LM5112 器件 MOSFET 柵極驅動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供高峰值柵極驅動電流,并改善高頻運行所需的功率耗散。復合輸出驅動器級包括并聯工作的 MOS 和雙極晶體管,它們共同從容性負載吸收超過 7 A 的峰值電流。結合 MOS 和雙極器件的獨特特性,減少了驅動電流隨電壓和溫度的變化。提供欠壓鎖定保護,以防止因柵極導通電壓不足而損壞 MOSFET。LM5112 器件提供反相和非反相輸入,以使用單一器件類型滿足反相和非反相柵極驅動的要求。
*附件:lm5112.pdf
特性
- LM5112-Q1 符合汽車應用要求
- 符合 AEC-Q100 1 級標準
- 采用汽車級流程制造
- 復合 CMOS 和雙極輸出可減小輸出電流變化
- 7A 灌電流和 3A 拉電流
- 快速傳播時間:25 ns(典型值)
- 快速上升和下降時間:14 ns 或 12 ns
上升或下降(2nF 負載) - 反相和非反相輸入通過單個器件提供任一配置
- 電源軌欠壓鎖定保護
- 專用輸入接地 (IN_REF) 用于
雙電源或單電源作 - 功率增強型 6 引腳 WSON 封裝
(3 mm × 3 mm)或熱增強型
MSOP-PowerPAD 封裝 - V 級輸出擺幅
抄送到 VEE 系列相對于輸入接地為負數
參數
方框圖
一、產品概述
LM2是一款高性能的MOSFET柵極驅動器,專為需要高峰值電流和快速開關的應用而設計。該驅動器提供高達7A的峰值漏電流和A的峰值源電流,適用于DC/DC開關模式電源供應器、AC/DC開關模式電源供應器、太陽能微型逆變器以及電磁鐵和電機驅動等應用。LM2具備汽車級AEC-Q Grade 1認證,適用于高可靠性汽車應用。
二、主要特性
- ?高峰值電流?:A峰值漏電流,A峰值源電流。
- ?快速開關速度?:典型傳播延遲ns,ns或ns的上升/下降時間(帶2nF負載)。
- ?輸入靈活性?:具備反相和非反相輸入,通過單個設備即可滿足不同配置需求。
- ?供電軌欠壓鎖定保護?:防止MOSFET因柵極開啟電壓不足而損壞。
- ?專用輸入地?:支持分立供電或單一供電操作。
- ?緊湊封裝?:提供引腳WSON(3mm×mm)或引腳MSOP-PowerPAD封裝,適用于高頻操作。
三、引腳功能
- ?IN?:非反相輸入引腳,TTL兼容閾值。
- ?INB?:反相輸入引腳,TTL兼容閾值。
- ?IN_REF?:輸入地,用于分立供電配置的系統邏輯地。
- ?VCC?:正電源電壓輸入。
- ?VEE?:驅動輸出的功率地,可連接到電源地或負柵極驅動供電。
- ?OUT?:柵極驅動輸出,能夠從VEE擺動到VCC。
- ?N/C?:未連接引腳。
四、電氣特性
- ?工作電壓范圍?:VCC相對于IN_REF和VEE為.V至V。
- ?欠壓鎖定閾值?:VCC相對于IN_REF的欠壓鎖定閾值為2.4V至.V,具有mV的遲滯。
- ?輸入閾值?:高電平閾值.V至2.3V,低電平閾值0.8V至.5V。
- ?輸出電阻?:高電平輸出電阻Ω至Ω,低電平輸出電阻1.4Ω至.Ω。
五、功能描述
- ?復合輸出驅動級?:結合MOS和雙極晶體管,優化寬輸出電壓和操作溫度范圍內的電流能力。
- ?電平移位電路?:提供單電源或分立電源配置選項。
- ?欠壓鎖定保護?:當VCC相對于IN_REF的電壓差低于2.8V時,禁用驅動器并將輸出引腳保持在低電平狀態。
六、應用信息
- ?典型應用?:作為PWM控制器和主功率開關器件之間的緩沖級,用于驅動低側MOSFET,減少開關損失。
- ?設計指南?:包括輸入/輸出邏輯配置、供電電壓水平、峰值源/漏電流、負載電容和開關頻率等設計考慮因素。
七、布局與熱管理
- ?布局指南?:推薦將驅動器靠近MOSFET放置,使用短而粗的走線連接關鍵引腳,以減少寄生電感和EMI。
- ?熱管理?:通過估算最壞情況下的結溫,確保可靠的長期操作,利用暴露的銅焊盤進行有效散熱。
八、封裝與訂購信息
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