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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SemiQ第三代SiC MOSFET：車充與工業(yè)應(yīng)用新突破

SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實現(xiàn)突破性升級，芯片面積縮小20%，開關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。...

2025-03-03 標簽：MOSFET SiC 車充 774 0

國產(chǎn)SiC模塊賦能組串式儲能變流器（PCS）助力能源高效利用

SiC模塊 BMF240R12E2G3 成為組串式儲能變流器（PCS）首選功率模塊并全面取代 IGBT 模塊和 IGBT 單管方案的核心原因如下： BM...

2025-03-03 標簽：SiC 儲能 PCS 238 0

國產(chǎn)SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案

基本半導體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優(yōu)勢分析以及全面取代老舊的2000V器件...

2025-03-03 標簽：SiC MPPT 飛跨電容 259 0

瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解...

2025-03-01 標簽：封裝 SiC 功率模塊 544 0

超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...

2025-03-01 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 347 0

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析，產(chǎn)品亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標準完善與生態(tài)重構(gòu)，才能實現(xiàn)從“低端...

2025-03-01 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 390 0

華大半導體與湖南大學成功舉辦SiC功率半導體技術(shù)研討會

近日，華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術(shù)研討會，共同探討SiC功率半導體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進展及挑戰(zhàn)。

2025-02-28 標簽：SiC 功率半導體華大半導體 547 0

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象，比如2024已經(jīng)有超過兩家Si...

2025-02-28 標簽：二極管 SiC 247 0

從國產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導體行業(yè)洗牌

近期，多家客戶接連發(fā)生國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導體質(zhì)量問題，嚴重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導體國產(chǎn)化替代進程，從...

2025-02-28 標簽：SiC 功率半導體碳化硅 209 0

碳化硅行業(yè)觀察：2025年SiC功率器件廠商大洗牌

2025年碳化硅（SiC）功率器件設(shè)計公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢，其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績...

2025-02-26 標簽：芯片功率器件 SiC 358 0

電力電子產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇：國產(chǎn)SiC模塊取代進口IGBT模塊

國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢，既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果，也是中國電力電子產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。

2025-03-01 標簽：模塊 IGBT SiC 388 0

安森美新型SiC模塊評估板概述

碳化硅（SiC）技術(shù)正引領(lǐng)一場革新，為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的...

2025-02-25 標簽：安森美 SiC 評估板 375 0

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視，電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料...

2025-02-25 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 456 0

納微半導體APEC 2025亮點搶先看

近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣...

2025-02-25 標簽：SiC APEC GaN 792 0

SiC模塊并聯(lián)ANPC拓撲在225kW儲能變流器中的方案優(yōu)勢

BASiC基本半導體(BASiC Semiconductor)SiC模塊BMF240R12E2G3并聯(lián)ANPC拓撲在225kW儲能變流器PCS中的損耗分...

2025-02-25 標簽：模塊 SiC 儲能變流器 242 0

國產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓撲中的應(yīng)用分析

分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個SiC MOSFET型號（B3M040065Z和B3M040120Z）在T型三電平...

2025-02-24 標簽：MOSFET SiC 168 0

逆變器應(yīng)用中國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管損耗計算對比

國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管在125kW儲能變流器逆變損耗計算對比以及國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管趨勢分析：一、關(guān)鍵參數(shù)提取與對比以下為...

2025-02-24 標簽：逆變器 IGBT SiC 316 0

英飛凌200mm SiC技術(shù)取得突破，2025年首供客戶

英飛凌在200mm碳化硅(SiC)產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重大進展，計劃在2025年第一季度向客戶推出首批基于這一先進技術(shù)的產(chǎn)品。這些創(chuàng)新產(chǎn)品將在奧地利的菲拉赫生...

2025-02-19 標簽：英飛凌 SiC 可再生能源 406 0

環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價格趨于穩(wěn)定

近日，環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025...

2025-02-19 標簽：SiC 碳化硅 345 0

香港科技大學陳敬課題組揭示GaN與SiC材料的最新研究進展

香港科技大學電子與計算機工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Mee...

2025-02-19 標簽：SiC GaN 372 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標準

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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手機快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
系統(tǒng)電源

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LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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