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• 發布了文章 2025-03-27 11:49

  Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

  

  VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業和計算領域的功率轉換效率和功率密度，顯著改善了前代產品的性能。SiHK050N65E采用了先進的n-channel設計，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導

  MOSFET Vishay 電源

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• 發布了文章 2025-03-27 11:48

  創新非對稱瞬態電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護中的應用

  

  保護半導體設備和電子設備是任何穩健的電源管理和電路設計的關鍵。在本文中，我們將重點介紹非對稱瞬態電壓抑制(TVS)二極管系列，這些二極管非常適合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的門保護。瞬態保護設備瞬態尖峰可以由雷電、附近的機械設備、電源負載切換等引起。一個例子是現代汽車，其中越來越多的車載電子設備連接到電池和發電機。發電機的輸出可能不穩定，例如在電池斷開

  MOSFET SiC 二極管 瞬態電壓

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• 發布了文章 2025-03-26 12:00

  探討RC電路在逆變器設計中的應用與限制

  

  不可能用簡單的RC電路制作逆變器，我們注意到逆變器的重要性，因為這些設備在光伏系統中至關重要。不幸的是，重現一個完美的正弦波形(頻率f0=50/60Hz)非常困難，甚至是不可能的。這意味著必然存在與f0成倍的諧波，如果系統沒有適當屏蔽，這些頻率將產生電磁輻射，從而干擾其他傳輸/接收設備。積分電路練習1：考慮施加在具有時間常數τ=RC的積分器電路上的以下輸入：

  RC電路 逆變器

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• 發布了文章 2025-03-25 11:25

  全球芯片產業進入2納米競爭階段：臺積電率先實現量產!

  

  隨著科技的不斷進步，全球芯片產業正在進入一個全新的競爭階段，2納米制程技術的研發和量產成為了各大芯片制造商的主要目標。近期，臺積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米技術方面的布局，展現出對這一新技術的強烈追求。根據外媒的報道，臺積電計劃于3月31日在高雄廠舉辦2納米擴產典禮，并于4月1日起開始接受2納米晶圓的訂單預訂。臺積電作為全

  臺積電 芯片

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• 發布了文章 2025-03-25 11:23

  智能功率模塊在電動機驅動逆變器中的應用與優勢分析

  

  在消費類和通用工業應用中，針對小型交流電動機的逆變器設計師面臨著日益嚴格的效率、可靠性、尺寸和成本的挑戰。傳統上，許多小型逆變器設計采用離散功率器件封裝，并結合實現接口、驅動和保護功能所需的輔助組件。這種方法需要較大的復雜PCB設計，以滿足驅動器和離散功率器件組合的所有間距和布局要求。另一個同樣令人困惑的問題是，當驅動器和功率器件的特性未能正確匹配時，如何保

  電動機 逆變器 驅動

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• 發布了文章 2025-03-24 11:38

  Vicor在臺灣推廣48V電源模塊：模塊化設計的市場競爭優勢

  

  近日，美系功率半導體模塊廠商Vicor在中國臺灣舉辦了一場媒體活動，重點宣傳其最新的48V電源模塊平臺。此次活動吸引了眾多媒體及行業專家的關注，凸顯了Vicor在電源管理領域的創新實力和市場策略。Vicor在活動中強調，其模塊化設計在市場上的競爭優勢與眾不同。與許多傳統的美系電源管理IC廠商和IDM(集成設備制造商)不同，Vicor并不將所有功能整合在一塊電

  Vicor 電源模塊

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• 發布了文章 2025-03-24 11:36

  浮思特 | 創新互補模型：提升功率電子轉換器設計與仿真的新方法

  

  功率電子轉換器可以視為由分段線性元件(傳統元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下，我們將電子設備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件，盡管這可能是一個不太精確的術語。在許多實際情況下，電子設備可以建模為一個可變電阻，其在導通狀態下的值非常低，而在阻斷狀態下的

  仿真 功率電子 轉換器

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• 發布了文章 2025-03-21 11:26

  Microchip Technology委托麥格理集團出售亞利桑那州晶圓廠二號

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麥格理集團(MacquarieGroup)，負責其位于亞利桑那州坦佩的晶圓制造工廠——晶圓廠二號的市場推廣與出售。這標志著Microchip在調整其制造規模方面邁出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球領先的半導體解決方案提供商，專注于微控制器、模擬半導體、閃存等領域。公司在技術

  microchip 半導體 晶圓

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• 發布了文章 2025-03-21 11:25

  SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設計中的優勢

  

  使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關現在在電力變換器中得到了廣泛應用。SiC晶體管的高速開關特性以及低反向恢復電荷，或氮化鎵HEMT的零反向恢復電荷，使設計師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統。然而，盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優勢，這些開關類型與經過驗證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni

  LLC變換器 SiC MOSFET 電源開關

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• 發布了文章 2025-03-20 11:18

  Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創新X.PAK封裝技術

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD)封裝技術，稱為X.PAK。這種封裝技術的創新之處在于其頂面冷卻設計，使得設備在高功率應用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1

  MOSFET Nexperia SiC

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