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      FDV303N 數字FET，N溝道

      數據：

      產品信息

      這些N溝道增強模式場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術生產。 這種高密度工藝專為最大限度地降低低柵極驅動條件下的通態電阻而定制。 該器件特別為使用一個鋰或三個鎘或NMH電池的電池電路應用設計。 該器件可作為一個轉換器使用，或在緊湊型便攜電子設備，例如無線電話和傳呼器的高效微型分立DC/DC轉換中使用。 該器件即使在柵極驅動電壓低至2.5V時仍具有出色的通態電阻。
      • ? 25 V，0.68 A 連續電流，2 A 峰值。
      • R
      • = 0.45 Ω @ V
      • = 4.5 V
      • R
      • = 0.6 Ω @ V
      • = 2.7 V
      • ? 柵極驅動電平要求極低，從而可在 3 V 電路中直接運行。 V
      • < 1.0 V。
      • ? 柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。
      • ? 緊湊型工業標準 SOT-23 表面貼裝封裝。
      • ? TN0200T 和 TN0201T 的備選方案。

      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（8）
      元器件購買 FDV303N 相關庫存
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