摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
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原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。 泛林集團先進技術發展事業部公司副總裁潘陽博士 分享了他對這個話題的看法。 技術節點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝
2021-02-08 10:53:006590 
原子層沉積技術（Atomic layer deposition， ALD）近年在集成電路制程設備產業中受到相當大的矚目，對比于其他在線鍍膜系統，原子層沉積技術具有更優越的特點，如絕佳的鍍膜批覆性以及
2021-02-05 15:23:174743 
單晶圓系統也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:001235 進行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。
2022-10-11 09:12:591193 美國半導體設備制造商應用材料本周一表示，計劃以35億美元價格（較先前報價增加59％），從私募股權公司KKR手中收購規模較小的日本同行國際電氣（Kokusai Electric），理由是其前景良好且估值較高。收購國際電氣將使應用材料獲得其薄膜沉積技術。
2021-01-06 10:04:082446 ）已經越來越看好150mm晶圓的產品應用前景。其子公司Wolfspeed（位于美國三角研究園）作為SiC功率MOSFET器件制造商，更是“下注”2023年SiC器件的可用市場總額（TAM）將迅速增長到50
2019-05-12 23:04:07
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關等），其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
。但是任重道遠。目前晶圓制造，核心技術，依然牢牢的把握在外國晶圓廠家的手里。我國對外國晶圓的依賴性還非常之大。甚至普通消費者對外國電子產品的依賴性也相當大，認為外國的月亮比中國的圓。這也是全球晶圓緊缺，中國電子數碼市場首當其沖，強烈起伏的原因；也是外國在電子數碼領域對我們予取予求的原因
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準備、長晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過程簡要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓制造的基礎知識，適合入門。
2014-06-11 19:26:35
本人想了解下晶圓制造會用到哪些生產輔材或生產耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圓的制造過程是怎樣的？
2021-06-18 07:55:24
先進封裝發展背景晶圓級三維封裝技術發展
2020-12-28 07:15:50
薄膜的純度作者:愛特斯薄膜的純度與所蒸發純度依賴于一下三個方面：一是源材料的純度；二是加熱裝置、蒸發舟以及支撐材料的污染；三是真空系統中的殘余氣體。在沉淀過程中，蒸發物，包括原子和分子，連同殘余氣體
2016-12-08 11:08:43
CPU制造流程CPU制造全過程第1頁：由沙到晶圓，CPU誕生全過程 沙中含有25%的硅，是地殼中第二多元素，在經過
2009-09-22 08:16:03
到一塊玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在單晶硅片上制作集成電路芯片，其流程主要有蝕刻、氧化、擴散/離子植入、化學氣相沉積薄膜和金屬濺鍍。擁有上述功能的公司一般被稱為晶圓代工廠。5.[IC測試
2019-01-02 16:28:35
。 案例三： 產品工藝異常或調整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用，還能根據其
2017-06-29 14:16:04
。 案例三： 產品工藝異常或調整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用，還能根據其
2017-06-29 14:20:28
。 案例三： 產品工藝異常或調整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用，還能根據其
2017-06-29 14:24:02
、晶圓、光刻、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝上市等基本步驟。硅熔煉成硅錠：通過多步凈化得到可用于半導體制造質量的硅，學名電子級硅(EGS)，平均每一百萬
2017-05-04 21:25:46
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構建
2021-07-08 13:13:06
半導體器件需要高度完美的晶體。但是即使使用了最成熟的技術，完美的晶體還是得不到的。不完美，就稱為晶體缺陷，會產生不均勻的二氧化硅膜生長、差的外延膜沉積、晶圓里不均勻的摻雜層，以及其他問題而導致工藝
2018-07-04 16:46:41
，以便能在上面印制第一層。這一重要步驟通常被稱為 "沉積"。隨著芯片變得越來越小，在晶圓上印制圖案變得更加復雜。沉積、刻蝕和光刻技術的進步是讓芯片不斷變小，從而推動摩爾定律不斷延續
2022-04-08 15:12:41
，我們將采用穿硅通孔（TSV）用于晶圓級堆疊器件的互連。該技術基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔，通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機化學汽相淀積（MOCVD）淀積一層TiN薄膜作為籽晶層，隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
`晶圓測試是對晶片上的每個晶粒進行針測，在檢測頭裝上以金線制成細如毛發之探針（probe），與晶粒上的接點（pad）接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會被標上記號，而后當晶片依晶粒為單位切割成獨立
2011-12-01 13:54:00
平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。化學機械研磨機晶圓制造中，隨著制程技術
2018-09-03 09:31:49
的材料，依面積大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直徑）等規格之分。一根八寸硅晶棒重量約一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圓后，送至八寸晶圓廠內制造芯片電路（Die），這些芯片電路再經封裝測試
2020-02-17 12:20:00
該資料包含了晶圓制造、薄膜沉積、光刻、腐蝕等內容，圖文并茂，淺顯易懂，真是居家旅行的必備啊。
2014-05-17 14:09:40
Pressure CVD；LPCVD)為進行50片或更多晶圓之批次量產，爐管內之晶圓勢必要垂直密集地豎放于晶舟上，這明顯產生沉積薄膜之厚度均勻性問題；因為平板邊界層問題的假設已不合適，化學蒸汽在經過第一片晶
2012-09-28 14:01:04
「輸送現象」(transport phenomena) 的應用。常壓化學氣相沉積速度頗快，但成長薄膜的質地較為松散。另外，如果晶圓不采用水平擺放的方式 (太浪費空間)，薄膜之厚度均勻性
2012-09-16 20:22:12
「輸送現象」(transport phenomena) 的應用。常壓化學氣相沉積速度頗快，但成長薄膜的質地較為松散。另外，如果晶圓不采用水平擺放的方式 (太浪費空間)，薄膜之厚度均勻性
2012-10-07 23:23:19
(Low Pressure CVD；LPCVD) 為進行50片或更多晶圓之批次量產，爐管內之晶圓勢必要垂直密集地豎放于晶舟上，這明顯產生沉積薄膜之厚度均勻性問題；因為平板邊界層問題的假設已不
2011-09-23 14:41:42
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
前段生產工藝找出缺陷產生點，通過調整工藝解決產品缺陷。 案例三： 產品工藝異常或調整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統
2017-06-28 16:40:31
前段生產工藝找出缺陷產生點，通過調整工藝解決產品缺陷。 案例三： 產品工藝異常或調整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統
2017-06-28 16:50:34
點，通過調整工藝解決產品缺陷。 案例三： 產品工藝異常或調整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統搭載Pt氣體，其作用除了對樣品
2017-06-28 16:45:34
解決產品缺陷。 案例三： 產品工藝異常或調整后通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩定性。 3.氣相沉積（GIS） FIB GIS系統搭載Pt氣體，其作用除了對樣品表面起到保護作用
2017-06-29 14:08:35
薄膜太陽能電池也是現在發展的比較好一點的電池，下面給大家分享四種薄膜太陽能電池，大家可以對比一下看看哪一種最好。1.非晶硅。非晶硅薄膜是太陽能電池核心原材料之一，也稱微晶硅。按照材料的不同，當前硅
2016-01-29 15:46:43
作者：ADI公司 Dust Networks產品部產品市場經理 Ross Yu，遠程辦公設施經理 Enrique Aceves問題 對半導體晶圓制造至關重要的是細致、準確地沉積多層化學材料，以形成
2019-07-24 06:54:12
一層選擇性CVD鈷覆蓋膜，改善接觸界面，進而提高器件的可靠性可達到80倍。鈷薄膜沉積突破了導線互聯技術傳統瓶頸全新PVD沉積系統實現高成本效益的3D芯片垂直集成與Endura Volta CVD
2014-07-12 17:17:04
對半導體晶圓制造至關重要的是細致、準確地沉積多層化學材料，以形成數千、數百萬甚至在有些情況下是數 10 億個晶體管，構成各種各樣復雜的集成電路 (IC)。在制造這些 IC 的過程中，每一步都要精確
2020-05-20 07:40:09
`哪位了解LCVD激光氣相沉積設備，想買一臺用來做補線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點！`
2014-01-17 10:36:02
（Sputter） 解離金屬電漿（淘氣鬼）物理氣相沉積技術 解離金屬電漿是最近發展出來的物理氣相沉積技術，它是在目標區與晶圓之間，利用電漿，針對從目標區濺擊出來的金屬原子，在其到達晶圓之前，加以離子化
2011-09-23 14:43:07
隨著集成電路設計師將更復雜的功能嵌入更狹小的空間，異構集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術的一種更為實用且經濟的方式。作為異構集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達0.99999999999。晶圓制造廠再將此多晶硅
2011-12-02 14:30:44
請問一下8寸 原子層沉積設備ALD，單晶片。國內設備大約在什么價位啊？
2023-06-16 11:12:27
（1）錫膏印刷 對于THR工藝，網板印刷是將焊膏沉積于PCB的首選方法。網板厚度是關鍵的參數，因為PCB上的錫膏 層是網板開孔面積和厚度的函數。這將在本章的網板設計部分詳細討論。使用鋼質刮刀以
2018-11-22 11:01:02
用脈沖激光(Nd:YAG 激光)沉積技術在硅基上沉積富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2)，沉積時氧氣壓力分別為1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度約為300nm。隨后，在氬(Ar)氣中1000℃的溫度下對
2010-08-03 16:24:35
0 半導體制程之薄膜沉積
在半導體組件工業中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結晶軸方向，生長一層導電類型
2009-03-09 13:23:416889 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發展
2018-02-13 03:16:0025903 泛林集團宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 （ALD） 工藝，標志著其業界領先的 ALTUS? 產品系列又添新成員。通過業內首創的低氟鎢（LFW） ALD 工藝，ALTUS Max
2018-05-24 17:19:002398 在等離子增強化學氣相沉積法PECVD沉積 SiO2和 SiN掩蔽層過程中!分解等離子體中濃度較高的H原子使MG受主鈍化!同時在P-GaN材料表面發生反應形成淺施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 沉積是半導體制造工藝中的一個非常重要的技術，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當的位置下聚結，以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設中，晶圓廠80%的投資用于購買設備。其中，薄膜沉積設備是晶圓制造的核心步驟之一，占據著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:106019 
）及化學氣相沉積（CVD）工藝已經無法滿足極小尺寸下良好的臺階覆蓋要求，而控制納米級別厚度的高質量超薄膜層制備也成為技術難點。 原子層沉積（ALD）是一種可以將物質以單原子膜的形式，一層一層鍍在基底表面的先進沉積技術。一個
2021-04-17 09:43:2116607 
業界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD屬于CVD的一種，屬于當下最先進的薄膜沉積技術。
2021-09-03 11:12:421149 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
摘要 本文的目的是建立科技鎖的技術水平，必須打開科技鎖才能將直接大氣壓等離子體增強化學氣相沉積(AP-PECVD)視為工業應用的可行選擇。總結了理解和優化等離子體化學氣相沉積工藝的基本科學原理。回顧
2022-02-21 16:50:111900 
Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項新研發的創新技術，用于在晶圓級上從多種材料中創建三維微結構。該技術基于通過原子層沉積（ALD）工藝在空腔中將微米級粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:232011 評估各種清洗技術的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導體技術路線圖規定了從硅片上去除顆粒百分比的標準挑戰，該挑戰基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
薄膜沉積設備介紹
2022-06-22 15:22:1710 江蘇微導納米科技股份有限公司，是一家面向全球的高端設備制造商，專注于先進薄膜沉積裝備的開發、設計、生產和服務。微導的業務涵蓋半導體、新能源、柔性電子和納米技術等工業領域。公司以原子層沉積技術為核心
2022-09-26 18:06:131228 ALD是Atomic Layer Deposition（原子層沉積）的縮寫，是通過重復進行材料供應（前體）和排氣，利用與基板之間的表面反應，分步逐層沉積原子的成膜方式。
2022-10-11 10:04:001339 化學氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相狀態反應物在一定溫度和氣壓下發生化學反應，生成的固態物質沉積在襯底材料表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術。
2022-11-04 10:56:067439 由于 ALD 技術逐層生長薄膜的特點，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性和一致性，同時可以較好她控制其制備薄膜的厚度、成分和結構，因此被廣泛地應用在微電子領域。
2022-11-07 10:43:165138 快速、高均勻性和卓越的涂層質量——這些特性是物理氣相沉積、原子層沉積（ALD）等工藝的追求。據麥姆斯咨詢報道，近期，總部位于芬蘭的ALD系統和工藝開發商Beneq和Laser Zentrum
2022-12-22 16:30:242866 現有的原子層沉積技術氮摻雜過程需要在氮氣等離子體的高溫條件下進行，但是高溫環境下的薄膜生長會引起電池正極和負極材料的相變和分解。雖然有研究指出低溫條件下在氨氣環境中可以實現氮摻雜的原子層沉積，但是同時會顯著增加氨氣尾氣處理的設備成本和維護難度以及安全風險。
2023-01-16 14:09:13644 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術參數直接影響芯片性能。
半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優異的均勻性和三E維保形性,在半導體先進制程應用領域彰顯優勢。
2023-02-16 14:36:54555 濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下，使氬氣進行輝光放電，這時氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)，氬離子在電場力的作用下加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。
2023-02-24 09:51:092595 近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）推出自主研發的12英寸低壓化學氣相沉積（LPCVD）設備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設備多年、在半導體薄膜沉積領域取得的新突破，也是實現公司業務多元化增長的新動能。
2023-05-17 17:08:41831 。 PVD 沉積工藝在半導體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:511751 在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。
2023-06-08 11:00:122192 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術，可與濺射或熱蒸發工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質量薄膜。
2023-06-08 11:10:22986 
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。
2023-06-15 16:19:212038 
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺形態的納米級薄膜沉積設備制造企業。目前擁有ald原子層沉積系統、pvd物理氣體沉積系統、cvd化學氣體沉積系統、uhv超高真空涂層設備等12種產品。
2023-06-28 10:41:03540 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學、電學等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487776 
該研究首次應用紫外光輔助原子層沉積（UV-ALD）技術于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉積Al2O3薄膜在石墨烯場效應晶體管（GFETs）中的應用。在ALD過程中進行5秒最佳紫外照射，導致在石墨烯表面上沉積出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:37282 
上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應用.
2023-05-25 10:18:34501 
由于異質結電池不同于傳統的熱擴散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對其發射極以及BSF的注入后，下一個步驟就是在異質結電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補異質結電池在注入發射極后的低導電性
2023-09-21 08:36:22407 
PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝，對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491775 在鈣鈦礦太陽能電池的生產工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽能電池光電轉換率的關鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術可較為便捷的制備高純度、高質量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項核心技術
2023-10-10 10:15:53649 面對真空鍍膜多元的應用市場，鍍膜技術的發展也從傳統的蒸發、電子束熱蒸發技術，相繼發展出PECVD、ALD原子層沉積技術、磁控濺射技術等等，技術地位日益凸顯。本報告嘉賓來自國內半導體設備龍頭企業無錫
2023-10-18 11:33:442992 
牛津儀器（Oxford Instruments）推出PlasmaPro ASP系統，這是其Atomfab?產品系列中的一款高速原子層沉積（ALD）研究系統。PlasmaPro ASP受益于新的專利
2023-10-23 16:20:07487 
半導體設備系列研究-薄膜沉積設備
2023-01-13 09:06:526 黎微明博士指出，傳統的PVD和CVD在鍍膜方面具有局限性。ALD技術特點在于可在復雜形貌上，完成原子層精度控制能力的高質量薄膜沉積工藝。具體來看，ALD技術具有三維共形性，可廣泛適用于不同形狀的基底。
2023-11-02 17:27:05435 眾所周知，材料的宏觀性質，例如硬度、熱和電傳輸以及光學描述符與其微觀結構特征相關聯。通過改變加工參數，可以改變微結構，從而能夠控制這些性質。在薄膜沉積的情況下，微結構特征，例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59214 
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩定均勻的有效功函數，兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因為需要重新填充原來多晶硅柵極的地方，因此對薄膜的臺階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據太陽能電池的具體問題進行針對性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 優化硅的形態與沉積方式是半導體和MEMS工藝的關鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術。
2024-01-22 09:32:15433 
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