天威微電子作為京瓷兼容芯片領(lǐng)導(dǎo)者，現(xiàn)推出TK-4208/TK-4218系列兼容芯片，完美適用于TASKalfa MZ2100/MZ2200系列新款機(jī)型，詳見(jiàn)以下表格。
2024-03-19 09:35:40
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業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼603986)宣布，正式推出基于ArmCortex-M33內(nèi)核的GD32F5系列高性能微控制器，全面適配于能源電力、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)
2024-03-16 08:22:4177 
近日，備受矚目的半導(dǎo)體供應(yīng)商思瑞浦3PEAK正式推出了一款全新的3.3V供電、帶故障保護(hù)功能的高速CAN收發(fā)器——TPT133X系列產(chǎn)品。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的發(fā)布，標(biāo)志著思瑞浦3PEAK在高性能模擬芯片和嵌入式處理器領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次得到市場(chǎng)認(rèn)可。
2024-03-14 11:12:44209 上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司（先楫半導(dǎo)體，HPMicro）推出了國(guó)產(chǎn)高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供單主控的數(shù)字儀表及HMI解決方案
2024-03-13 12:24:57244 
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱(chēng)雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開(kāi)關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 兆易創(chuàng)新GigaDevice，業(yè)界知名的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，今日正式揭曉了其最新研發(fā)成果——GD32F5系列高性能微控制器。這款微控制器基于先進(jìn)的Arm? Cortex?-M33內(nèi)核，為能源電力、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)自動(dòng)化、PLC、網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備以及圖形顯示等多元化應(yīng)用場(chǎng)景提供了強(qiáng)大的支持。
2024-03-08 09:29:06200 上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司（先楫半導(dǎo)體，HPMicro）推出了國(guó)產(chǎn)高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供單主控的數(shù)字儀表及HMI解決方案，攜手生態(tài)合作伙伴構(gòu)建全新的數(shù)字儀表顯示及人機(jī)界面應(yīng)用平臺(tái)。
2024-03-07 12:30:39550 
中國(guó)北京（2024年3月7日）——業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于Arm Cortex-M33內(nèi)核的GD32F5系列高性能微控制器，全面適配于能源電力、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)自動(dòng)化、PLC、網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、圖形顯示等應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-03-07 09:09:23189 
2023年5月11日，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出中國(guó)首款基于Arm? Cortex?-M7內(nèi)核的GD32H737/757/759系列超高性能微控制器。
2024-03-04 10:42:52327 
深圳銀聯(lián)寶繼續(xù)為您推薦一款高性能、低成本的原邊控制功率開(kāi)關(guān)——電源管理ic U62143，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線(xiàn)式充電器應(yīng)用。
2024-02-23 15:56:43231 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
我非常榮幸地向大家推薦幾款高性能的三防平板電腦，這些產(chǎn)品都來(lái)自?xún)|道三防onerugged系列。它們以其卓越的性能和出色的工藝設(shè)計(jì)，成為行業(yè)中備受矚目的產(chǎn)品。
2024-02-20 10:05:33123 Agilent E4419B是一種高性能的雙通道可程控功率計(jì)。它與8480系列功率傳感器和新型E系列功率傳感器完全兼容。依據(jù)所使用的傳感器，E4419B可以在100KHz～110GHz頻率范圍內(nèi)
2024-01-20 08:58:32
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開(kāi)關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
Andes晶心科技，一家專(zhuān)注于高性能處理器IP的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布全面推出其最新產(chǎn)品——AndesCore? AX65。這款高性能處理器IP是AndesCore AX60系列中的首款產(chǎn)品，具備亂序執(zhí)行、超純量、多核處理器的特點(diǎn)，旨在滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高效能處理器的需求。
2024-01-17 14:28:39239 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
AG103/107/205/303/407，與現(xiàn)有STM32產(chǎn)品功能和管腳完全兼容。
AGM的32位MCU采用了自主研發(fā)的高性能單（多）核，以及高性?xún)r(jià)比嵌入式CPU技術(shù)，使其MCU系列產(chǎn)品相對(duì)于國(guó)產(chǎn)同類(lèi)產(chǎn)品
2023-12-29 10:52:29
近日高品質(zhì)微波毫米波器件供應(yīng)商RFTOP（頻優(yōu)微波）推出了兩款高性能3.5mm隔直器，分別為10M-34GHz高頻隔直器和10M-26.5GHz高性?xún)r(jià)比隔直器，進(jìn)一步豐富隔直器產(chǎn)品線(xiàn)。該系列
2023-12-19 13:48:59262 
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16410 
今天兆芯正式推出了自主創(chuàng)新研發(fā)的新一代高性能桌面處理器——開(kāi)先KX-7000系列產(chǎn)品。
2023-12-13 09:31:51784 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
GaAs二極管是WBG功率半導(dǎo)體中的全新成員，其為設(shè)計(jì)人員提供了一種能夠在高性能功率變換器中平衡效率與成本的方案。
2023-12-04 18:23:24455 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
在電子科技日新月異的今天，唯創(chuàng)知音推出了一款極具競(jìng)爭(zhēng)力的CMOS語(yǔ)音芯片——WTN6 F系列。這款芯片憑借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V寬電壓范圍內(nèi)工作的特性，尤其是可重復(fù)燒寫(xiě)的特點(diǎn)
2023-11-27 10:19:15210 在電子科技日新月異的今天，唯創(chuàng)知音推出了一款極具競(jìng)爭(zhēng)力的CMOS語(yǔ)音芯片——WTN6F系列。這款芯片憑借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V寬電壓范圍內(nèi)工作的特性，尤其是可重復(fù)燒寫(xiě)的特點(diǎn)，在語(yǔ)音
2023-11-27 10:10:45149 
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:29
0 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開(kāi)始。
2023-11-08 16:22:22319 功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)
2023-11-01 08:24:31345 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能軟開(kāi)關(guān)功率因數(shù)校正電路的設(shè)計(jì).doc》資料免費(fèi)下載
2023-10-27 11:23:470 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類(lèi)似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類(lèi);每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車(chē)級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 汽車(chē)電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開(kāi)關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車(chē)載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"
2023-10-18 11:38:44554 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
近日，洛微科技對(duì)外發(fā)布新款高性能D系列 TOF相機(jī)D3，這是一款專(zhuān)為工業(yè)環(huán)境中高性能操作設(shè)計(jì)的3D TOF智能相機(jī)。
2023-09-22 10:47:43859 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
發(fā)布Seagull 452系列高性能、低功耗光DSP新品。該系列包括三款光DSP產(chǎn)品：Seagull 452（八通道），Seagull 252（四通道）以及Seagull 152（雙通道）。三款產(chǎn)品均集成VCSEL、EML和SiPho驅(qū)動(dòng)。
2023-09-12 09:02:38444 
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
1 功率分立產(chǎn)品概述
2 IGBT 產(chǎn)品系列
3 HV MOSFET 產(chǎn)品系列
4 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
5 整流器及可控硅產(chǎn)品系列
6 能源應(yīng)用
2023-09-07 08:01:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
能會(huì)對(duì)MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負(fù)面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來(lái)，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會(huì)逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒(méi)有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱(chēng)為雪崩能量[Avalanche energy]，流過(guò)的電流稱(chēng)為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱(chēng)“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
2023年8月16日，高性能嵌入式解決方案廠(chǎng)商“上海先楫半導(dǎo)體（HPMicro）”正式發(fā)布全新產(chǎn)品系列——高性能運(yùn)動(dòng)控制微控制器 HPM5300。獨(dú)具匠“芯”的HPM5300系列以強(qiáng)勁的性能、靈活
2023-08-16 10:35:13211 產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
面向能耗與成本敏感的中高端工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)，不僅對(duì)芯片性能與功耗有更高要求，復(fù)雜的功能需求也考量著芯片的適配性與穩(wěn)定性。極海為平衡客戶(hù)對(duì)產(chǎn)品低功耗、高性能與高性?xún)r(jià)比等綜合需求，正式推出APM32F411
2023-08-06 10:32:48448 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于電機(jī)控制應(yīng)用的高性能功率器件技術(shù)和產(chǎn)品.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-31 16:30:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能系列MCU STM32H5介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-29 10:59:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能20-42 GHz MMIC倍頻器 具有低輸入驅(qū)動(dòng)功率和高輸出功率.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-26 17:03:320 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷(xiāo)售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷(xiāo)售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")今日宣布，在其搭載32位微控制器產(chǎn)品組 “TXZ+TM族高級(jí)系列”的“M3H
2023-06-28 14:18:10416 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
UPG2151TK 數(shù)據(jù)表
2023-06-27 18:35:300 英飛凌科技汽車(chē) MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn)高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹(shù)立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
2SD2686是一款高性能的功率晶體管，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-06-19 14:36:36299 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線(xiàn)。
2023-06-16 09:03:30228 
中國(guó)上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
近年來(lái)，汽車(chē)行業(yè)和綠色能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展迅速推動(dòng)了電子元器件的進(jìn)步，其中高性能電容器的需求越來(lái)越高。在這個(gè)領(lǐng)域中，風(fēng)華高科推出的低損耗、高耐電壓1210C0G630~1000V系列車(chē)規(guī)電容器引起了廣泛
2023-06-09 10:30:42
【 2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V
2023-05-19 10:20:07718 近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個(gè)廠(chǎng)家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列
2023-05-17 13:35:02471 
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出中國(guó)首款基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的GD32H737/757/759系列超高性能微控制器。
2023-05-11 11:16:12910 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開(kāi)關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的，相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
2023-04-26 17:50:102211 
MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021248 評(píng)估，以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性，并開(kāi)發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級(jí)SiC MOSFET特性對(duì)比
2023-04-11 15:29:18
封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。KM3134K是一款20V750mA的N-MOSFET，KM3139K則是-20V-660mA的P-MOSFET，兩款器件
2023-04-04 16:10:39987 
芯茂微電子于近期推出了LP6655系列高性能CCM/DCM定頻PFC控制器。LP6655系列芯片的工作頻率固定，有65kHz/133kHz/200kHz可選；單周期調(diào)制模式能夠提供優(yōu)異的功率因數(shù)表現(xiàn)，同時(shí)芯片在輕負(fù)載下能夠降低工作頻率以提升輕載能效。
2023-03-31 11:14:462424 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
ME8133是一款高性能，高效率電流模式PWM控制器，內(nèi)封650V/4A功率MOSFET，功率最高可達(dá)30W（220VAC）。
2023-03-29 10:08:081214 CC1200 低功率、高性能射頻 (RF) 收發(fā)器
2023-03-28 18:21:01
致力于提供高品質(zhì)芯片的國(guó)內(nèi)優(yōu)秀模擬及數(shù)?；旌闲酒O(shè)計(jì)商上海類(lèi)比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱(chēng)“類(lèi)比半導(dǎo)體”或“類(lèi)比”）宣布推出REF1xx/3xx/4xx系列低溫漂、高性能、微功耗、小封裝的電壓基準(zhǔn)
2023-03-28 14:42:021338 
高性能硅柵CMOS
2023-03-24 14:01:37
TDK | 推出兩款新型高性能超聲波 ToF 傳感器
2023-03-23 21:18:121066 
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