2021 年，JEDEC 宣布發布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標準，標志著行業向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:37
431 
DDR 代表雙倍數據速率double data rate，GDDR 代表圖形雙倍數據速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53236 
288 位置 DIMM DDR5 SDRAM 個插口 表面貼裝型
2024-03-14 20:41:22
電子發燒友網站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發燒友網站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩壓器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發燒友網站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發燒友網站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內存電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發燒友網站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內存電源解決方案同步降壓控制器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 DDR一致性測試的操作步驟? DDR（雙數據率）一致性測試是對DDR內存模塊進行測試以確保其性能和可靠性。在進行DDR一致性測試時，需要遵循一系列的操作步驟，以保證測試的準確性和完整性。下面將詳細
2024-02-01 16:24:52209 DDR6和DDR5內存的區別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內存技術，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內存技術，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052863 深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD8306 – Q1是一款多通道半橋驅動芯片，內部集成6通道半橋，通過靈活配置，芯片可以支持多種不同的負載類型包括直流有刷電機，步進電機，繼電器和LED等。該芯片
2024-01-09 13:42:53
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD8306 – Q1是一款多通道半橋驅動芯片，內部集成6通道半橋，通過靈活配置，芯片可以支持多種不同的負載類型包括直流有刷電機，步進電機，繼電器和LED等。該芯片
2024-01-09 13:39:33
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD8308 – Q1是一款多通道半橋驅動芯片，內部集成8通道半橋，通過靈活配置，芯片可以支持多種不同的負載類型包括直流有刷電機，步進電機，繼電器和LED等。該芯片
2024-01-08 14:08:07
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD7312A是一款直流有刷電機驅動芯片，芯片內置功率N-MOSFET并為功率級提供全方位保護包括供電欠壓保護，過流保護，過溫保護，當保護功能觸發后，芯片
2024-01-08 14:03:50
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD7312-Q1是一款直流有刷電機驅動芯片，芯片內置功率N-MOSFET并為功率級提供全方位保護包括供電欠壓保護，過流保護，過溫保護，當保護功能觸發后，芯片
2024-01-08 13:59:18
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD7312A是一款直流有刷電機驅動芯片，芯片內置功率N-MOSFET并為功率級提供全方位保護包括供電欠壓保護，過流保護，過溫保護，當保護功能觸發后，芯片
2024-01-08 13:56:04
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD7312是一款直流有刷電機驅動芯片，芯片內置功率N-MOSFET并為功率級提供全方位保護包括供電欠壓保護，過流保護，過溫保護，當保護功能觸發后，芯片
2024-01-08 13:44:52
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD7310A是一款直流有刷電機驅動芯片，芯片內置功率N-MOSFET并為功率級提供全方位保護包括供電欠壓保護，過流保護，過溫保護。該產品可提供3.6A峰值電流，支持
2024-01-08 13:35:41
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD7310是一款直流有刷電機驅動芯片，芯片內置功率N-MOSFET并為功率級提供全方位保護包括供電欠壓保護，過流保護，過溫保護。該產品可提供3.6A峰值電流，支持
2024-01-08 11:59:13
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD7310是一款直流有刷電機驅動芯片，芯片內置功率N-MOSFET并為功率級提供全方位保護包括供電欠壓保護，過流保護，過溫保護。該產品可提供3.6A峰值電流，支持
2024-01-08 11:54:56
DDR5已經開始商用，但是有的產品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
DDR接口速率越來越高，每一代產品都在挑戰工藝的極限，對DDR PHY的訓練要求也越來越嚴格。本文從新銳IP企業芯耀輝的角度，談談DDR PHY訓練所面臨的挑戰，介紹芯耀輝DDR PHY訓練的主要過程和優勢，解釋了芯耀輝如何解決DDR PHY訓練中的問題。
2024-01-05 10:27:34519 
LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內存，它們在時序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內存標準，但它們面向不同的應用場景，并且在設計上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061162 近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅動器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達7200 MT/s的數據速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:58289 DDR加終端匹配電阻和不加信號質量的區別? DDR（雙倍數據傳輸速率）是一種常用于計算機內存的高速數據傳輸技術。在DDR中，終端匹配電阻和信號質量是對于數據傳輸穩定性至關重要的兩個方面。下面將詳細
2023-12-29 13:54:22316 上次我們對不加端接電阻和加端接電阻之后的仿真結果做了分析之后我們得出在DDR采用菊花鏈拓撲結構的時候是需要加端接電阻的，這次我們看看DDR末端的端接電阻距離最后一片DDR遠一點效果好一些還是近一點效果好一些。
2023-12-28 16:55:13598 
請問SR電機和無刷電機有什么區別？
2023-12-26 06:30:12
時鐘頻率：可通過倍頻技術升級的核心頻率。時鐘頻率可以理解為IO Buffer的實際工作頻率，DDR2中時鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 LTP5070是一款H橋有刷直流電機驅動器，內部具有集成的H橋驅動電路和控制電路，能夠控制電機高達3.5 A的雙向峰值電流，其最大工作電壓為36V。可通過輸入端口IN1和IN2輸入PWM信號，控制
2023-12-13 16:27:35
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產工藝難度的加大，DRAM內存出現單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內存信道，糾正DRAM芯片中可能出現的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術，將ECC集成到DDR5芯片內部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
DDR4(第四代雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細節。在DDR的設計過程中，DDR的Layout是十分重要的環節。
2023-11-29 15:39:101476 
本文主要講述一下DDR從0到1設計的整個設計的全過程。
2023-11-27 16:28:113715 
VTT電源對DDR有什么作用？
2023-11-27 16:20:14579 
對于ddr5市場的發展，威剛表示，現階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉和pc內存內容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現貨市場上，ddr5的單價比ddr4高4-50%，從威強的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業主導，因此，中臺灣企業在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業表現出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 目前有微型四軸，也有像小米、大疆的四軸飛行器。
今天無刷的先不談，只談有刷的空心杯電機。
1、目前用在四軸飛行器上的空心杯電機電機有哪些型號？
2、每種型號空心杯電機的最大升力好多、消耗電流多少？
電機與槳葉怎么選型，有什么關系，升力應當怎么計算？
2023-11-06 06:54:53
DDR4和DDR3內存都有哪些區別？ 隨著計算機的日益發展，內存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內存的標準。隨著DDR4內存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR
2023-10-30 09:22:003893 DDR3是2007年推出的，預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
異步電機對比同步電機有什么優點
2023-10-11 06:21:14
內轉子電機對比外轉子電機有什么優勢
2023-10-09 07:53:20
DDR存儲器發展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲密度，從而實現更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內存技術，為讀者在購買和使用內存產品時提供參考依據。
2023-09-27 17:42:101088 DDR4 3200和3600是內存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:188986 我們在買DDR內存條的時候，經常會看到這樣的標簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331923 
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441484 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
一看到DDR,聯想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個問題點,當然其它3W，2H是基本點。
2023-09-15 11:42:37757 
在全默認設置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內存的工作速率為DDR5 4800，延遲設定為40-40-40-76，因此在這個設置下它的內存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內存相當。
2023-09-15 10:40:42750 
本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371888 
上期和大家聊的電源PCB設計的重要性，那本篇內容小編則給大家講講存儲器的PCB設計建議，同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例，詳細介紹一下DDR模塊電路的PCB設計要如何布局布線。 由于
2023-08-24 08:40:05899 
DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內存頻率規格，它們在性能上會有一定的差別，但差別大小取決于具體的應用場景和系統配置。
2023-08-22 14:45:0528293 上期和大家聊的電源PCB設計的重要性，那本篇內容小編則給大家講講存儲器的PCB設計建議，同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例，詳細介紹一下DDR模塊電路的PCB設計要如何布局布線。 由于
2023-08-21 17:16:50563 
由于RK3588 DDR接口速率最高達4266Mbps，PCB設計難度大，所以強烈建議使用瑞芯微原廠提供的DDR模板和對應的DDR固件，DDR模板是經過嚴格的仿真和測試驗證后發布的。 在單板
2023-08-18 10:55:43556 
上期和大家聊的電源PCB設計的重要性，那本篇內容小編則給大家講講存儲器的PCB設計建議，同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例，詳細介紹一下DDR模塊電路的PCB設計要如何布局布線。由于
2023-08-18 08:09:43384 
上期和大家聊的電源PCB設計的重要性，那本篇內容小編則給大家講講存儲器的PCB設計建議，同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例，詳細介紹一下DDR模塊電路的PCB設計要如何布局布線。 由于
2023-08-17 18:15:02325 
ddr200t開發板是否有HDMI接口用于視頻輸出，或者有沒有其他有HDMI接口的開發板能夠接到ddr200t上呢
2023-08-12 06:48:26
DDR5的主板不支持使用DDR4內存。DDR5（第五代雙倍數據率）和DDR4（第四代雙倍數據率）是兩種不同規格的內存技術，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內存控制器。
2023-08-09 15:36:2512806 DDR是運行內存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內存具有雙倍速率傳輸數據的特性，因此在DDR內存的標識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061884 
電子發燒友網站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 《基于“礦板”低成本學習Zynq系列》之六-DDR測試
2023-07-19 19:19:441742 
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態隨機存儲器”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103370 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應的時延差異較大，必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 
對于DDR的理解，最初簡單的以為無非一個大的數組，我會接口使用就OK了。
2023-06-28 15:36:06406 
DDR是DDR SDRAM的簡稱，只是人們習慣了稱之為DDR，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動態隨機存儲器，同步是指需要時鐘。
2023-06-25 15:06:404907 
注意，這里的DDR指的是Double Data Rate，雙倍數據速率。這篇文章并不是講DDR存儲器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781 
DDR 驗證是任何 SoC 中最關鍵和最復雜的任務之一，因為它涉及位于 DUT 內部的控制器和位于板載 DUT 外部的外部 DDR 存儲器。在這里，我們將討論 DDR VIP 模型的快速初始化。
2023-05-29 09:10:46772 
DDR PHY 接口 （DFI） 用于包括智能手機在內的多種消費電子設備。DFI 是一種接口協議，用于定義在 DRAM 設備之間以及 MC（微控制器）和 PHY 之間傳輸控制信息和數據所需的信號
2023-05-26 15:27:314574 
DDR4內存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441331 內存是數據中心、服務器以及個人計算機等技術發展的重要組成。目前內存的發展是由DDR技術路線引導，TE Connectivity(以下簡稱“TE”)經歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
我們有一個帶有連接到 LS1046A 的 DDR4 內存 (DDR4T04G72) 的定制板，目前正在為 DDR 控制器進行配置。目前我們對為什么我們甚至沒有啟動和運行 DDR 時鐘 (MCK0
2023-05-06 08:20:49
對于i.MX 8M Mini處理器，使用mscale ddr工具生成DDR校準值的目的是什么？
我有一個運行 u-boot 的 i.MX 8M Mini 處理器。查看 u-boot 源代碼，我相信
2023-05-05 09:09:34
DDR5 已占據整個 DRAM 市場份額的 10%，2024年則將進一步擴大至 43%。服務器市場可能最先推廣DDR5，服務器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:471604 IC DDR SWITCH/MUX 48NFBGA
2023-04-06 19:18:57
ICMUX/DEMUX2:1DDR48TFBGA
2023-04-06 15:33:34
ICMUX/DEMUX2:1DDR48TFBGA
2023-04-06 15:33:19
DDR內存1代已經淡出市場，直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472871 
\lx2160ardb\ddr_init.c中，我們應該定義 CONFIG_STATIC_DDR 還是CONFIG_DDR_NODIMM？他們有什么區別。
2023-04-03 07:24:21
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE IP CORE DDR3 ECP3
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2M
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR3 PHY ECP3 USER CONF
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2M
2023-03-30 12:01:17
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR SC/SCM
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
EVALMODULEFORTS3DDR32611
2023-03-30 11:56:12
DDR-240C-48
2023-03-29 22:43:23
NCP4305DDR2G
2023-03-29 18:04:27
電子發燒友App
工商網監
湘ICP備 2023018690 號
評論