引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”,被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作,是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材,其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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關(guān)鍵詞:氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明,臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑,即使被高劑量的離子注入破壞
2022-01-10 11:37:13
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光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代?中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機會和挑戰(zhàn)如何?光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力?在南京半導(dǎo)體大會期間,徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:23
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,增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料,目前主要被日美把控,國內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等,那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢,國內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:00
5380 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日,全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增長帶動了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求,“光刻膠”的突破也成為國內(nèi)關(guān)注焦點。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:00
2718 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型:正性光刻和負(fù)性光刻,區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
:1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)。 光致抗蝕劑 簡稱光刻膠或抗蝕劑,指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑:受光照部分發(fā)生降解反應(yīng)而能為顯影液所溶解。留下的非
2012-01-12 10:51:59
關(guān)于光刻工藝的原理,大家可以想象一下膠片照片的沖洗,掩膜版就相當(dāng)于膠片,而光刻機就是沖洗臺,它把掩膜版上的芯片電路一個個的復(fù)制到光刻膠薄膜上,然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
的厚膜圖形;它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性;在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián),是一種化學(xué)擴大負(fù)性膠,可以形成臺階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形;在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點:1
2018-07-12 11:57:08
在集成電路制造中的應(yīng)用,對其反應(yīng)機理及應(yīng)用性能指標(biāo)進(jìn)行闡述,重點從工藝的角度去提出新的研究方向。關(guān)鍵詞:光刻膠;應(yīng)用性能;反應(yīng)機理;集成電路;光刻 中圖分類號:TN305.7 文獻(xiàn)標(biāo)識碼: A
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后,受到光照的部分變得容易溶解,經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分,然后生成了圖案是這樣的: 感覺間距小的地方全都有殘留,間距大的地方?jīng)]有殘留;工藝參數(shù):s9920光刻膠, evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆,前烘:100攝氏度,90s
2016-11-29 14:59:18
Futurrex,成立于1985年,位總部設(shè)在美國新澤西州,富蘭克林市。 公司業(yè)務(wù)范圍覆蓋北美、亞太以及歐洲。Futurrex在開發(fā)最高端產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長的歷史,尤其是其光刻膠
2010-04-21 10:57:46
環(huán)境濕度太大,使膠與玻璃表面粘附不良。因此,得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環(huán)境的溫,濕度及清潔工作。2)光刻膠配制有誤或膠陳舊不純,膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好,使膠與ITO層成健能力差,或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
的雜質(zhì)和油污洗凈,然后把水除去并干燥,保證下道工藝的加工質(zhì)量。C. 涂光刻膠:在ITO玻璃的導(dǎo)電層面上均勻涂上一層光刻膠,涂過光刻膠的玻璃要在一定的溫度下作預(yù)處理。D. 前烘:在一定的溫度下將涂有
2019-07-16 17:46:15
SU 8光刻膠系列產(chǎn)品簡介:新型的化學(xué)增幅型負(fù)像 SU- 8 膠是一種負(fù)性、環(huán)氧樹脂型、近紫外線光刻膠,克服了普通光刻膠采用 UV光刻導(dǎo)致的深寬比不足的問題,十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術(shù),在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過程如下:首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面,淀積一層光刻膠;使用掩模版對光刻膠曝光固化,并在
2018-08-24 16:39:21
的,并且在光刻膠顯影步驟后驗證了附著力。沒有參考文獻(xiàn)提到在濕蝕刻過程中使用預(yù)涂層處理來提高附著力,也沒有觀察到對濕蝕刻輪廓的影響,這通常歸因于蝕刻劑的 GaAs 晶體結(jié)構(gòu)和特性。 背景: 流程變更 對我們
2021-07-06 09:39:22
區(qū)別在于材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)和光刻膠對光的反應(yīng)方式。對于正性光刻膠,暴露在紫外線下的區(qū)域會改變結(jié)構(gòu),變得更容易溶解從而為刻蝕和沉積做好準(zhǔn)備。負(fù)性光刻膠則正好相反,受光照射的區(qū)域會聚合,這會使其變得更難溶解
2022-04-08 15:12:41
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對準(zhǔn)時,硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成:在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面,大硅片占比最大,占比為32.9%。其次為氣體,占比為14.1%,光掩膜排名第三,占比 為12.6%,其后:分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材,比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
噴膠機是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備。可對不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠,最大涂膠尺寸達(dá)8寸,得到厚度均勻的光刻膠層,同時可對大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠;通過計算機系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
了優(yōu)化的制作倒臺面結(jié)構(gòu)的光刻膠圖形的工藝參數(shù):勻膠轉(zhuǎn)速4 000 r / min,前烘溫度100 ℃,時間60 s,曝光時間0?3 s,反轉(zhuǎn)烘溫度110 ℃,時間90 s,泛曝光時間2 s,顯影時間
2009-10-06 10:05:30
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
一.工藝流程簡述: 前段工位: ITO 玻璃的投入(grading)—— 玻璃清洗與干燥(CLEANING)——涂光刻膠(PR COAT)——前烘烤(PREBREAK)——曝光(DEVELOP
2016-06-30 09:03:48
涂敷光刻膠 光刻制造過程中,往往需采用20-30道光刻工序,現(xiàn)在技術(shù)主要采有紫外線(包括遠(yuǎn)紫外線)為光源的光刻技術(shù)。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造,硅基片表面光刻膠的涂敷、預(yù)烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕
2019-08-16 11:11:34
膠的曝光部分結(jié)構(gòu)被破壞,被溶劑洗掉,使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相同。相反地,在負(fù)性光刻中,負(fù)膠的曝光部分會因硬化變得不可溶解,掩模部分則會被溶劑洗掉,使得光刻膠上的圖形與掩模版上圖
2020-07-07 11:36:10
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
為滿足電磁型平面微電機對定子繞組線圈的高深寬比及厚度要求,提出一種利用AZ4903光刻膠制作電磁平面微電機定子繞組的方法。通過反復(fù)摸索,得到了該光刻膠的較理想_的轉(zhuǎn)速一
2009-06-29 14:20:28
53 PMT-2離線光刻膠微粒子計數(shù)器是一款新型液體顆粒監(jiān)測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器,可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無機化學(xué)品、有機化學(xué)品、有機溶劑、清洗劑
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數(shù)器,采用英國普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器,雙精準(zhǔn)流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng),可以對清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠(光敏膠)進(jìn)行光刻,將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上,從而實現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上,通過掩膜版(也稱為光刻掩膜)上的圖形
2023-07-07 11:46:07
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機,將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊,可以通過機器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面,光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面,才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:37
18498 干膜光刻膠是由預(yù)先配制好的液態(tài)光刻膠(Photoresist)在精密的涂布機上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜(PET膜)上,經(jīng)烘干、冷卻后,再覆上聚乙烯薄膜(PE膜),收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。
2019-01-30 16:49:14
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在國家政策與市場的雙重驅(qū)動下,近年來,國內(nèi)企業(yè)逐步向面板、半導(dǎo)體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:36
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近日,日本對韓國進(jìn)行出口限制,光刻膠材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:49
3498 7月17日,南大光電在互動平臺透露,公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部,并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”,全力推進(jìn)“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”落地實施。目前該項目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗收中,預(yù)計2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線,項目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-07-18 16:14:59
4862 預(yù)計2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線,項目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-07-19 14:08:30
5317 從經(jīng)開區(qū)企業(yè)北京欣奕華科技有限公司(以下簡稱“欣奕華”)了解到,經(jīng)過多年的行業(yè)累積和技術(shù)迭代,欣奕華在平板顯示用負(fù)性光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了量產(chǎn),預(yù)計今年將有1000噸的光刻膠交付用戶,約占國內(nèi)市場的8%。
2019-10-28 16:38:49
3761 近日,上海新陽在投資者互動平臺上表示,公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機已完成廠內(nèi)安裝開始調(diào)試,ARF193nm光刻膠配套的光刻機預(yù)計12月底到貨。
2019-12-04 15:24:45
7942 今年7月17日,南大光電在互動平臺透露,公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部,并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”,全力推進(jìn)“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”落地實施。目前該項目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗收中,預(yù)計2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線,項目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:52
7318 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn),光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計接近90億美元,自2010年至今CAGR約5.4%,預(yù)計未來3年仍以年均5%的速度增長,預(yù)計至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:48
4098 在國際半導(dǎo)體領(lǐng)域,我國雖已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)大國,但整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國內(nèi)光刻膠廠布局較晚,半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)相較于海外先進(jìn)技術(shù)差距較大,國產(chǎn)化不足5%。在這種條件下,國內(nèi)半導(dǎo)體廠商積極開展研究,如晶瑞股份的KrF光刻膠,南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:56
4165 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠(感光油墨)與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來看,目前LCD光刻膠占比26.6%,刻膠占比24.5%,半導(dǎo)體光刻膠占比24.1%,PCB光其他類光刻膠占比24.8%。
2020-06-12 17:13:39
5380 等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩(掩模版)轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。 據(jù)第三方機構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計,2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計近90億美元,
2020-09-15 14:00:14
16535 全球光刻膠市場規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元,年復(fù)合增長率達(dá)6.3%;應(yīng)用方面,光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域,各占約25%市場份額。
2020-09-21 11:28:04
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全球光刻膠市場規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元,年復(fù)合增長率達(dá)6.3%;應(yīng)用方面,光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域,各占約25%市場份額。 國內(nèi)光刻膠整體
2020-10-10 17:40:25
2957 、電子束、準(zhǔn)分子激光束、X射線、離子束等曝光源的照射或輻射,從而使光刻膠的溶解度發(fā)生變化。 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類,光刻膠主要包括印制電路板(PCB)光刻膠專用化學(xué)品(光引發(fā)劑和樹脂)、液晶顯示器(LCD)光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)
2022-12-06 14:53:54
1238 文|Lee 集微網(wǎng)消息,近期,晶瑞股份因購買ASML光刻機設(shè)備受到了資本市場的熱捧,也收到了深交所下發(fā)的關(guān)注函。深交所重點關(guān)注了晶瑞股份本次購買光刻機設(shè)備的具體用途、資金來源以及本次購買光刻機事項
2020-10-21 10:32:10
4139 光刻膠是微納加工過程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示,中國要制造芯片,光有光刻機還不夠,還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:56
4168 ? 導(dǎo) 讀 日前,南大光電公告稱,由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證,線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖:南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:09
6227 近期,專注于電子材料市場研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計和預(yù)測數(shù)據(jù):2021年,半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11%,達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:12
5081 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類,光刻膠主要包括印制電路板(PCB)光刻膠專用化學(xué)品(光引發(fā)劑和樹脂)、液晶顯示器(LCD)光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。
2021-05-17 14:15:52
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由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴產(chǎn)等,占據(jù)全球光刻膠市場份額超兩成的日本供應(yīng)商信越化學(xué)已經(jīng)向中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠,且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠
2021-06-25 16:12:28
784 大漲9.72%,雅克科技大漲9.93%,強力新材、上海新陽、彤程新材等跟漲。 光刻膠板塊的大漲吸引了產(chǎn)業(yè)注意 ,國產(chǎn)光刻膠再遇發(fā)展良機? KrF光刻膠海外供應(yīng)告急 據(jù)了解,光刻膠板塊本輪異動的背后,是KrF光刻膠海外供應(yīng)告急。自日本福島2月份發(fā)生強震后,光刻膠市場一度傳
2021-05-28 10:34:15
2623 光刻膠是光刻機研發(fā)的重要材料,換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕跡,就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:00
11281 來源:?果殼硬科技 1、光刻膠究竟是怎樣一個行業(yè)? 光刻膠,又稱“光致抗蝕劑”,是光刻成像的承載介質(zhì),可利用光化學(xué)反應(yīng)將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射、濾波后的光信息轉(zhuǎn)化為化學(xué)能量,從而把微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到
2022-01-20 21:02:46
1208 
摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑,選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明,低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22
687 
什么是光刻?光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗;阻擋層的形成;光刻膠應(yīng)用;軟烤;掩模對準(zhǔn);曝光和顯影;和硬烤。
2022-03-15 11:38:02
850 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑,選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明,低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23
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本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說,是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中,將殘留在晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:42
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這項研究首先集中于去除直接沉積在硅襯底上的193納米厚的光刻膠和BARC層,使用傅里葉變換紅外光譜(FTIR)和橢圓偏振光譜(SE)來評估去除效率,在第二部分中,研究了金屬硬掩模/多孔低k鑲嵌結(jié)構(gòu)
2022-05-30 17:25:24
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灰化,簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉,光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C物,在射頻或微波作用下,氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通過泵被真空抽走,完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:17
4871 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:25
2 南大光電最新消息顯示,國產(chǎn)193nm(ArF)光刻膠研發(fā)成功,這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體;徐州博康宣布,該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列,包括
2022-08-31 09:47:14
1285 光刻膠的組成:樹脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機械與化學(xué)性質(zhì)(如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等);感光劑,感光劑對光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng);溶劑(Solvent
2022-10-21 16:40:04
15831 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品,海外進(jìn)口依賴較重,不同品質(zhì)之間價 格差異大。以國內(nèi) PAG 對應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠(主要是 KrF、ArF 光刻膠)來看,樹脂在 光刻膠中的固含量
2022-11-18 10:07:43
2574 光刻膠是IC制造的核心耗材,技術(shù)壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù),預(yù)計2022年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模達(dá)到23億美元,同比增長7.5%,2025年超過25億美元。
2023-03-21 14:00:49
2095 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:12
1165 光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān),而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15
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光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11
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20日,西隴科學(xué)(株)發(fā)布公告稱,該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠,占公司營業(yè)收入的比例,是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57
315 為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48
550 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50
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光刻膠類別的多樣化,此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品,也是未來各地廠家的競爭焦點。當(dāng)前市場中,光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36
409 勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù),那么我們在勻膠時,是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?
2023-12-15 09:35:56
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所謂的“光刻膠”,即是在紫外線、電子束等輻射下,其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素,廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多,此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠,將成為各廠商關(guān)注的焦點。
2023-12-28 11:14:34
381 光刻膠又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,是半導(dǎo)體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升,中國有望承接半導(dǎo)體
2024-01-19 08:31:24
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據(jù)吳中發(fā)布的最新消息,簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目,該項投資高達(dá)15億元,旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
2024-01-26 09:18:43
208 光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景,較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:16
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光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18
402 與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負(fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來,從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50
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