多晶硅與單晶硅各有哪些優良性質？又是怎樣制造出來的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優良性質？有哪些應用？又是怎樣制造...

2023-10-26 標簽：多晶硅MOSFET單晶硅 1884 0

多晶硅的塊狀破碎過程解析

人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進行錘擊達到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強度使用下也不容易磨損。

2024-02-27 標簽：多晶硅短脈沖放電高壓脈沖 1835 0

多晶硅蝕刻殘留物的的形成機理

為了闡明蝕刻殘留物的形成機理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發現在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘...

2022-05-06 標簽：多晶硅蝕刻 1614 0

IGBT輸出IV溫度特性介紹

IGBT單胞結構參數：溝道長度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區半寬度13μm，窗口區半寬度12μm

2023-07-05 標簽：多晶硅IGBT輸入電容 1547 0

有了2D NAND，為什么要升級到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。

2024-03-17 標簽：多晶硅NANDFlaSh 1501 0

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標簽：多晶硅蝕刻襯底 1438 0

硅片形貌效應及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關系的解析

硅片形貌效應在光刻工藝中十分重要，特別是在現代集成電路制造中，如FinFET等先進器件結構以及雙重圖形技術的廣泛應用下，硅片表面的微小不平整性對光刻結果...

2024-11-22 標簽：多晶硅硅片DPT 1377 0

上海交大梁正：探究表面雜原子對硅烷解離影響

多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲能設備和半導體領域中廣泛使用的關鍵材料。

2024-01-23 標簽：太陽能電池多晶硅半導體 1137 0

半導體行業之晶體生長和硅片準備（一）

在接下來的一個章節里面，我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法，以及后續如何將其轉化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產拋光晶圓的過程(晶體...

2023-12-18 標簽：多晶硅半導體晶圓 1063 0

淺析多晶硅錠中位錯存在的兩種來源

根據晶體凝固生長與位錯形成、運動與增殖的理論，多晶硅錠中位錯存在兩種來源：原生和增殖。

2024-03-27 標簽：多晶硅 851 0

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通...

2025-04-08 標簽：多晶硅工藝芯片制造 834 0

LPCVD方法在多晶硅制備中的優勢與挑戰

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態的結構特征、沉積技術及其工藝參數展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優勢與挑戰，并結合不同工藝條件對材...

2025-04-09 標簽：多晶硅半導體工藝 607 0

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

2025-04-02 標簽：多晶硅半導體晶體管 577 0

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源、分布、存在形式以及降低雜質的方法。

2025-04-15 標簽：多晶硅工藝碳化硅 348 0