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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星PM883 SSD固態(tài)硬盤:LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒,最先進(jìn)的10nm級工藝制造

三星PM883 SSD固態(tài)硬盤:LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒,最先進(jìn)的10nm級工藝制造

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蘇州回收SSD固態(tài)硬盤

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2021-07-08 19:18:58

業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的RealSSDTM固態(tài)硬盤(SSD)C400

美光科技 (Micron)針對不斷增長的基于閃存的筆記本電腦市場推出了業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的RealSSDTM固態(tài)硬盤(SSD)新產(chǎn)品組合。一種新型的筆記本電腦正在進(jìn)入市場,由于其采用了以閃存為基礎(chǔ)的存儲產(chǎn)品的創(chuàng)新思維,從而具有輕質(zhì)的結(jié)構(gòu),快速的系統(tǒng)響應(yīng)能力和更持久耐用的
2011-02-26 09:26:161820

10nm工藝+6GB LPDDR4內(nèi)存!三星Galaxy Note 6實力爆表

日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上,這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝,承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391122

曝高通10nm處理器將由三星代工生產(chǎn)

導(dǎo)語:聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程,高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶,據(jù)悉,高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27680

驍龍830將采用三星10nm工藝獨家制造 S8將搭載

)將采用三星10nm工藝獨家制造作為交換,拿下高通驍龍830(或835)全部訂單,三星要在Galaxy S8的大部分手機上采用驍龍830(或835)。
2016-10-18 14:06:101131

驍龍835首現(xiàn)身10nm工藝,同時支持最新快充4.0,這是高通要搞事情??!

17日,高通公司宣布將與三星電子合作開發(fā)下一代旗艦級處理器驍龍835,據(jù)稱835將采用三星最先進(jìn)10nm制造工藝。另外,高通表示835將支持最新的快充技術(shù)Quick Charge 4.0。
2016-11-18 11:20:421476

SK海力士宣布出貨8GB LPDDR4手機內(nèi)存三星晚兩個月

在 Samsung Electronics 之后,SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產(chǎn)品。Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公布智能手機用的 8GB
2016-12-22 09:40:381610

傳臺積電10nm工藝良率不夠,聯(lián)發(fā)科或受影響

臺積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝,不過臺媒指其10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題,這意味著其10nm工藝產(chǎn)能將相當(dāng)有限,在它優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能供給蘋果的情況下,對另一大客戶聯(lián)發(fā)科顯然不是好消息。
2016-12-23 10:36:28555

臺積電10nm工藝存在較嚴(yán)重良率問題 多家廠商或受影響

。 聯(lián)發(fā)科由于一直難在高端市場上獲得突破,所以這次狠下心來要采用臺積電的最先進(jìn)工藝10nm生產(chǎn)高端芯片helio X30,并且為了在中端芯片上與高通競爭其中端芯片helio P35也采用10nm工藝
2016-12-23 10:42:11786

驚呆了,逆天的配置三星Galaxy S8:8GB內(nèi)存+UFS 2.1閃存芯片

現(xiàn)在有消息稱,三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432404

臺積電否認(rèn)10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題

12月29日消息,之前有海外媒體報道,臺積電的10nm工藝量產(chǎn)時間本來就較晚,比三星晚了兩個月,臺積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝過程中,出現(xiàn)10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題,對于聯(lián)發(fā)科來說可謂是雪上加霜的事情。
2016-12-29 10:46:04594

制程工藝差距大 英特爾10nm處理器將超越三星/臺積電

特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星10nm工藝。
2017-01-09 11:46:04728

10nm工藝良品率不足 三星S8可能要搶購了

三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時代,兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片,不過現(xiàn)據(jù)臺媒《電子時報》報道,業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境,預(yù)計Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況,而由于三星S8發(fā)布更早,遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21508

小米6領(lǐng)銜的一大波手機將受影響,因為10nm工藝產(chǎn)能低

2017年是10nm工藝主推的一年。聯(lián)發(fā)科X30從16nm工藝轉(zhuǎn)為了更低功耗的10nm工藝,高通也相對應(yīng)的推出了10nm工藝的驍龍835處理器。由于10nm制造成本高和10nm工藝的產(chǎn)能低,導(dǎo)致了聯(lián)發(fā)科和高通處理器供貨將受到影響。
2017-03-09 09:42:311100

臺積電10nm工藝是什么

的主流制造工藝是110納米工藝,而時至今日,芯片的制造工藝也只剩下了個零頭,2017年的最新制造工藝已經(jīng)提升到了10nm。
2017-11-07 15:52:5310814

三星10nm 8Gb LPDDR5內(nèi)存面世,將在2019年投入量產(chǎn)

昨天上午,三星官方發(fā)言,宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個10nm 8-gigabit(Gb)LPDDR5 DRAM,并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知,三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后,就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001303

僅次于10nm工藝,臺積電引入最先進(jìn)16nm工藝,預(yù)計明年5月投產(chǎn)

臺積電南京工廠將會在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓,據(jù)悉,臺積電會引進(jìn)16nm FinFET制造工藝,僅次于10nm FinFET,并在南京設(shè)立一個設(shè)計服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
2017-12-10 09:30:46910

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報道,三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù),比初代10nm級別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785

揭秘Intel 10nm工藝,晶體管密度是三星10nm工藝的兩倍

作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”,英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經(jīng)跳票三年之久,每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布,眾人翹首以待10nm的到來,可英特爾還是給用戶潑冷水,繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:005069

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00809

三星第二代10nm級別工藝LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機平板等移動設(shè)備更省電

根據(jù)報道,三星第二代10nm級別工藝LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn),相比第一代,雖然性能沒有提升,但是功耗再降10%,可使手機平板等移動設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:23902

三星10nm級16Gb LPDDR4X DRAM開始量產(chǎn),主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143

10nm以下先進(jìn)制程 臺積電和三星采取怎樣的策略

晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺,隨著英特爾的10nm制程久攻不下,聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后,10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:373675

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251

三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215

SSD固態(tài)硬盤為什么要使用SLC緩存

現(xiàn)在固態(tài)硬盤都有“SLC緩存”,作為當(dāng)前固態(tài)硬盤的標(biāo)配功能,大家多少都會對它有所了解,但要徹底從原理上講透它的原理,卻也頗費一番功夫。
2020-01-31 13:37:003743

固態(tài)硬盤的使用時限是多少,SSD壽命不光由閃存來決定

固態(tài)硬盤又稱SSD,里面值錢的幾樣的東西分別是主控芯片、緩存、閃存顆粒,這也是影響固態(tài)性能和壽命的幾個關(guān)鍵因素。
2019-12-18 17:51:5441406

英偉達(dá)安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報道,爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報道的臺積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:292234

三星即將發(fā)布 870 EVO SSD: TLC 顆粒,SATA 3 接口,最高 4TB 容量

LPDDR4 緩存、2TB 版本搭載 2GB LPDDR4 緩存、4TB 版本搭載 4GB LPDDR4 緩存。 速度方面,三星 870 EVO 連續(xù)讀取速度 560MB/s,連續(xù)寫入速度 530MB/s,隨機讀取速度分別為 98k 和 88k IOPS。 目前,三星尚未公布何時發(fā)
2021-01-19 17:52:313440

M2固態(tài)硬盤堆料:顆粒、主控、協(xié)議對SSD有什么影響

顆粒、主控、協(xié)議這些配置決定了一塊固態(tài)硬盤的性能與定位。和手機一樣,高端旗艦定位的固態(tài)硬盤,在參數(shù)配置方面大多數(shù)都是采用了目前主流廠商的零部件,比如鎂光TLC、群聯(lián)的主控等等。 那么顆粒、主控、協(xié)議
2021-10-19 18:04:322239

SSD固態(tài)硬盤的主控芯片重要嗎

固態(tài)硬盤也叫SSD,是由主控芯片、閃存顆粒緩存單元組合起來的一塊電子集成板。
2021-12-21 15:01:204139

三星宣布已開發(fā)出用于企業(yè)服務(wù)器的PM1743固態(tài)硬盤

官方發(fā)布 今日,三星宣布已開發(fā)出用于企業(yè)服務(wù)器的PM1743固態(tài)硬盤PM1743固態(tài)硬盤擁有最新的PCIe 5.0接口和三星先進(jìn)的第6代V-NAND閃存技術(shù)。
2021-12-30 11:57:362948

SSD緩存有3種 千萬別買錯!

考考你:固態(tài)硬盤SSD的三大主要元件哪個不是必須的? A.主控芯片 B.緩存芯片 C.閃存顆粒 如果你選的是B,那恭喜你答對了。 聰明的你肯定要問了,既然緩存不是必須的,那為什么有的固態(tài)硬盤堅持要有
2022-10-25 18:09:151642

三星發(fā)布高性能PC固態(tài)硬盤 將計算和游戲體驗推向新高度

宣布高性能PCIe 4.0 NVMe SSD固態(tài)硬盤)--?PM9C1a的生產(chǎn)工作準(zhǔn)備就緒。PM9C1a是基于三星5納米(nm)高端工藝和第七代V-NAND技術(shù)的全新內(nèi)存產(chǎn)品,將顯著提升PC
2023-01-12 21:32:10380

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思?

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思? LPDDR4LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機和移動設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對移動設(shè)備而設(shè)計的,因為移動設(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:445970

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