SiC適合高壓領域,GaN更適用于低壓及高頻領域。
2019-05-04 23:15:48
13824 Wolfspeed,英飛凌,三菱,安森美半導體,意法半導體,ROHM和Toshiba等供應商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半導體浪潮,從而為在市場上與傳統的硅基器件進行對決奠定了基礎。
2019-11-11 18:01:00
10986 在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。據有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體
2013-04-26 10:10:04
1532 SiC、GaN等下一代功率器件的企業有所增加,為數眾多的展示吸引了各方關注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:49
3475 市場研究機構IHS最新統計報告指出,隨著愈來愈多供應商推出產品,2015年碳化矽(SiC)功率半導體平均銷售價格已明顯下滑,有望刺激市場加速采 用;與此同時,氮化鎵(GaN)功率半導體也已開始
2016-03-24 08:26:11
1306 (SiC)和氮化鎵(GaN)占有約90%至98%的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術,但由于其優于硅的性能優勢(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷卻),正在跨行業進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:53
3169 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/E9/1C/o4YBAGBsLa2AJ_pRAAKxI0TBQqk775.png)
電力電子將在未來幾年發展,尤其是對于組件,因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41
761 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/56/39/pYYBAGLeR4mAfPwZAAEeabE99YA908.png)
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下,WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物,并在
2022-07-29 14:09:53
807 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/58/24/pYYBAGLidkyAPfRDAABRiwGXP_g712.jpg)
全球范圍內5G技術的迅猛發展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年,GaN和SiC功率半導體市場規模為7億美元,預計2021年至2027年的復合年增長率
2021-05-21 14:57:18
2257 ,SiC基GaN,主要應用在基站的射頻器件上,比如華為、中興,GaN基產品則主要用在一些高能量的激光器件上。 ? 目前GaN在充電、快充等消費類的應用比較火爆,并逐漸引入到數據中心等工業領域,以及電動汽車的應用中,未來市場空間無限,根據Yolo的數據,
2021-06-16 07:21:00
5046 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:18
4236 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/1D/D4/poYBAGGUVm2AYvpLAAIKSAGZ3XY459.png)
GaN市場規模還高出數倍。 ? 這一筆大規模交易的背后,是對功率GaN市場發展潛力的看好。相比于SiC的功率應用產業化較早,GaN材料最初在LED、射頻等領域經歷了漫長的發展,功率GaN的市場嚴格來說是從19年才真正上規模。 ? 因此功率GaN市場發展潛力被廣泛看好,集邦咨詢的預測
2023-11-10 00:24:00
1758 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AD/4A/wKgaomVMs62AcXTVABcyYsl-M8U535.png)
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:36
1220 導讀:VR 在2016年取得不錯的成績,在2017年市場逐漸成熟,可以預測未來五年市場發展前景良好,VR設備也將更多考慮市場需求,設計出滿足顧客期望的設備。
美國知名科技媒體
2016-12-21 11:31:56
,也是影響LED照明產品穩定性的主要因素之一。由于未來LED照明市場發展空間巨大,相應的LED照明驅動電源市場也有著較大的想象空間,近年來越來越多的企業進入LED照明驅動電源領域。QYResearch
2017-11-07 11:17:22
有硅、SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵),采用硅材料可以使得芯片體積小、重量輕、成本低,而SiC僅可以提高效率節省能源,兩者不能兼得,事實證明只有通過GaN功率IC才可以做到無與倫比的速率和效率。另外
2017-09-25 10:44:14
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
柵極電荷,它可以使用高開關頻率,從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發展,GaN功率元件是個后進者,它是一種擁有類似于SiC性能優勢的寬能隙材料,但擁有更大的成本控制潛力,尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
) !important]推動SiC/GaN功率開關普及的主要應用有太陽能光伏逆變器、電動汽車充電器和儲能轉換器。這里利用了超快的小型高效功率開關的附加價值,為市場帶來了超高開關頻率和超過99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
`根據Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發展,從而使專業的半導體企業受惠;另一方面,他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。在科技發展道路上的,“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43
未來PLC的發展趨勢將會如何?基于PLC的運動控制器有哪些應用?
2021-07-05 07:44:22
據最新消息獲悉,TrendForce在最新調查中預測,未來全球LED智能路燈市場會進入快速發展階段。截止到2024年,將以8.2%的復合年增長率增長。
2020-10-23 11:13:11
未來半導體照明市場競爭激烈,將如何發展呢?哪部分照明將占主要部分呢?依業內人士推測,通用照明將是未來半導體照明市場最大部分。 通用照明包括室內照明和室外照明兩大類。這兩類應用都要求燈具具有高發光效率
2013-10-10 18:01:59
基于汽車音響的發展和現狀,本文總結了未來汽車多媒體的5大發展特征、系統理念和系統架構,并對未來汽車多媒體的發展趨勢進行了簡單的介紹。
2021-05-13 06:48:50
`未來觸控產品發展趨勢之一:高度集成性帶來低成本顯示驅動器IC與觸控功能加以集成、整合的解決方案將是未來的發展方向。由于智能手機向中低端市場延伸,從市場形態看,觸控產業也展現出低成本化的特征
2019-01-07 16:49:17
隨著集成電路產業的不斷騰飛,MCU無疑占領著電子產業神經中樞的地位,針對微控制器未來的發展方向,電子工程世界采訪了愛特梅爾微控制器市場傳訊總監 Philippe Faure。
2019-07-24 08:33:09
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
了谷底的市場行情,一度讓大家對行業的未來發展深表擔憂。如今,顯示屏做到1億以上全國有40家左右,而 純利潤能達到10%的企業并不多。LED顯示屏行業經過此次洗禮之后,行業將會走向規范化,未來,LED顯示屏
2012-11-14 11:41:30
迪生發明白熾燈以來又一次產業革命。現在LED燈條市場還仍然在一個發展期,在節能燈具全面替代白熾燈的時代到來以前,LED燈條還仍然面臨著很強大的市場競爭,怎樣從這個龐大的消費市場脫穎而出,得到消費者的喜愛
2011-03-29 16:42:30
GaN產品更適應5G未來發展回顧基站市場的發展,從GSM時代的窄帶寬,以LDMOS產品為主流,到3G/4G時代信號的帶寬越來越寬,由于LTE的多載波聚合,對效率的要求更高,成本越來越敏感,散熱的要求也在
2017-05-23 18:40:45
的GaN FET組成,這一切都采用了易于使用的四方扁平無引線 (QFN) 封裝,并且能幫助電源設計人員迅速發揮這一材料的真正優勢。為了給GaN創造廣闊的市場發展空間,TI致力于幫助客戶簡化這款產品的使用性
2018-09-10 15:02:53
大家可以討論一下BLDC和BMS的發展和未來的潛力
2022-02-25 00:28:06
/ xzl1019 未來 5 年 GaN 預測的最大市場是移動快速充電,預計到 2025 年市場將達到 7 億美元 xi.ii 硅設計繼續被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W,大多數新的更高功率、旗艦智能手機充電器設計(從 45 W 到 100 W)都是 GaN。如有侵權,請聯系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
標準制定和技術開發方面處于領先水平。隨著RFID技術的成熟和普及,各國***都意識到RFID技術對未來的影響和蘊涵的巨大商機,制定相關政策或投入物力,積極推動本國RFID產業發展。
2019-10-12 06:02:27
串行和并行接口SRAM有什么不同?串行接口的發展趨勢是怎樣的?SRAM未來將會怎樣發展?
2021-04-19 08:39:19
方形,通過兩個晶格常數(圖中標記為a 和c)來表征。GaN 晶體結構在半導體領域,GaN 通常是高溫下(約為1,100°C)在異質基板(射頻應用中為碳化硅[SiC],電源電子應用中為硅[Si])上通過
2019-08-01 07:24:28
引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火,現在我們結合最新的市場進展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應略微增加的開關頻率,但由于無功能量循環而增加傳導損耗[2]。因此,開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
近年來,物聯網在中國市場快速發展,進一步拉動傳感器產品需求上漲。據中國電子信息產業發展研究院預測,未來五年國內傳感器市場年復合增長31%。汽車、物流、煤礦安監、安防、RFID標簽卡領域的傳感器市場增長較快。
2020-04-21 06:14:35
應用的企圖心。到2020年時,氮化鎵組件將進軍600~900伏特市場,與碳化硅組件的競爭關系升溫。問題:1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥?(這幾年也很熱門)2.
2021-09-23 15:02:11
的加快,將給國內光模塊及芯片企業帶來更多的發展空間。而伴隨國內高端光芯片突破,海外光器件廠商優勢將繼續減小,或繼續收縮業務線,最終國內光器件廠商在全球產業鏈各環節占領市場主導地位。從細分市場看,光芯片
2022-04-25 16:49:45
單片機的原理是什么單片機的特點/應用領域單片機未來的發展方向
2021-04-20 06:22:45
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢,有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商,除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
數字視頻的未來發展如何?
2021-06-08 06:54:46
的應用也因此而迅速增長。現階段,雖然各種交流電動機和直流電動機在傳動應用中占主導地位,但直流無刷電動機正受到普遍的關注。未來幾年,我國直流無刷電機的市場前景較為樂觀。無刷電機行業未來趨勢首先,市場
2018-03-14 10:32:39
汽車電子技術的未來如何發展?網絡技術在汽車中有哪些應用?
2021-05-14 06:47:25
應用看,未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到,一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術,那它就會呈暴發式的增加。在Si材料已經接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
電池供電的未來發展趨勢如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來發展趨勢如何
2021-03-11 06:32:42
電動車續航力的提升有相當的幫助。因此,SiC及GaN功率組件的技術與市場發展,與電動車的發展密不可分。然而,SiC材料仍在驗證與導入階段,在現階段車用領域僅應用于賽車上,因此,全球現階段的車用功率組件
2019-05-09 06:21:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體,如果不妥,請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
請問一下SiC和GaN具有的優勢主要有哪些?
2021-08-03 07:34:15
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援,實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補
2019-06-27 04:20:26
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場(比如電機驅動逆變器市場)采用新技術的速度較慢,而另一些市場(比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術而言,GaN這一材料技術,大大提升了效率和功率密度。
2011-12-01 10:13:10
1513 據權威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發展將更多地集中到SiC和GaN的技術創新上。
2013-09-18 10:13:11
2464 今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業市場。 GaN已經在大部分高功率軍事應用中站穩了腳跟,并且還抓住了有線電視、移動基礎設施的部分市場。
2016-12-14 02:16:11
4541 5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計,2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元,而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:12
35825 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/4E/68/pIYBAFq8joCARSQzAAAeHcxC0b4583.jpg)
功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態的,但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏(PV)逆變器的需求,GaN和SiC功率半導體市場規模呈現井噴式增長。
2018-05-23 15:00:05
9833 出現,但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導了RF GaN市場,已滲透到4G LTE無線基礎設施市場,預計將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構中。
2019-05-09 10:25:18
4319 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/91/B1/pIYBAFzTj5SAX6stAAARqZa1hgE102.jpg)
LED襯底材料是半導體照明產業的基礎材料,其決定了半導體照明技術的發展路線。目前,能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等,但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:03
3716 如在S波段及以上,SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇,而介于兩者之間的話,主要挑戰就是平衡成本與性能,這方面做起來很難。下圖總結了三種晶體管的優缺點,以及在雷達應用中選擇時的考量因素。
2019-08-29 09:12:24
25118 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/9F/9A/pIYBAF1CvJaANC3dAACHKECMS5k173.jpg)
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元,而GaN基板產值
2020-03-15 09:56:57
4129 3 月 6 日訊,因應 5G、電動車時代來臨,對于高頻、高壓功率元件需求大增,帶動氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬能隙半導體材料興起,全球晶圓代工龍頭臺積電宣布與意法半導體合作開發 GaN,瞄準未來電動車之應用。
2020-03-08 15:19:00
1998 作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經發展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現了以Si基器件為主導,SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:00
10157 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C5/84/pIYBAF9HbQmARImGAAAyLk7mHR4629.png)
隨著半導體材料步入第三代半導體時代,行業巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。 事實上,從特性上來講,SiC和GaN的優勢是互補的,應用覆蓋了電動汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器
2020-11-09 10:56:04
2638 11月15日消息 根據 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》,在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的新興市場
2020-11-16 10:19:32
2223 今日寬禁帶半導體聯盟秘書長陸敏博士發表了主題為“SiC和GaN功率電子技術及產業發展趨勢”的演講。
2020-12-04 11:12:04
2263 電子發燒友網報道(文/程文智)這幾年第三代半導體產業發展得如火如荼,GaN器件在快充等消費類電子領域得到了廣泛的應用,碳化硅(SiC)器件則被汽車電子廠商委以重任。未來不論是800V高壓平臺,還是電機驅動器的效率提升,都需要SiC器件的深度參與。
2022-03-15 08:55:05
2611 半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:01
5712 我們深入探討了 WBG 技術的前景和缺陷,考察了這些硅替代品的優缺點,以及汽車和 5G 等要求苛刻的應用是否足以將 GaN 和 SiC 技術推向未來芯片設計的前沿。
2022-07-27 15:44:03
490 AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導體,特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26
391 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/57/92/poYBAGLil1qALFwEAABmZVVGLOg710.jpg)
(SiC) 的采用,電力電子技術走上了一條非凡的道路。Yole Développement (Yole) 估計了這些寬帶隙材料的總體情況。雖然硅仍然占據市場主導地位,但 GaN 和 SiC 器件的出現一直在引領技術走向新的高效成果。 在技術基礎上,碳化硅技術側重于在更大直徑和功率
2022-08-08 15:19:37
658 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/28/DB/pYYBAGHFVTuAJff1AAC7FUqOvwA536.jpg)
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23
564 GaN與SiC 冰火兩重天。GaN受消費類市場疲軟的影響,市場增長微乎其微。SiC在光伏新能源、電動汽車以及儲能、充電樁等行業取得了快速發展。
2023-02-24 14:25:42
941 全球SiC器件產能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預測,未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元,并可能在2030年代初達到100億美元。
2023-03-27 11:10:00
556 GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類設備,其中許多每天運行數小時,因此節省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05
297 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39
431 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8F/D3/wKgZomTS-VmAPSBTAAAzBP91yLA579.png)
SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:22
6 1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道,面向功率半導體應用市場。
2024-01-13 17:17:56
1042 從行業趨勢看,SiC上車是大勢所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會上表示,將減少75%的SiC用量,一度引發SiC未來發展前景不明的猜測,但后續汽車市場和供應商都用實際行動表達了對SiC的支持。
2024-01-24 11:29:16
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