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標簽 > 導通電阻
導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
理想的PN結(jié)在正向?qū)ê髴撌菦]有電阻的,而實際的PN結(jié)比如二極管受材料、工藝的影響,在導通時實際上兩端還有一個電阻,這個電阻一般在幾歐到幾十歐之間,被稱為導通電阻。導通電阻可由二極管;兩端電壓和導通電流求得。
導通電阻是二極管的重要參數(shù),它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法...
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設備的帶電)而導致的柵極破壞
超結(jié)理論應用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術介紹
功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導通電阻與擊穿電壓關系如下式所示。
AD5423和ADG5401F相互配合的精密模擬輸出模塊方案
工業(yè)過程需要對執(zhí)行器進行精準而穩(wěn)健的控制,以便管理流量、溫度和壓力等過程參數(shù)。精密模擬輸出模塊,即所謂可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(tǒng)(DCS...
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-19 標簽:導通電阻模擬開關電路增益
類別:IC datasheet pdf 2012-06-25 標簽:導通電阻MAX14634雙向電池開關
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-07 標簽:導通電阻MTM非晶硅反熔絲
dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對系統(tǒng)來說,過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過該變化速率通過系統(tǒng)電路...
導通電阻,導通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開關的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成,可使正負信號傳輸,如果將不同VI
數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...
在高溫下,溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的,在接近最高結(jié)溫時,溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得...
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實現(xiàn)最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...
艾為電子推出超低導通電阻的雙通道單刀雙擲模擬開關-AW35321QNR
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關。0.5Ω(典型值)超低導通電阻以及只需要單電源供電即可支持負擺幅信號的特性使其非常適合應用于...
揚杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開關和導通特性
產(chǎn)品特點 1、優(yōu)異的開關特性和導通特性; 2、更好的導通電阻溫度特性,顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進的封裝技術,SGT ...
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