SK海力士加大高帶寬內(nèi)存生產(chǎn)投入
SK海力士近日宣布，將進一步擴大高帶寬內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)施的投資，以滿足高性能AI產(chǎn)品市場的不斷增長需求。
作為全球知名的半導體制造商，SK海力士此次計劃對通過硅通孔（TSV）技術(shù)的相關(guān)設(shè)施投資增加一倍以上。這一戰(zhàn)略舉措旨在提升HBM的產(chǎn)能，使其翻倍增長。在此基礎(chǔ)上，公司還計劃在2024年上半年開始生產(chǎn)其第五代HBM產(chǎn)品，即HBM3E。
值得一提的是，自2023年年初以來，SK海力士的股價因其在AI領(lǐng)域的實力而上漲近50%，顯示出市場對其未來發(fā)展的樂觀預(yù)期。
HBM是一種高性能的內(nèi)存解決方案，廣泛應(yīng)用于高性能計算、數(shù)據(jù)中心和AI領(lǐng)域。隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，對HBM的需求也在持續(xù)增長。通過擴大生產(chǎn)設(shè)施投資，SK海力士不僅滿足了市場需求，也進一步鞏固了其在全球半導體行業(yè)的領(lǐng)先地位。
此次投資計劃的實施，將有助于提升SK海力士在AI市場的競爭力。在未來，SK海力士將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，以提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的半導體解決方案，為全球用戶帶來更出色的技術(shù)體驗。
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