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電子發燒友網>制造/封裝>淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰

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引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”,被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作,是微納制造技術的關鍵性材料光刻膠光刻工藝最重要的耗材,其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:229350

EUV光刻機就位后仍需解決的材料問題

荷蘭造價上億的龐大機器到位并組裝好后,并不意味著EUV光刻機的生產工作完全準備就緒。隨著先進工藝晶圓制造中圖案化策略和分辨率重視程度的攀升,為了滿足這些需求,與EUV光刻技術相關的材料同樣需要納入考量,尤其是光刻膠和防護膜。 ? EUV
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2017-09-29 09:09:1712238

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2022-01-10 11:37:131396

A股半導體光刻膠企業營收靚麗!打造光刻膠全產業鏈 博康欲成國產光刻膠的中流砥柱

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2022-08-29 15:02:235918

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,增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環節的重要材料,目前主要被日美把控,國內在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等,那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優勢,國內廠商在光
2021-08-12 07:49:005380

半導體光刻膠企業營收靚麗!打造光刻膠全產業鏈 博康欲成國產光刻膠的中流砥柱

電子發燒友原創 章鷹 ? 近日,全球半導體市場規模增長帶動了上游半導體材料旺盛需求,“光刻膠”的突破也成為國內關注焦點。正當日本光刻膠企業JSR、東京應化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718

光刻工藝步驟

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2021-01-12 10:17:47

光刻技術原理及應用

,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為,接觸式曝光只適于分立元件和、小規模集成電路的生產。  非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統,掩膜圖形經光學系統成像在感光層上,掩模與晶片上的感光
2012-01-12 10:51:59

光刻機工藝的原理及設備

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2020-07-07 14:22:55

光刻膠

MEMS、芯片封裝和微加工領域。目前,直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結構與微零件已經成為微加工領域的一項新技術。在微流控芯片加工,SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運用
2018-07-12 11:57:08

光刻膠在集成電路制造的應用

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2019-11-07 09:00:18

光刻膠殘留要怎么解決?

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2016-11-29 14:59:18

Futurrex高端光刻膠

并可作永久隔層。 NR9-P 系列 負性光刻膠,具有高粘附性適用于電鍍及濕法蝕刻。 NR71-P 系列 負性光刻膠,用于干法蝕刻掩模應用并能作為永久隔層。 NR21-P 系列 負性光刻膠,用于厚度超過
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JCMSuite應用—衰減相移掩模

在本示例,模擬了衰減相移掩模。該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠掩模的單元格如下圖所示:掩模的基板被具有兩個開口的吸收材料所覆蓋。在其中一個開口的下方,位于相移區域。 由于這個例子是所謂的一維
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LCD段碼屏光刻不良-浮

,得認真找出原因。同時,出現問題的玻璃得返工。顯影時出現浮的原因一般有:1)涂膠前玻璃表面清潔處理不當,表面有油污,不汽,或玻璃清潔后在空氣中放置時間過長,空氣的水汽附在玻璃表面上;或者涂膜操作
2018-11-22 16:04:49

LCD段碼液晶屏生產工藝流程

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2019-07-16 17:46:15

Microchem SU-8光刻膠 2000系列

后,將負光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝2條件下進行曝光。曝光結束后,選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液浸漬顯影,隨后用氮氣吹干。SU-8光刻膠的優點:1
2018-07-04 14:42:34

lithography平板印刷技術

lithography是一種平板印刷技術,在平面光波回路的制作中一直發揮著重要的作用。具體過程如下:首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面,淀積一層光刻膠;使用掩模版對光刻膠曝光固化,并在
2018-08-24 16:39:21

《炬豐科技-半導體工藝》光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號:JFSJ-21-0作者:炬豐科技網址:http
2021-07-06 09:39:22

《炬豐科技-半導體工藝》IC制造工藝

工藝步驟:光刻:通過在晶片表面涂上均勻的薄薄一層粘性液體(光刻膠)來定義圖案的過程。光刻膠通過烘烤硬化,然后通過光穿過包含掩模信息的掩模版進行投射而選擇性地去除。蝕刻:從晶片表面選擇性地去除不需要的材料
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一文帶你了解芯片制造的6個關鍵步驟

的關鍵。這包括使用新的材料讓沉積過程變得更為精準的創新技術。光刻膠涂覆晶圓隨后會被涂覆光敏材料光刻膠”(也叫“光阻”)。光刻膠也分為兩種——“正性光刻膠”和“負性光刻膠”。正性和負性光刻膠的主要
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三種常見的光刻技術方法

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2012-01-12 10:56:23

光學材料

和(SHOWA)配件富臨設備配件、鉆石砂輪、鉆石研磨液、光刻膠、東進光刻膠、安智光刻膠、蝕刻液、去光阻液、固態臘、日東藍白膜、鈹銅針、鎢鋼針`高溫吸嘴LED芯片及封裝設備相關的配件和耗材 咨詢電話
2008-08-27 10:18:39

全球進入5nm時代

,并不能單純依靠核心工藝的創新與EUV設備的加持。從材料角度來說,光刻膠半導體材料的創新也是制程演進的關鍵所在。去年,日韓之間的半導體材料大戰爆發,韓國用于制造半導體和零部件設備的光刻膠、高純度氟化氫和含
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2021-01-22 10:48:36

機有什么典型應用 ?

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2020-03-23 09:00:57

求助 哪位達人有在玻璃上光刻的經驗

 本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正 同樣的工藝和參數在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41

液晶顯示器是什么原理制造的

的清洗與干燥: 將用清洗劑以及去離子水(DI 水)洗凈ITO 玻璃,并用物理或者化學的方法將ITO 表面的雜質和油污洗凈,然后把水除去并干燥,保證下道工藝的加工質量。 C. 涂光刻膠: 在ITO 玻璃
2016-06-30 09:03:48

芯片制作工藝流程 二

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2019-08-16 11:11:34

芯片里面100多億晶體管是如何實現的

是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程,刻蝕工藝位于光刻工藝之后,有圖形的光刻膠層在刻蝕不會受到腐蝕源的顯著侵蝕,從而完成圖形轉移的工藝步驟。刻蝕環節是復制
2020-07-07 11:36:10

光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

魂遷光刻,夢繞芯片,芯國際終獲ASML大型光刻機 精選資料分享

據羊城晚報報道,近日中芯國際從荷蘭進口的一臺大型光刻機,順利通過深圳出口加工區場站兩道閘口進入廠區,芯國際發表公告稱該光刻機并非此前盛傳的EUV光刻機,主要用于企業復工復產后的生產線擴容。我們知道
2021-07-29 09:36:46

離線光刻膠微粒子計數器

、半導體、超純水、電子產品、平板玻璃、硅晶片、產品進行在線顆粒監測和分析。產品優勢:離線優勢:PMT-2離線光刻膠微粒子計數器外接離線取樣裝置,可實現實驗室、工廠
2022-12-14 10:44:24

在線光刻膠液體粒子計數器

 PMT-2在線光刻膠液體粒子計數器,采用英國普洛帝核心技術創新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器,雙精準流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統,可以對清洗劑、半導體、超純水
2023-01-03 15:54:49

光刻掩膜版測溫儀,光刻機曝光光學系統測溫儀

光刻膠(光敏)進行光刻,將圖形信息轉移到基片上,從而實現微細結構的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統將光線聚焦到光刻膠上,通過掩膜版(也稱為光刻掩膜)上的圖形
2023-07-07 11:46:07

光刻膠有多難?不亞于光刻機!#芯片

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#硬聲創作季 微電子工藝:光刻83.2--光刻膠

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Mr_haohao發布于 2022-10-21 02:03:43

【科普轉載】光刻工作原理簡介03(光刻膠)#硬聲創作季

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光刻膠光刻工藝技術

光刻膠光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210

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光刻膠是用來制作圖案的光敏聚合物,它是造成隨機性效應的罪魁禍首之一。根據定義,隨機效應描述了具有光量子隨機變化的事件。它們是不可預測的,沒有穩定的模式。
2018-03-27 08:09:0010811

極紫外(EUV光刻挑戰,除了光刻膠還有啥?

隨機變化需要新方法、新工具,以及不同公司之間的合作。 極紫外(EUV光刻技術正在接近生產,但是隨機性變化又稱為隨機效應正在重新浮出水面,并為這項期待已久的技術帶來了更多的挑戰
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一文解析刻蝕機和光刻機的原理及區別

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2018-04-10 09:49:17131483

光刻膠是芯片制造的關鍵材料,圣泉集團實現了

這是一種老式的旋轉涂膠機,將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊,可以通過機器的旋轉的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面,光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面,才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498

光刻技術的原理和EUV光刻技術前景

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助力高級光刻技術:存儲和運輸EUV掩模面臨的挑戰

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2019-07-03 15:32:371712

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近日,日本對韓國進行出口限制,光刻膠材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:493498

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光刻膠概念股南大光電10月23日公告,擬投資新建光刻膠材料以及配套原材料項目。
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近日,上海新陽在投資者互動平臺上表示,公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機已完成廠內安裝開始調試,ARF193nm光刻膠配套的光刻機預計12月底到貨。
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2019-12-16 13:58:527318

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2月28日,美國泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時微電子中心合作開發了新的EUV光刻技術,不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產能,還將光刻膠的用量最多降至原來的1/10,大幅降低了成本。
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2020-09-15 14:00:1416535

材料在線:2020年光刻膠行業研究報告

技術水平與國際先進水平仍存在較大差距,自給率僅10%,主要集中于技術含量相對較低的PCB領域,6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%,8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%,12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒有國內企業可以大規模生產。 基于此,新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:252957

博聞廣見之半導體行業中的光刻膠

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2022-12-06 14:53:541238

EUV光刻機還能賣給中國嗎?

ASML的EUV光刻機是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產的設備,其中10nm及以下的芯片制造,EUV光刻機必不可缺。一臺EUV光刻機的售價為1.48億歐元,折合人民幣高達11.74億元
2020-10-19 12:02:499647

為打破光刻膠壟斷,我國冰刻2.0技術獲突破

光刻膠是微納加工過程中非常關鍵的材料。有專家表示,中國要制造芯片,光有光刻機還不夠,還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
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2020-12-25 18:24:096227

集成電路制造的光刻與刻蝕工藝

光刻是集成電路工藝中的關鍵性技術。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經過光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963

光刻膠板塊的大漲吸引了產業注意 ,國產光刻膠再遇發展良機?

5月27日,半導體光刻膠概念股開盤即走強,截至收盤,A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停,容大感光大漲13.28%,揚帆新材大漲11.37%,南大光電
2021-05-28 10:34:152623

光刻膠光刻機的關系

光刻膠光刻機研發的重要材料,換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕跡,就需要網硅片上涂一層光刻膠
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世人皆言光刻膠難,它到底難在哪里

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晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應用

什么是光刻光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗;阻擋層的形成;光刻膠應用;軟烤;掩模對準;曝光和顯影;和硬烤。
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采用雙層抗蝕劑法去除負光刻膠

本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑,選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量的影響。實驗表明,低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23756

關于EUV光刻機的缺貨問題

臺積電和三星從7nm工藝節點就開始應用EUV光刻層了,并且在隨后的工藝迭代中,逐步增加半導體制造過程中的EUV光刻層數。
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euv光刻機三大核心技術 哪些公司有euv光刻

中國芯的進步那是有目共睹,我國在光刻機,特別是在EUV光刻機方面,更是不斷尋求填補空白的途徑。
2022-07-05 10:38:3516742

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光刻機是芯片制造的核心設備之一。目前世界上最先進的光刻機是荷蘭ASML的EUV光刻機。
2022-07-06 11:03:077000

euv光刻機目前幾納米 中國5納米光刻機突破了嗎

ASML的極紫外光刻機(EUV),這個是當前世界頂級的光刻機設備。 在芯片加工的時候,光刻機是用一系列光源能量和形狀控制手段,通過帶有電路圖的掩模傳輸光束。 光刻設備涉及系統集成、精密光學、精密運動、精密材料傳輸、高精度微環境控制等多項先
2022-07-10 11:17:4242766

euv光刻機是哪個國家的

說到芯片,估計每個人都知道它是什么,但說到光刻,許多人可能不知道它是什么。光刻機是制造芯片的機器和設備。沒有光刻機的話,就無法生產芯片,因此每個人都知道光刻機對芯片制造業的重要性。那么euv光刻
2022-07-10 11:42:276977

duv光刻機和euv光刻機區別是什么

目前,光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線,EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術,EUV使用的是深紫外光刻技術。EUV為先進工藝芯片光刻的發展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127

euv光刻機原理是什么

光刻機的原理是接近或接觸光刻,通過無限接近,將圖案復制到掩模上。直寫光刻是將光束聚焦到一個點上,通過移動工作臺或透鏡掃描實現任意圖形處理。投影光刻是集成電路的主流光刻技術,具有效率高、無損傷等優點。 EUV光刻機有光源系統、光學鏡頭、雙工
2022-07-10 15:28:1015099

干法刻蝕去除光刻膠的技術

灰化,簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉,光刻膠的基本成分是碳氫有機物,在射頻或微波作用下,氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應,生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通過泵被真空抽走,完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871

EUV光刻技術相關的材料

與此同時,在ASML看來,下一代高NA EUV光刻機為光刻膠再度帶來了挑戰,更少的隨機效應、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統的正膠和負膠肯定是沒法用了,DUV光刻機上常用的化學放大光刻膠(CAR)也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現瓶頸
2022-07-22 10:40:082010

光刻膠az1500產品說明

光刻膠產品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:252

光刻膠為何要謀求國產替代

南大光電最新消息顯示,國產193nm(ArF)光刻膠研發成功,這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體;徐州博康宣布,該公司已開發出數十種高端光刻膠產品系列,包括
2022-08-31 09:47:141285

光刻膠的原理和正負光刻膠的主要組分是什么

光刻膠的組成:樹脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機械與化學性質(如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等);感光劑,感光劑對光能發生光化學反應;溶劑(Solvent
2022-10-21 16:40:0415831

EUV光刻的兩大挑戰者,誰扛大旗?

過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術的發展。在使用 F2 準分子激光器開發基于 157 納米的光刻技術方面付出了一些努力,但主要關注點是使用 13.5 納米軟 X 射線作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術。
2023-02-02 11:49:592234

EUV 光刻制造全流程設計解析

其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統,再到光掩模,再到對準系統,再到晶圓載物臺,再到光刻膠化學成分,再到鍍膜機和顯影劑,再到計量學,再到單個晶圓。
2023-03-07 10:41:581134

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會在第一個轉移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應該減小。
2023-04-27 16:25:00689

全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過光化學反應,經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩(掩模版)轉移到待加工基片上。依據使用場景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775

EUV光刻技術優勢及挑戰

EUV光刻技術仍被認為是實現半導體行業持續創新的關鍵途徑。隨著技術的不斷發展和成熟,預計EUV光刻將在未來繼續推動芯片制程的進步。
2023-05-18 15:49:041792

一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測、補償

光刻機需要采用全反射光學元件,掩模需要采用反射式結構。 這些需求帶來的是EUV光刻掩模制造領域的顛覆性技術。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰,包括掩模基底的低熱膨脹材料的開發、零缺陷襯底拋光、多層膜缺陷檢查、多層膜缺陷修復等。
2023-06-07 10:45:541012

9.5.11 新型光刻膠材料∈《集成電路產業全書》

點擊上方藍字關注我們NextGenerationLithographyMaterials撰稿人:北京科華微電子材料有限公司陳昕審稿人:復旦大學鄧海光掩模光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路
2022-02-16 09:44:28226

日本光刻膠巨頭JSR同意國家收購

JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應商之一,其產品是制造先進芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597

EUV光刻市場高速增長,復合年增長率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩模EUV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術,用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導體器件。
2023-08-07 15:55:02399

EUV光刻膠開發面臨哪些挑戰

EUV光刻膠材料是光敏物質,當受到EUV光子照射時會發生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰方面發揮著關鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度(LER)、降低釋氣和提高熱穩定性。
2023-09-11 11:58:42349

EUV薄膜容錯成本高 成芯片良率的關鍵

近20年來,EUV光源、EUV掩模EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術挑戰
2023-09-14 09:45:12563

什么是EUV光刻EUV與DUV光刻的區別

EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設計過程中的后續步驟。
2023-10-30 12:22:55615

光刻膠黏度如何測量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質?

勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數,那么我們在勻膠時,是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質?
2023-12-15 09:35:56442

光刻膠分類與市場結構

光刻膠主要下游應用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用,占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%,是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346

光刻膠光刻機的區別

光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18402

淺談不同階段光刻機工作方式

在曝光過程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1,分辨率可達到4-5微米。由于掩模光刻膠膜層反復接觸和分離,隨著曝光次數的增加,會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788

關于光刻膠的關鍵參數介紹

與正光刻膠相比,電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來,從而形成負像。
2024-03-20 11:36:50200

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