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650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

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應(yīng)用手冊(cè) | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解

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2020-05-31 09:15:361509

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2023-12-01 15:23:09693

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2019-11-22 15:16:321787

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650V系列IGBT在家用焊機(jī)電源應(yīng)用

0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小,操作方便,市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn),一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
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IGBT模塊的選擇

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TO-247N封裝的650V集射極電壓IGBT RGSXXTS65DHR

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Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

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內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT的車載充電器案例中 開關(guān)損耗降低67%

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2022-07-27 10:27:04

單片式電流和溫度檢測(cè)電路

作者:Fabio Necco和Roy Davis安森美半導(dǎo)體的650V汽車認(rèn)證裸片IGBT針對(duì)正在開發(fā)汽車牽引逆變器先進(jìn)方案的電源模塊制造商。IGBT產(chǎn)品系列PCGAXX0T65DF8包括160
2019-07-17 07:51:53

可承受650V電壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器

。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件,可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可承受650V電壓,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48

承受650V電壓的實(shí)現(xiàn)低功耗的PWM型AC/DC變換器

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2020-06-05 09:15:07

新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管

本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯 新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 ,原裝正品,優(yōu)勢(shì)價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03

求助!!怎么解決零電壓關(guān)斷時(shí)開關(guān)管電壓的震蕩??急急急!!!

我用的是IKW75N65E25型號(hào)的IGBT耐壓650V,在實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)時(shí),開關(guān)電壓上升時(shí)有十分明顯的震蕩,分析過(guò)電路沒有發(fā)現(xiàn)什么問題,用仿真軟件仿真過(guò)能得到結(jié)果,但是實(shí)物實(shí)驗(yàn)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)圖中的問題。求助!!!
2017-01-12 11:00:12

求助,芯片耐壓650V做的buck電路夠不夠用?

650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42

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2019-05-08 09:04:021767

ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列

ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571418

英飛凌CoolSiC肖特基二極管650V G6的性能分析和應(yīng)用

CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果,讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì),性能一代更比一代強(qiáng)。因此,G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代,在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697

英飛凌推出650V SiC MOSFET,低壓SiC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈

英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列
2020-05-09 15:07:504267

IGBT電動(dòng)汽車空調(diào)有哪些關(guān)鍵技術(shù)

ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V和650V耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化,是電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:002601

IGBT單管TRENCHSTOP IGBT7產(chǎn)品概述

TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝,電流等級(jí)為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來(lái)更高的擊穿電壓(650V)、一流的性價(jià)比和效率,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:303189

650V場(chǎng)截止IGBT 現(xiàn)代廚房技術(shù)分析

650 V 場(chǎng)截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個(gè)全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時(shí)間,同時(shí)實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴(yán)格的能源之星標(biāo)準(zhǔn)。 這些趨勢(shì)對(duì)選擇合適的 IGBT 提出了新的要求,這些 IGBT 是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵
2021-06-01 14:56:251829

好消息 東芝650V超級(jí)結(jié)功率提高大電流設(shè)備效率的MOSFET問市

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無(wú)引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117

簡(jiǎn)述仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性

前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告,電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)勁,高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:55614

650V混合SiC單管的開關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

碳化硅功率管取代IGBT

現(xiàn)在主流400V架構(gòu)中,電驅(qū)動(dòng)的功率管主要采用IGBT器件,但IGBT耐壓值通常不高于650V,基本不能用于800V架構(gòu)。即便采用超級(jí)結(jié)工藝的高耐壓IGBT,工作電壓也不超過(guò)900V,而且成本高不說(shuō),其體積也要比普通IGBT大很多,這無(wú)疑為車內(nèi)空間布置及散熱設(shè)計(jì)帶來(lái)困難。
2022-08-17 11:12:303877

Wolfspeed擴(kuò)展AEC-Q101車規(guī)級(jí)SiC MOSFET推出650V E3M系列產(chǎn)品

Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列(E3M)650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917

650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性

650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360

UPS高頻逆變電路該選擇哪款IGBT呢?

畢竟選擇一款650V、40A的IGBT,還能替代仙童FGH40N60SFD型號(hào)參數(shù)的國(guó)產(chǎn)IGBT還是值得考慮的。
2023-01-14 10:38:391252

600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無(wú)需自舉二極管和限流電阻 當(dāng)保護(hù)電路被激活時(shí),警報(bào)輸出(...
2023-02-08 13:43:21561

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列:兼具業(yè)內(nèi)出優(yōu)異的降噪和低損耗特性

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869

實(shí)現(xiàn)工業(yè)設(shè)備的輔助電源應(yīng)用要求的高耐壓與低損耗

ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05515

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23464

Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管

Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300

ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT!

非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01322

未來(lái)智能城市的動(dòng)力引擎:潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)

潤(rùn)新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn): 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693

陸芯:?jiǎn)喂?b class="flag-6" style="color: red">IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS

上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705

新品 | 采用650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT3千瓦半橋感應(yīng)加熱評(píng)估板

新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器,產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40558

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510

為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16639

SVSP14N65FJHE2超結(jié)mos耐壓650V 14A

供應(yīng)SVSP14N65FJHE2超結(jié)mos耐壓650V14A,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌喈a(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-05-18 15:27:311

SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆變器igbt

供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:195

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓超結(jié)mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:57:507

SVS11N65FJD2超結(jié)mos 耐壓650V,11A規(guī)格書-士蘭微代理

供應(yīng)無(wú)錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結(jié)mos管,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌彰鳎m配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:07:350

SVSP11N65DD2 11A,650V士蘭微超結(jié)MOS-士蘭微mos管規(guī)格書

供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:17:061

650V高壓低功耗非隔離電源芯片eNJ8665

650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認(rèn)輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030

瑞能650V IGBT的結(jié)構(gòu)解析

IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì),在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276

介紹一款用于光伏儲(chǔ)能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188

揚(yáng)杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19564

具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580

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