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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場,金剛石MOSFET聚焦極端需求
金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導體的潛力 金剛石MOSFET被認為是下一代功率半導體的重要發展方向,尤其在高壓、高溫、高頻等極端環境下展現出顯著優...
納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011,PIN TO PIN AP20G02BDF
NX7011采用先進的溝槽技術,提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個獨立的MOSFET且漏源導通電阻低,可最大限度地降低損耗并減少...
國產碳化硅(SiC)MOSFET行業近年來在政策扶持、市場需求和技術突破的推動下快速發展,但伴隨的行業亂象也暴露出深層次的結構性問題,對中國功率半導體行...
碳化硅MOSFET充電樁電源模塊爆雷時間點預計始于2026年
充電樁電源模塊客戶擔憂現有碳化硅(SiC)MOSFET供應商的柵極可靠性問題可能在未來三五年內“爆雷”,其科學依據主要基于以下關鍵點: 碳化硅MOSFE...
長期工作的充電樁電源模塊中碳化硅MOSFET失效率越來越高的罪魁禍首:柵氧可靠性埋了大雷
近期很多充電運營商反應采用國產碳化硅MOSFET的工作僅僅一兩年的充電樁電源模塊故障頻率越用越高,結合常見碳化硅MOSFET的失效問題,不難看出充電樁電...
算力革命背后的隱形力量:仁懋MOSFET如何讓服務器電源效率狂飆?
算力時代的高壓挑戰隨著AI大模型訓練集群規模突破10萬卡,單機柜功率密度已飆升至30kW,傳統服務器電源的MOSFET面臨極限考驗——1%的效率差距意味...
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia(安世半導體)正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
新品 | 采用電平位移驅動器和碳化硅SiC MOSFET交錯調制圖騰柱5kW PFC評估板
新品采用電平位移驅動器和碳化硅SiCMOSFET交錯調制圖騰柱5kWPFC評估板電子設備會污染電網,導致電網失真,威脅著供電系統的穩定性和效率。為此,電...
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創新X.PAK封裝技術
近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的...
安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SPM31智能...
BASiC:國產碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業引領者
國產碳化硅MOSFET行業亂象與功率半導體發展的必然性 國產碳化硅MOSFET行業當前正處于技術追趕與市場擴張的關鍵期,但也暴露出技術浮躁、標準缺失、劣...
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代Cool...
只能靠版圖微調與營銷話術的國產碳化硅MOSFET設計公司被掃入歷史塵埃
國產碳化硅MOSFET設計公司當前面臨的困境,本質上是技術路徑依賴與底層工藝能力缺失的必然結果。其“無言之痛”不僅體現在市場競爭力的喪失,更折射出中國半...
為何國產650V碳化硅MOSFET成為超結MOSFET的噩夢
國產650V碳化硅(SiC)MOSFET之所以成為超結(Super Junction, SJ)MOSFET的“噩夢”,主要源于其在性能、成本、應用場景及...
ROHM推出超低導通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業級高性能服務器和AI服務器電源,開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功...
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現出顯著優勢,隨著國產碳化硅MOSFET技...
納芯微發布新一代CSP封裝MOSFET NPM12017A系列
納芯微正式發布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,該系列產品是對納芯微已量產的CSP MOS的完美升級與補充。...
新品 | 采用CoolSiC? MOSFET的7.5kW電機驅動器評估板
新品采用CoolSiCMOSFET的7.5千瓦電機驅動器評估板EVAL-FS33MR12W1M1HM5是采用33mΩ1200V碳化硅MOSFET模塊的三...
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