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電子發燒友網>模擬技術>SiC和GaN市場未來如何發展

SiC和GaN市場未來如何發展

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SiC產業市場格局與發展現狀分析

電子發燒友網報道(文/程文智)這幾年第三代半導體產業發展得如火如荼,GaN器件在快充等消費類電子領域得到了廣泛的應用,碳化硅(SiC)器件則被汽車電子廠商委以重任。未來不論是800V高壓平臺,還是電機驅動器的效率提升,都需要SiC器件的深度參與。
2022-03-15 08:55:052611

一文知道GaNSiC區別

半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:015712

用于新型電力電子的 GaNSiC

我們深入探討了 WBG 技術的前景和缺陷,考察了這些硅替代品的優缺點,以及汽車和 5G 等要求苛刻的應用是否足以將 GaNSiC 技術推向未來芯片設計的前沿。
2022-07-27 15:44:03490

寬帶隙半導體:GaNSiC 的下一波浪潮

AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導體,特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391

工業家合作滿足 GaNSiC 市場需求

(SiC) 的采用,電力電子技術走上了一條非凡的道路。Yole Développement (Yole) 估計了這些寬帶隙材料的總體情況。雖然硅仍然占據市場主導地位,但 GaNSiC 器件的出現一直在引領技術走向新的高效成果。 在技術基礎上,碳化硅技術側重于在更大直徑和功率
2022-08-08 15:19:37658

淺談SiCGaN未來發展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23564

2023年第三代半導體GaNSiC MOSFET的發展前景

GaNSiC 冰火兩重天。GaN受消費類市場疲軟的影響,市場增長微乎其微。SiC在光伏新能源、電動汽車以及儲能、充電樁等行業取得了快速發展
2023-02-24 14:25:42941

未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元

全球SiC器件產能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預測,未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元,并可能在2030年代初達到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556

SiCGaN的共源共柵解決方案

GaNSiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類設備,其中許多每天運行數小時,因此節省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05297

GaNSiC功率器件的特點 GaNSiC的技術挑戰

 SiCGaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

SiCGaN 的興起與未來 .zip

SiCGaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226

三安宣布進軍美洲市場,為市場提供SiCGaN功率半導體產品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議,Luminus將成為湖南三安SiCGaN產品在美洲的獨家銷售渠道,面向功率半導體應用市場
2024-01-13 17:17:561042

SiC市場供需之變與未來趨勢

從行業趨勢看,SiC上車是大勢所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會上表示,將減少75%的SiC用量,一度引發SiC未來發展前景不明的猜測,但后續汽車市場和供應商都用實際行動表達了對SiC的支持。
2024-01-24 11:29:16182

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