是，重現(xiàn)一個(gè)完美的正弦波形(頻率f0=50/60Hz)非常困難，甚至是不可能的。這意味著必然存在與f0成倍的諧波，如果系統(tǒng)沒有適當(dāng)屏蔽，這些頻率將產(chǎn)生電磁輻射，從而干擾其他傳輸/接收設(shè)備。積分電路練習(xí)1：考慮施加在具有時(shí)間常數(shù)τ=RC的積分器電路上的以下輸入：

  RC電路 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-25 11:25

  全球芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入2納米競爭階段：臺(tái)積電率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!

  

  隨著科技的不斷進(jìn)步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)全新的競爭階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期，臺(tái)積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米技術(shù)方面的布局，展現(xiàn)出對這一新技術(shù)的強(qiáng)烈追求。根據(jù)外媒的報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃于3月31日在高雄廠舉辦2納米擴(kuò)產(chǎn)典禮，并于4月1日起開始接受2納米晶圓的訂單預(yù)訂。臺(tái)積電作為全

  臺(tái)積電 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-03-25 11:23

  智能功率模塊在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的應(yīng)用與優(yōu)勢分析

  

  在消費(fèi)類和通用工業(yè)應(yīng)用中，針對小型交流電動(dòng)機(jī)的逆變器設(shè)計(jì)師面臨著日益嚴(yán)格的效率、可靠性、尺寸和成本的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)上，許多小型逆變器設(shè)計(jì)采用離散功率器件封裝，并結(jié)合實(shí)現(xiàn)接口、驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能所需的輔助組件。這種方法需要較大的復(fù)雜PCB設(shè)計(jì)，以滿足驅(qū)動(dòng)器和離散功率器件組合的所有間距和布局要求。另一個(gè)同樣令人困惑的問題是，當(dāng)驅(qū)動(dòng)器和功率器件的特性未能正確匹配時(shí)，如何保

  電動(dòng)機(jī) 逆變器 驅(qū)動(dòng)

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• 發(fā)布了文章 2025-03-24 11:38

  Vicor在臺(tái)灣推廣48V電源模塊：模塊化設(shè)計(jì)的市場競爭優(yōu)勢

  

  近日，美系功率半導(dǎo)體模塊廠商Vicor在中國臺(tái)灣舉辦了一場媒體活動(dòng)，重點(diǎn)宣傳其最新的48V電源模塊平臺(tái)。此次活動(dòng)吸引了眾多媒體及行業(yè)專家的關(guān)注，凸顯了Vicor在電源管理領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力和市場策略。Vicor在活動(dòng)中強(qiáng)調(diào)，其模塊化設(shè)計(jì)在市場上的競爭優(yōu)勢與眾不同。與許多傳統(tǒng)的美系電源管理IC廠商和IDM(集成設(shè)備制造商)不同，Vicor并不將所有功能整合在一塊電

  Vicor 電源模塊

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• 發(fā)布了文章 2025-03-24 11:36

  浮思特 | 創(chuàng)新互補(bǔ)模型：提升功率電子轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)與仿真的新方法

  

  功率電子轉(zhuǎn)換器可以視為由分段線性元件(傳統(tǒng)元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(guān)(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下，我們將電子設(shè)備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件，盡管這可能是一個(gè)不太精確的術(shù)語。在許多實(shí)際情況下，電子設(shè)備可以建模為一個(gè)可變電阻，其在導(dǎo)通狀態(tài)下的值非常低，而在阻斷狀態(tài)下的

  仿真 功率電子 轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:26

  Microchip Technology委托麥格理集團(tuán)出售亞利桑那州晶圓廠二號

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麥格理集團(tuán)(MacquarieGroup)，負(fù)責(zé)其位于亞利桑那州坦佩的晶圓制造工廠——晶圓廠二號的市場推廣與出售。這標(biāo)志著Microchip在調(diào)整其制造規(guī)模方面邁出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，專注于微控制器、模擬半導(dǎo)體、閃存等領(lǐng)域。公司在技術(shù)

  microchip 半導(dǎo)體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:25

  SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢

  

  使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷，或氮化鎵HEMT的零反向恢復(fù)電荷，使設(shè)計(jì)師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統(tǒng)。然而，盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優(yōu)勢，這些開關(guān)類型與經(jīng)過驗(yàn)證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni

  LLC變換器 SiC MOSFET 電源開關(guān)

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