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《芯片制造》是2010年8月1日電子工業出版社出版的圖書，作者是（美國）贊特。本書介紹了半導體工藝的制作制程、誕生、發展、半導體材料和化學品的性質等方面闡述。
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在芯片的硅基世界中，硼離子注入（Boron Implant） 如同納米級的外科手術——通過精準控制高能硼原子打入晶圓特定區域，構建出晶體管性能的“地基”...
在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質層的厚度已縮至1納米以下（約5個原子層）。此時，傳統二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導致的漏電功耗可...
ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在...
劃片機（DicingSaw）在半導體制造中主要用于將晶圓切割成單個芯片（Die），這一過程在內存儲存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產中至...
微振控制在現行國家標準《電子工業潔凈廠房設計規范》GB50472中有關微振控制的規定主要有：潔凈廠房的微振控制設施的設計分階段進行，應包括設計、施工和投...
在芯片制造中，光刻技術在硅片上刻出納米級的電路圖案。然而，當制程進入7納米以下，傳統光刻的分辨率已逼近物理極限。這時， 自對準雙重圖案化（SADP） 的...
在芯片制造的納米世界里，閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”——微小偏差即可導致系統性崩潰。作為晶圓接受測試(W...
但當芯片做到22納米時，工程師遇到了大麻煩——用光刻機畫接觸孔時，稍有一點偏差就會導致芯片報廢。 自對準接觸技術（SAC） ，完美解決了這個難題。
從早期的平面 CMOS 工藝到先進的 FinFET，p 型襯底在集成電路設計中持續被廣泛采用。為什么集成電路的制造更偏向于P型硅？
在指甲蓋大小的芯片上，數十億晶體管需要通過比頭發絲細千倍的金屬線連接。隨著制程進入納米級，一個看似微小的細節——連接晶體管與金屬線的"接觸孔&...
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了...
在芯片制造這一復雜且精妙的領域中，氮化硅（SiNx）占據著極為重要的地位，絕大多數芯片的生產都離不開它的參與。從其構成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元...
半導體元素是芯片制造的主要材料，芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導體通過一些微觀的構造與參...
半導體是一種介于導體和絕緣體之間的導電性，半導體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝，我們可以構建出各種元件，如...
二氧化硅是芯片制造中最基礎且關鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應用場景，解析SiO?在柵極氧化、側墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
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