美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”,導(dǎo)通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(shí)(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:01
2494 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:28
1650 絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是具有高輸入阻抗和大雙極性電流能力的少數(shù)載流子功率器件。由于這些特性,IGBT非常適合電力電子中的許多應(yīng)用,尤其是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源(UPS)、可再生能源
2013-07-16 14:42:10
2094 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級(jí)低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關(guān)版)”,共21種機(jī)型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:46
7742 
與600V IGBT3一樣,新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場(chǎng)截止的概念(如圖1 所示),但與600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大約15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:00
7600 為滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專門優(yōu)化,可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用 (如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源)的要求。
2020-05-31 09:15:36
1509 IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 15:23:09
693 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:32
1787 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:00
1315 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn),具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗,特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:47
1728 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
1942 
3AC400V變頻異步電機(jī),連續(xù)工作的允許耐壓值是多少呢?
比如說(shuō),變頻器的直流母線電壓是650V的狀態(tài)下,3AC400V的電機(jī)能受得了嗎?
2024-01-09 07:20:21
40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小,操作方便,市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn),一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
電壓(600V、1200V、1700V)均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。考慮到過(guò)載,電網(wǎng)波動(dòng),開關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
2023-03-27 13:17:29
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A~40A的產(chǎn)品,具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外,ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
羅姆(ROHM)是半導(dǎo)體和電子零部件領(lǐng)域的著名生產(chǎn)商,其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
;TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù):應(yīng)用:高效開關(guān)模式電源,基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
SBD)* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復(fù)二極管(Si FRD)的IGBT相比,開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
作者:Fabio Necco和Roy Davis安森美半導(dǎo)體的650V汽車認(rèn)證裸片IGBT針對(duì)正在開發(fā)汽車牽引逆變器先進(jìn)方案的電源模塊制造商。IGBT產(chǎn)品系列PCGAXX0T65DF8包括160
2019-07-17 07:51:53
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件,可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可承受650V電壓,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件,可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可承受650V電壓,有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 ,原裝正品,優(yōu)勢(shì)價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
我用的是IKW75N65E25型號(hào)的IGBT,耐壓650V,在實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)時(shí),開關(guān)電壓上升時(shí)有十分明顯的震蕩,分析過(guò)電路沒有發(fā)現(xiàn)什么問題,用仿真軟件仿真過(guò)能得到結(jié)果,但是實(shí)物實(shí)驗(yàn)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)圖中的問題。求助!!!
2017-01-12 11:00:12
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
各位大佬,請(qǐng)教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測(cè)試?
2023-10-23 10:19:00
650V IGBT4,旨在提供更大的設(shè)計(jì)自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關(guān)斷軟度,并且由于關(guān)斷電流變化率di/dt的降低,帶來(lái)了更低的關(guān)斷電壓尖峰。該器件專門設(shè)計(jì)用于中高電流應(yīng)用。相對(duì)于
2018-12-07 10:16:11
高壓的二極管相串聯(lián),但是,串聯(lián)的二極管引起通態(tài)壓降的增大,增加了損耗。而RB-IGBT是一種新型的IGBT,具有反向耐壓能力,相對(duì)于傳統(tǒng)串聯(lián)二極管的模式,減少器件的同時(shí),還降低了通態(tài)壓降和損耗。兩種
2020-12-11 16:54:35
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過(guò)程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
系列(650V)*開發(fā)中下一篇將介紹剩下的兩種:Presto MOSTM 高速trr SJ-MOSFET和Hybrid MOS。關(guān)鍵要點(diǎn):?SJ-MOSFET的種類因特性而異。?SJ-MOSFET
2018-12-03 14:27:05
供應(yīng)SGTP40V65FDR1P7 絕緣柵雙極型晶體管耐壓650V、40A,提供SGTP40V65FDR1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:29:51
供應(yīng)igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關(guān)電源SGTP75V65SDS1P7 ,具有較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,SGTP75V65SDS1P7可應(yīng)用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:11:03
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:26
1672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列,以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:37
1290 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:17
1845 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì),尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18
862 2014年10月21日,北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:42
1975 2015年3月2日,德國(guó)慕尼黑——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:29
1443 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:45
4 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC
2016-11-02 17:19:43
1958 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它與
2018-06-04 08:31:00
2053 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:29
9042 視頻簡(jiǎn)介:這視頻介紹我們?nèi)碌腝0和Q2系列功率模塊,應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器,額定功率超過(guò)100kVA。Q0PACK模塊包括一個(gè)T-NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),具有65A / 1200V IGBT、60A
2019-03-14 06:12:00
4628 
意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場(chǎng)截止(TFS)技術(shù),可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機(jī)、不間斷電源(UPS)、太陽(yáng)能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計(jì)的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:53
3363 碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關(guān)型)系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:02
1767 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:57
1418 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果,讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì),性能一代更比一代強(qiáng)。因此,G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代,在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:52
3697 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
4267 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化,是電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:00
2601 
TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝,電流等級(jí)為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來(lái)更高的擊穿電壓(650V)、一流的性價(jià)比和效率,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:30
3189 650 V 場(chǎng)截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個(gè)全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時(shí)間,同時(shí)實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴(yán)格的能源之星標(biāo)準(zhǔn)。 這些趨勢(shì)對(duì)選擇合適的 IGBT 提出了新的要求,這些 IGBT 是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵
2021-06-01 14:56:25
1829 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無(wú)引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
1117 
前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:20
2349 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告,電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)勁,高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:55
614 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
538 
現(xiàn)在主流400V架構(gòu)中,電驅(qū)動(dòng)的功率管主要采用IGBT器件,但IGBT耐壓值通常不高于650V,基本不能用于800V架構(gòu)。即便采用超級(jí)結(jié)工藝的高耐壓IGBT,工作電壓也不超過(guò)900V,而且成本高不說(shuō),其體積也要比普通IGBT大很多,這無(wú)疑為車內(nèi)空間布置及散熱設(shè)計(jì)帶來(lái)困難。
2022-08-17 11:12:30
3877 Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列(E3M)650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21
917 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:36
0 畢竟選擇一款650V、40A的IGBT,還能替代仙童FGH40N60SFD型號(hào)參數(shù)的國(guó)產(chǎn)IGBT還是值得考慮的。
2023-01-14 10:38:39
1252 關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無(wú)需自舉二極管和限流電阻 當(dāng)保護(hù)電路被激活時(shí),警報(bào)輸出(...
2023-02-08 13:43:21
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600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21
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ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05
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RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:59
0 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:10
0 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:25
0 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23
464 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57
300 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34
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非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01
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潤(rùn)新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn): 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34
693 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26
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新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器,產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40
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RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:12
0 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:43
0 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:51
0 圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
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繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16
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供應(yīng)SVSP14N65FJHE2超結(jié)mos耐壓650V14A,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌喈a(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-05-18 15:27:31
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:06:57
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:12:25
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:30:15
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:33:49
0 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:47
3 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:19
5 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:57:50
7 供應(yīng)無(wú)錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結(jié)mos管,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌彰鳎m配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:07:35
0 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:17:06
1 650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認(rèn)輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:03
0 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì),在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35
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本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
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近日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19
564 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:58
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