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標(biāo)簽 > 制造工藝
制造工藝指制造CPU或GPU的制程,或指晶體管門電路的尺寸,單位為納米(nm)。主流的CPU制程已經(jīng)達到了7-14納米(AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝,intel第9代全面采用14nm),更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達到了4nm或更高,已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。
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鋰電池結(jié)和制造,生產(chǎn)工藝流程全解析詳細資料概述
鋰電池前端工藝的結(jié)果是將鋰電池正負極片制備完成,其第一道工序是攪拌,即將正、負極固態(tài)電池材料混合均勻后加入溶劑,通過真空攪拌機攪拌成漿狀。配料的攪拌是鋰...
減成法工藝是在覆銅箔層壓板表面上,有選擇性除去部分銅箔來獲得導(dǎo)電圖形的方法。減成法是當(dāng)今印制電路制造的主要方法,它的最大優(yōu)點是工藝成熟、穩(wěn)定和可靠。
稱TFT-LCD技術(shù)基于半導(dǎo)體IC制造加工。TFT-LCD技術(shù)的獨特之處在于它使用玻璃基板,而不是傳統(tǒng)的硅晶圓。對于TFT制造工藝,薄膜形成,如CVD,...
DC SCAN與AC SCAN的異同 常用的OCC電路結(jié)構(gòu)分析
不同人設(shè)計的電路不一樣,它就是一個2選一的clock mux,設(shè)計時注意處理一下cdc的path,不要產(chǎn)生glitch就行了。
半導(dǎo)體制造工藝之快速加熱退火(RTA)系統(tǒng)
離子注入后的快速加熱退火(RTA)工藝是快速加熱步驟 (RTP)中最常使用的一種技術(shù)。當(dāng)離子注入完成后,靠近表面的硅晶體結(jié)構(gòu)會受到高能離子的轟擊而嚴(yán)重損...
鋰聚合物電池可說是無所不在,它們出現(xiàn)在手機、平板電腦、筆記本電腦,以及混合動力/電動車輛中;我們很少會想到它們,除非討論到一些消費性電子設(shè)備電池壽命似乎...
現(xiàn)代半導(dǎo)體處理器由數(shù)十億個晶體管構(gòu)成,這些晶體管構(gòu)成了集成電路的元件以及其他組件。這些晶體管放大或調(diào)節(jié)電路內(nèi)的電信號流,重要的是還可以充當(dāng)開關(guān),形成邏輯...
電源線的型號規(guī)格主要可以從以下兩個方面進行分類: 按制造工藝和結(jié)構(gòu)特征分類: 根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)特征,電源線可分為單支導(dǎo)體硬線和多股絞合軟線。單支導(dǎo)體硬...
當(dāng)前,無論是多層板的層數(shù)還是通孔的孔徑,無論是布線寬度還是線距,都趨于細微化。由于絕緣距離的縮短以及電子設(shè)備便攜化的影響,導(dǎo)致電路板容易發(fā)生吸濕現(xiàn)象,進...
從現(xiàn)有PCB工藝制作情況來看,在PCB上安裝擠壓螺母可大致分為兩種方案,一種是專用螺母安裝設(shè)備加工,在拼版PCB分片后進行螺母安裝,另一種是先安裝擠壓螺...
硅片減薄蝕刻技術(shù):RIE技術(shù)將硅片減薄到小于20微米
引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積,從而為家庭消費提供足夠的能量。我們?nèi)A林科納認為,借助光阱方案,適當(dāng)鈍化的IBC電池...
從微架構(gòu)設(shè)計和制造工藝低功耗CPU的實現(xiàn)
隨著智能手機等移動應(yīng)用的興起,目前的處理器設(shè)計不僅要提供高性能,還必須要符合另一個重要指標(biāo),那就是低功耗。通過簡單地降低電壓或頻率來實現(xiàn)低功耗不可取——...
22nm技術(shù)節(jié)點的FinFET制造工藝流程
半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成,這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu),并且從一個器件到下一個器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟,以確保實現(xiàn)所...
在集成電路的制造過程中,有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因為有了它,我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。 現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前,1822年法國人N...
電子封裝是芯片成為器件的重要步驟,涉及的材料種類繁多,大量材料呈現(xiàn)顯著的溫度相關(guān)、率相關(guān)的非線性力學(xué)行為。 相關(guān)工藝過程中外界載荷與器件的相互作用呈現(xiàn)典...
增大絕緣紙的包絡(luò)尺寸,意味著插紙時,絕緣紙與鐵芯內(nèi)壁貼合更緊密,絕緣紙穿出鐵芯槽時摩擦力增大,將大幅增加絕緣紙插入時卷邊、變形的風(fēng)險。
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