科銳開發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

　　美國科銳公司（Cree）開發(fā)出了直徑為150mm（6英寸）、晶型結(jié)構(gòu)為4H的n型SiC外延晶圓，適用于制造功率半導(dǎo)體、通信部件及照明部件等。

　　此次開發(fā)的晶圓厚100μm，可使用現(xiàn)有的150mm晶圓的設(shè)備來制造。開發(fā)品具有足夠的均質(zhì)性，可以穩(wěn)定供貨，目前已開始銷售。科銳在100mm（4英寸）SiC晶圓方面也有著良好的銷售業(yè)績，今后將繼續(xù)致力于SiC晶圓的大口徑化。

SiC

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led(645460) led(645460)
SiC(61349) SiC(61349)
科銳(23529) 科銳(23529)
功率半導(dǎo)體(42383) 功率半導(dǎo)體(42383)
半導(dǎo)體芯片(69635) 半導(dǎo)體芯片(69635)
美國原廠(16595) 美國原廠(16595)

WD4000國產(chǎn)晶圓幾何形貌量測設(shè)備

WD4000國產(chǎn)晶圓幾何形貌量測設(shè)備通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV、BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。可實現(xiàn)砷化鎵

2024-03-15 09:22:08

C150

COAX ILLUM MODULE W/ 150MM WD

2024-03-14 21:19:47

B150

BASIC MODULE W/ 150MM WD

2024-03-14 21:19:43

F150

INTL FOCUS MODULE W/ 150MM WD

2024-03-14 21:19:43

FC150

FOCUS & COAX MODULE W/150MM WD

2024-03-14 21:19:43

PPT0.5-150MM

150MM POLYIMIDE ULTRA THIN TAPE

2024-03-14 20:50:20

PPT0.51-150MM

150MM POLYIMIDE HIGH TEMP TAPE

2024-03-14 20:50:19

ALTC-150MM

150MM EMI-RFI SHIELDING TAPE

2024-03-14 20:50:17

請問STM32G0B1KBU3N如何使用外部被動晶振?

要使用STM32G0B1KBU3N(UFQFPN32)來做產(chǎn)品開發(fā)，此MCU只有OSC_IN與OSC_EN的PIN,沒有OSC_OUT的PIN,如果我不採用主動式的晶振，我想用被動式的晶振，在電路設(shè)計上應(yīng)該如何實現(xiàn)?謝謝!!

2024-03-07 06:07:04

深圳薩科微slkor

此類產(chǎn)品。根據(jù)其不同用途，可分為檢波?極管、整流?極管、穩(wěn)壓?極管、開關(guān)?極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，?可分為點接觸型?極管、?接觸型?極管及平?型?極管。薩科微總經(jīng)理宋仕強先生介紹說，點接觸型?極管

2024-03-05 14:23:46

淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

2024-03-04 10:45:41

碳化硅外延設(shè)備企業(yè)納設(shè)智能開啟上市輔導(dǎo)

證監(jiān)會近日公告顯示，深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司（簡稱“納設(shè)智能”）已正式開啟首次公開發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案程序。該公司專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）外延設(shè)備以及石墨烯等先進(jìn)材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣，是國產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備的領(lǐng)軍企業(yè)。

2024-02-26 17:28:02

487

外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術(shù)到底對材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？

2024-02-23 11:43:59

300

無圖晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)

WD4000無圖晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)是通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。可兼容不同材質(zhì)

2024-02-21 13:50:34

英飛凌與Wolfspeed擴展并延長150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長的需求。

2024-02-02 10:35:33

332

英飛凌與Wolfspeed延長150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。

2024-01-31 17:31:14

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英飛凌與Wolfspeed擴展并延長多年期 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過此次擴展，雙方的合作又新增了一項多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲

2024-01-30 14:19:16

英飛凌與Wolfspeed延長SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議

為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，我們正在落實一項多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在全球范圍內(nèi)保障對于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源

2024-01-25 11:13:55

?英飛凌與Wolfspeed擴大并延伸多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

）與全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于 2018 年 2 月）。

2024-01-24 09:51:01

239

JG01-SG235單軸測徑儀即可檢測直徑200mm線纜外徑

線纜的直徑不僅僅有小尺寸的，還有一些大尺寸的，諸如200mm內(nèi)的線纜，一般的在線測徑儀測量范圍很少有能達(dá)到該尺寸的，而藍(lán)鵬測控專門對大直徑產(chǎn)品研發(fā)的邊緣檢測法的雙測頭測徑儀，可實現(xiàn)各種大直徑產(chǎn)品

2024-01-10 17:34:30

無圖晶圓幾何形貌測量設(shè)備

WD4000無圖晶圓幾何形貌測量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等

2024-01-10 11:10:39

WD4000半導(dǎo)體晶圓厚度測量系統(tǒng)

WD4000半導(dǎo)體晶圓厚度測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR

2024-01-09 09:08:07

SiC外延層的缺陷控制研究

探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。

2024-01-08 09:35:41

623

中電化合物榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強企業(yè)”

近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強企業(yè)”稱號，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”。這一榮譽充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實力和領(lǐng)先地位。

2024-01-04 15:02:23

523

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述（生長、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等表征方法。

2023-12-28 10:38:03

486

纖芯直徑為62.5μm和50μm的多模光纖能混用嗎？

纖芯直徑為62.5μm和50μm的多模光纖能混用嗎？混用以后會對光纖的傳輸性能產(chǎn)生什么影響？可以混用纖芯直徑為62.5μm和50μm的多模光纖，但是混用后會對光纖的傳輸性能產(chǎn)生一定的影響。首先

2023-12-27 15:44:50

279

普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長

當(dāng)前，SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件，有效的降低了提升了開關(guān)速度，降低了能量損耗，使得整車的重量得到減少，續(xù)航里程得到提升。

2023-12-25 10:43:04

357

TC wafer 晶圓測溫系統(tǒng)廣泛應(yīng)用半導(dǎo)體上支持定制

TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對晶圓表面的溫度進(jìn)行實時測量。通過晶圓的測溫點了解特定位置晶圓的真實溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過程中晶圓發(fā)生的溫度

2023-12-21 08:58:53

晶圓幾何形貌測量設(shè)備

WD4000晶圓幾何形貌測量設(shè)備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV

2023-12-20 11:22:44

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

、耐高溫、高頻及大功率等的器件應(yīng)用需求，在新能源汽車、充電樁、軌道交通和電網(wǎng)等多個領(lǐng)域廣泛應(yīng)用[1-3]。SiC 的3種常見晶型包括3C、4H 和6H，其中4H-SiC 材料的各向異性較小、禁帶寬度大、擊穿電壓高、電子和空穴遷移率大，成為行業(yè)主要研究和應(yīng)用對象[4]。

2023-12-18 09:37:50

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英銳恩知芯社：一片晶圓可以切出多少芯片？# 芯片

芯片晶圓

英銳恩科技發(fā)布于 2023-12-15 15:52:22

優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF Mapping系列：晶圓二氧化硅薄膜厚度測量 #晶圓測試 #二氧化硅 #在線測試機

測試儀晶圓

優(yōu)可測發(fā)布于 2023-12-13 09:11:51

晶圓測溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫

晶圓測溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫晶圓表面溫度均勻性測試的重要性及方法在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個重要的參數(shù)

2023-12-04 11:36:42

pcb的地線,電源線,信號線

位于電路板邊緣的元器件，離電路板邊緣一般不小于 2mm 。電路板的形狀為矩形。長寬比為 3:2 成 4:3.電路板面尺寸大于200×150mm 時。應(yīng)考慮電路板所受的機械強度。

2023-11-30 15:43:41

176

#芯片 #晶圓 1nm芯片傳出新進(jìn)展，晶圓代工先進(jìn)制程競賽日益激烈！

半導(dǎo)體晶圓

深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-11-23 14:41:28

像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線？

請問像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線，芯片太小，過孔和線路都無法布入，或者有沒有其他封裝的AD8233

2023-11-14 07:01:48

編碼器計算長度的原理及公式

電機連著主軸，主軸帶個增量式旋轉(zhuǎn)編碼器，已知編碼器為1600線，主軸直徑為150mm, 主軸為變速轉(zhuǎn)動，變速后面伸出來的軸同樣是150MM后面帶了一個轉(zhuǎn)盤為1M。求： 1、主軸的當(dāng)前時刻轉(zhuǎn)速是多少

2023-11-09 06:17:48

晶圓幾何形貌測量及參數(shù)自動檢測機

WD4000晶圓幾何形貌測量及參數(shù)自動檢測機通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷

2023-11-06 10:49:18

半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動檢測機

WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR

2023-11-06 10:47:07

深圳半導(dǎo)體晶圓檢測設(shè)備廠商

WD4000半導(dǎo)體晶圓檢測設(shè)備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI

2023-10-19 11:08:24

第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)業(yè)鏈研究

SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以經(jīng)過外延加工，即在襯底上生長一層新的單晶，形成外延片。

2023-10-18 15:35:39

無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)

WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW

2023-10-18 09:09:00

CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管

CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V

2023-10-17 16:12:54

晶圓代工背后的故事：從資本節(jié)省到品質(zhì)挑戰(zhàn)

晶圓

北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-10-12 10:09:18

不容小覷！碳化硅晶圓沖擊傳統(tǒng)硅晶圓市場！

晶圓碳化硅

北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-10-10 09:20:13

AP30H150KA N溝道 30V 150A 絲印:30H150KA-30h150 mos管

供應(yīng)AP30H150KA N溝道 30V 150A 絲印:30H150KA-30h150 mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>

2023-09-25 10:38:20

DMTH10H4M5LPS 100V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

DMTH10H4M5LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關(guān)性能。該

2023-09-19 13:30:37

DMT10H4M5LPS 100V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

DMT10H4M5LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件

2023-09-18 13:23:02

8mm儲能連接器的顏色分別代表什么？

8mm儲能連接器通常是指一種具有8mm直徑的連接器，常用于新能源電源儲能系統(tǒng)中。這種連接器具有直式8mm黑色I(xiàn)P67防水連接器，能夠承載125A、150A、200A、250A等大電流。其采用

2023-09-07 11:38:05

644

風(fēng)力發(fā)電機軸磨損現(xiàn)場修復(fù)方案

設(shè)備在正常生產(chǎn)運行過程中出現(xiàn)軸承溫度急劇升高的異常情況，在停機拆檢時發(fā)現(xiàn)軸承的安裝位置軸頸出現(xiàn)嚴(yán)重磨損，軸承內(nèi)圈與軸之間相對竄動，造成軸承外壓蓋破損，設(shè)備已經(jīng)無法正常運行。風(fēng)力發(fā)電機軸出現(xiàn)嚴(yán)重磨損，軸承位直徑：?150mm；軸承位寬度：65mm；磨損深度：1.5mm。

2023-09-05 17:35:24

開發(fā)板N9H20K51N arm9用keil開發(fā)，jlin下載，kei選擇flash怎么選擇？

請問新唐開發(fā)板N9H20K51N arm9用keil開發(fā)，jlin下載，kei選擇flash怎么選擇，找不到對應(yīng)型號，還有kei需要什么要十分注意配置選項，還請大神多多解答

2023-09-05 07:29:07

濱正紅PFA花籃特氟龍晶圓盒本底低4寸6寸

PFA花籃（PFA wafer Cassette）又名清洗花藍(lán) ，鐵氟龍卡匣，鐵氟龍晶舟盒，鐵氟龍晶圓盒為承載半導(dǎo)體晶圓片/硅片

2023-08-29 08:57:51

碳化硅外延片全球首個SEMI國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布，瀚天天成主導(dǎo)

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（semi）正式公布了世界最早的“碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個semi國際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》（specification for 4h-sic

2023-08-24 10:37:18

648

一文看懂SiC功率器件

范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為

2023-08-21 17:14:58

1144

C150N50Z4是一款終端

TTM Technologies 的 C150N50Z4 是一款頻率 DC 至 4 GHz、功率 150 W、回波損耗 20 至 24 dB、工作溫度 -50 至 200 攝氏度的終端。標(biāo)簽：芯片

2023-08-17 16:44:16

G150N50W4E端接器

TTM Technologies 的 G150N50W4E 是一款端接器，頻率 DC 至 3 GHz、功率 150 W、回波損耗 20 至 25 dB、工作溫度 -50 至 150 攝氏度。標(biāo)簽

2023-08-17 15:23:47

A150N50X4C是一款終端

TTM Technologies 的 A150N50X4C 是一款終端，頻率 DC 至 3 GHz、功率 150 W、回波損耗 26 dB、工作溫度 -55 至 150 攝氏度。標(biāo)簽：芯片、芯片終端

2023-08-17 15:00:12

A150N50X4B是一款終端

TTM Technologies 的 A150N50X4B 是一款終端，頻率 DC 至 2.7 GHz、功率 150 W、回波損耗 20 至 26 dB、工作溫度 -55 至 200

2023-08-17 14:58:14

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 14:43:34

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【資料分享】全志科技T507-H開發(fā)板規(guī)格書

；（4）協(xié)助正確編譯與運行所提供的源代碼；（5）協(xié)助進(jìn)行產(chǎn)品二次開發(fā)；（6）提供長期的售后服務(wù)。 10 增值服務(wù)主板定制設(shè)計核心板定制設(shè)計嵌入式軟件開發(fā)項目合作開發(fā)技術(shù)培訓(xùn) 更多關(guān)于全志科技T507-H核心板的開發(fā)資料，歡迎在評論區(qū)留言，感謝您的關(guān)注~

2023-08-08 16:28:40

請問STL210N4F7AG這個型號的實物marking是210N4F7H還是210N4F7?

標(biāo)簽上marking信息是210N4F7，怎么實物marking是210N4F7H，這個是正常的？

2023-08-07 11:52:00

SiC外延片測試需要哪些分析

對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。

2023-08-05 10:31:47

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SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎？

2023-08-03 11:21:03

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Renesas與Wolfspeed簽訂10年晶圓供應(yīng)協(xié)議

這份為期十年的供應(yīng)協(xié)議要求Wolfspeed在2025年為Renesas提供150mm碳化硅裸晶和外延晶圓，這強化了兩家公司對于從硅向硅碳化物半導(dǎo)體功率設(shè)備行業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。

2023-07-07 10:46:51

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晶圓級封裝技術(shù)崛起：傳統(tǒng)封裝面臨的挑戰(zhàn)與機遇

晶圓

北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-07-06 11:10:50

瑞薩電子與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

長達(dá) 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)模化生產(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。

2023-07-06 10:36:37

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晶圓測溫系統(tǒng)，晶圓測溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測溫裝置

晶圓測溫系統(tǒng)，晶圓測溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價值。本文

2023-06-30 14:57:40

硅谷之外的繁榮：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在IC設(shè)計、晶圓制造和封裝測試領(lǐng)域的輝煌征程

晶圓

北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-06-27 10:52:55

繞不過去的晶圓測量

晶圓

YS YYDS發(fā)布于 2023-06-24 23:45:59

14.2 SiC晶體結(jié)構(gòu)和能帶

SiC

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:22:10

14.1 SiC基本性質(zhì)（下）

SiC

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:14:08

14.1 SiC基本性質(zhì)（上）_clip002

SiC

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:13:16

14.1 SiC基本性質(zhì)（上）_clip001

SiC

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:12:34

國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實驗

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。

2023-06-19 09:35:52

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GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變

二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實際外延規(guī)范將肖特基二極管降級為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計的，以盡量減少電容電荷，從而實現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。

2023-06-16 11:42:39

高磁場型霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)JH60B的技術(shù)參數(shù)

*1020cm-3*霍爾系數(shù)：±1*10-2～±1*106cm3/C* 遷移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec*測試全自動化，一鍵處理高精度電磁鐵：極頭直徑 100mm;N，S 間距

2023-06-15 10:31:58

開發(fā)板N9H20K51N arm9用keil開發(fā)，jlin下載，kei選擇flash怎么選擇？

2023-06-14 13:50:44

三菱電機成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型

2023-06-09 11:20:09

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SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。

2023-05-31 09:27:09

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