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臺積電的16nm有多個版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術（16FF +）和16nm FinFET Compact技術（16FFC）。...
搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個是技術，一個是資金，一個是市場，在技術上日本是指望跟美國的IBM公司合作，后者前兩年就演示過2nm工藝，但IBM的2nm工藝還停留在實驗室級別，距離量產要很遠。...
“超微型”是芯片內封裝MLCC的主要特點，01005/008004尺寸MLCC，超小體積、超薄高度的特點，非常適合芯片內空間小的場景。...
金線與金線短路 客戶: Atheros (CABGA) 不良: 金線與金線引腳短路 失效模式: 測試失效 (短路)...
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰，imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。...
我們以光模塊的封裝為例，TOSA 和 ROSA 的主要封裝工藝包括 TO 同軸封裝、蝶形封裝、COB 封裝和 BOX 封裝。...
引線鍵合步驟完成后，就該進行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝，并保護半導體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環氧樹脂密封引線鍵合芯片，這樣就完成了我們所知道的半導體芯片。...
裸芯通過微凸點組裝到Interposer上，如上圖所示。其Interposer上堆疊了三顆裸芯。Interposer包括兩種類型的互聯：①由微凸點和Interposer頂部的RDL組成的水平互連，它連接各種裸芯②由微凸點、TSV簇和C4凸點組成的垂直互聯，它將裸芯連接至封裝。...
DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。...
針對任一半導體，DASP軟件可以計算給出如下性質：熱力學穩定性、元素化學勢空間的穩定范圍、缺陷（含雜質，下同）形成能、缺陷轉變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復合速率等。...
通常來說，對于小芯片減薄劃片時使用UV膜，對于大芯片減薄劃片時使用藍膜，因為，UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強度來控制，防止芯片在抓取的過程中漏抓或者抓崩。...
作為高可靠性芯片連接技術，銀燒結技術得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導體頭部公司相繼推出類似技術，已在功率模塊的封裝中取得了應用。...
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