優勢和特點

• 反射式 50 Ω 設計
• 低插入損耗：典型值0.6 dB（2.7 GHz）
• T_CASE = 105°C 時高功率處理能力
  • 長期（使用壽命>10 年）
    • 峰值功率：43 dBm
    • CW功率：38 dBm
    • LTE平均功率 (8 dB PAR)：35 dBm
• 單次事件（工作時間<10 秒）
  • LTE平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
• 高線性度
  • P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
  • IP3：65 dBm（典型值，2.0 GHz至4.0 GHz時）
• ESD 額定值
  • HBM：2 kV，2 級
  • CDM：1.25 kV
• 單正電源：5 V
• 正控制，CMOS/TTL 兼容
• 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP 封裝

產品詳情

ADRF5132是一款高功率、反射式、0.7 GHz至5.0 GHz、單刀雙擲(SPDT)反射式開關，采用無引腳、表貼封裝。該開關非常適合高功率和蜂窩基礎設施應用，如長期演進(LTE)基站。ADRF5132具有35 dBm LTE（在105°C時的平均典型值）高功率處理能力、0.6 dB (2.7 GHz)低插入損耗、65 dBm（典型值）輸入3階交調點和42.5 dBm的0.1 dB壓縮(P0.1dB)。片內電路在5 V單正電源電壓下工作，典型電源電流為1.1 mA（典型值），使其成為基于引腳二極管開關的理想替代器件。

該器件提供符合RoHS標準的緊湊型16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP 封裝。

應用

• 蜂窩/4G 基礎設施
• 無線基礎設施
• 軍事和高可靠性應用
• 測試設備
• 引腳二極管替代器件

方框圖