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LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優勢包括：超低輸入和輸出電容、零反向恢復（可將開關損耗降低多達 80%），以及低開關節點振鈴（可降低 EMI）。這些優勢實現了像...
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG342xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA...
該LMG3425R050集成了硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V/n...
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V...
對講機作為一種即時的無線通訊設備，擁有著不受信號影響、更便捷的集群通訊、更持久的續航等優勢，能夠幫助用戶進行團隊成員之間的快速、便捷溝通。近日，小米推出了一款專為運動設計的對講機產品，擁有著非常小巧的機身，搭配多款磁吸可穿戴配件，滿足滑雪、騎行、徒步等多場景的便捷使用。 ? 小米運動對講機在功能配置...
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）通常在復雜的電磁環境中運行，然而，關于磁場干擾（MFI）對其性能和可靠性的影響的研究較少，尤其是在高功率應用中。本文提出了一種結合計算磁學方法和電路建模技術的混合方法，用于研究突發脈沖磁場對IGBT模塊的干擾效應。首先，通過等效電路模型表示IGBT模塊，隨后針對其易受干擾...
在 ARM 和 FPGA 之間通信的通信過程中，通信開始或者完成時，需要實時通知對方，如果 ARM 使用類似 while (1) 循環進行反復查看標志位，會造成 CPU 空轉，影響工作效率。如果使用中斷加內核驅動的方式，雖然可以提高效率，但這對開發驅動的工程師有較高的技術要求，因為內核驅動運行在內核...
UCC5304器件是一款隔離式單通道柵極驅動器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它旨在驅動 PFC、隔離式 AC/DC、DC/DC 和同步整流應用中的功率 MOSFET 和 GaNFET，通過大于 100V/ns 的共模瞬態抗擾度 （CMTI） 實現快速開關性能和強大的接地反彈保護。 ...
一、前言最近，RT-Thread發布了一款名為ART-PI2的新開發板，搭載了STM32H7RS微控制器。好久沒接觸STM32的東西了，借此機會也了解ST的新產品。STM32H7RS的一大特點是其內部Flash僅有64KB，這對于需要較大固件的應用來說顯然不夠用。因此，在實際開發中，通常需要借助外部...
UCC28782 是一款用于 USB Type C? PD 應用的高密度有源鉗位反激式 （ACF） 控制器，通過在整個負載范圍內恢復漏感能量和自適應 ZVS 跟蹤，效率超過 93%。 最大頻率為 1.5 MHz，可以最大限度地減少磁性元件。頻率抖動有助于提高 EMI 裕量。該UCC28782還...
驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章以閱讀雜談的方式講解如何正確理解和應用這些功能，也建議讀者收藏和閱讀推薦的資料以作參考。驅動電路有兩類，隔離型的驅動電路和電平移...
從科幻走入現實，人形機器人正經歷一場靜默而深刻的技術革命：更高效的能源控制、更精準的運動算法、更高速的通信架構、更智能的環境感知能力......這些變革正在重塑機器人的“骨骼”、“神經”與“感官”。...
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅動器，適用于標準和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過實現近乎理想的二極管仿真UCC24612可降低輸出整流器的損耗，并間接降低初級側的損耗。漏極到源極 （V ~DS 系列~ ） 傳感控制方案允許UCC24612使用多種拓撲結構，例如有源...
UCC28056 器件基于創新的混合模式方法驅動 PFC 升壓級，該方法在滿載時以轉換模式 （TM） 運行，并在降低負載時無縫轉換為斷續導通模式 （DCM），從而自動降低開關頻率。該器件采用突發模式作，以進一步提高輕負載性能，使系統能夠滿足具有挑戰性的能源標準，同時無需關閉 PFC。...
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式 （ACF） 轉換器<。該LMG2610通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計，減少了元件數量，并...
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG352xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA...
LMG3522R030-Q1 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 1...
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這...
案例72：PCB中鋪“地”和“電源”要避免耦合【現象描述】某產品采用框體背板結構，其他PCB插在背板上通過背板進行互連，正視面的底板安裝背板PCB,其他PCB與背板垂直連接，產品結構安裝示意圖如圖6.27所示。框體采用-48V直流供電。-48V電源信號通過背板傳送到插在框體并與背板相連的各個PCB中...
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。 可編程導通轉換速率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻器相...
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