三星2025年后將首家進入3D DRAM內存時代
據Semiconductor Engineering報道，三星公司日前宣布，其計劃于2025年后引領3D DRAM內存新時代。DRAM內存領域預計將在未來十余年內將線寬縮小到10nm級別。為應對此挑戰，業內正積極研究如3D DRAM等新型內存解決方案。
在Memcon 2024上，三星披露了兩款全新的3D DRAM內存技術——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用，實現性能提升；堆棧DRAM則通過空間立體利用，有效提高了儲存容量至100G以上。
根據預測，3D DRAM市場規模有望在2028年達到1000億美元，這無疑吸引了業內各大廠商的激烈爭奪。為此，三星早前就在美國加州設立了一家新的3D DRAM研發實驗室，以期在這場競爭中占據領先地位。
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