UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1單通道高速低側柵極驅動器件有效地驅動金屬氧化物半導體場效應應晶體管（MOSFET）和絕緣柵UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能夠灌，拉高峰值電流脈沖進入到電容負載，此電容負載提供了軌到軌驅動的雙極型晶體管（IGBT）開關。借助于固有的大大減少擊穿電流的設計能力以及極小傳播延遲（典型值為17ns）。

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V時提供4A拉電流和4A灌電流（對稱驅動）峰值驅動電流功能。 /p>

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的寬VDD范圍以及-40°C到140°C的寬溫度范圍內運行.VDD引腳上的內部欠壓閉鎖（UVLO）電路保持VDD運行范圍之外的輸出低電平。能夠運行在諸如低于5V的低電壓電平上，連同同類產品中最佳的開關特性，使得此器件非常適合于驅動諸如GaN功率半導體器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供（只用于預覽）。

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的輸入引腳閥值基于CMOS邏輯電路，此邏輯電路的閥值電壓是VDD電源電壓的函數。通常情況下，輸入高閥值（V _IN-H ）是V _DD 的55％，而輸入低閥值（V _IN-L ）是V _DD 的39％。高閥值和低閥值之間的寬滯后（通常為V _DD 的16％）提供了出色的抗擾性并使用戶能夠通過在輸入脈寬調制（PWM）信號和器件的INx引腳間使用RC電路來引入延遲。

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在EN引腳上還特有一個可懸空使能功能.EN引腳可以保持在一個不連接的狀態，這樣可以分別實現UCC27518A-Q1，UCC27519A-Q1和TPS2828，TPS2829器件間的引腳兼容性。使能引腳閥值是一個固定電壓閥值并且不會隨著V _DD 偏置電壓的改變而變化。通常情況下，使能高閥值（V _EN-H ）為2.1V，而使能低閥值（V _EN-L ）為1.25V。