MC10E1652比較器采用安森美半導體先進的MOSAIC III工藝制造，輸出兼容10H邏輯器件。此外，該器件還提供16引腳DIP和20引腳表面貼裝封裝。但是，MC10E1652提供用戶可編程的遲滯。
鎖存使能（LENabar和LENbbar）輸入引腳采用標準ECL 10H邏輯電平工作。當鎖存使能處于邏輯高電平時，MC10E1652充當比較器;因此，如果V1> V2（V1比V2更正），Q將處于邏輯高電平。 Qbar是Q的補充。當鎖存使能輸入變為低邏輯電平時，輸出被鎖存在其當前狀態，從而提供鎖存使能設置和保持時間約束。通過向HYS引腳施加偏置電壓來控制輸入滯后電平。
100系列包含溫度補償。 典型3.0 dB帶寬> 1.0 GHz 典型V至Q傳播延遲775 ps 典型輸出上升/下降350 ps 共模范圍-2.0 V至+3.0 V 啟用單個鎖存器 差分輸出 工作模式： V = 5.0 V，V = -5.2 V 可編程輸入遲滯 無內部輸入下拉電阻 ESD保護：> 2 KV HBM，> 100 V MM 符合或超過JEDEC規范EIA / JESD78 IC閂鎖測試 濕度敏感度等級1

有關其他信息，請參閱應用說明AND8003 / D

可燃性等級：UL-94代碼V-0 @ 1/8“，氧指數28至34 晶體管數= 85設備