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UCC27211A-Q1 具有 8V UVLO 和負電壓處理能力的汽車類 4A、120V 半橋柵極驅動器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-19 15:43 ? 次閱讀
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UCC27211A-Q1 器件驅動器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅動器;但是,該設備提供了幾項重要的性能改進。

峰值輸出上拉和下拉電流已增加到 3.7A 拉電流和 4.5A 灌電流,因此允許在通過 MOSFET 的米勒平臺轉換期間以最小的開關損耗驅動大功率 MOSFET。輸入結構可以直接處理 –10VDC,這提高了穩健性,還允許直接連接到柵極驅動變壓器,而無需使用整流二極管。輸入也獨立于電源電壓,最大額定電壓為 20V。
*附件:ucc27211a-q1.pdf

UCC27211A-Q1(HS 引腳)的開關節點可以處理最大 –(24 - VDD) V,從而可以保護高側通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負電壓的影響。UCC27211A-Q1(TTL 輸入)具有更高的滯后性,允許連接到具有增強抗噪能力的模擬或數字 PWM 控制器

低側和高側柵極驅動器由獨立控制,并在導通和關斷之間匹配 4ns。片內 120V 額定電壓的自舉二極管消除了外部分立二極管。高側和低側驅動器均提供欠壓鎖定,提供對稱的導通和關斷行為,并在驅動電壓低于指定閾值時強制輸出為低電平。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用:器件溫度等級 1
  • –40°C 至 +150°C 結溫范圍
  • 通過獨立輸入在高側和低側配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
  • 最大啟動電壓 120V DC
  • 3.7A 拉電流、4.5A 灌電流輸出電流
  • 輸入引腳可以承受 –10V 至 +20V,并且與電源電壓范圍無關
  • TTL 兼容輸入
  • 8V 至 17V VDD 工作范圍,(最大 20V ABS)
  • 7.2ns 上升時間,5.5ns 下降時間,1000pF 負載
  • 快速傳播延遲時間(典型值為 20ns)
  • 4ns 延遲匹配
  • 用于高側和低側驅動器的對稱欠壓鎖定
  • 采用行業標準的 SO-PowerPAD SOIC-8 封裝

參數
image.png

方框圖
image.png

概述

UCC1A-Q1是一款專為汽車應用設計的0V、.A/4.5A半橋驅動器,具有AEC-Q0認證,適用于-0°C至+°C的結溫范圍。該驅動器能夠驅動兩個N溝道MOSFET,具有高側和低側獨立輸入、V至V的VDD操作范圍以及快速傳播延遲等特點。

主要特性

  • ?AEC-Q認證?:專為汽車應用設計,滿足嚴格的可靠性和環境要求。
  • ?寬結溫范圍?:-°C至+0°C,適用于各種汽車工作環境。
  • ?高側和低側獨立輸入?:提供更大的輸入控制靈活性。
  • ?高電壓支持?:最大自舉電壓可達0V DC,適合高壓應用。
  • ?高電流能力?:.A源電流和4.5A灌電流,適合驅動大功率MOSFET。
  • ?快速傳播延遲?:典型值為0ns,確保快速響應。
  • ?低電平輸入兼容?:輸入引腳可耐受-0V至+V,獨立于電源電壓范圍。
  • ?TTL兼容輸入?:具有增加的滯回特性,增強噪聲免疫能力。

功能描述

輸入階段

  • 輸入阻抗為kΩ,輸入電容約為4pF。
  • TTL兼容邏輯電平,高電平閾值為2.3V,低電平閾值為1.6V。

欠壓鎖定(UVLO)

  • VDD和HB引腳均具有UVLO保護功能,確保在電壓不足時關斷輸出。
  • VDD的UVLO閾值為7V,具有0.5V的滯回。
  • HB的UVLO閾值為6.7V,具有1.1V的滯回。

電平移位

  • 電平移位電路將高側輸入信號轉換為相對于HS引腳的HO輸出信號,確保良好的延遲匹配。

自舉二極管

  • 內置0V額定自舉二極管,無需外部離散二極管。

輸出階段

  • 高側和低側輸出階段均具有高速、低電阻和高峰值電流能力。
  • 峰值源電流為3.7A,峰值灌電流為.A。

應用領域

  • 汽車DC/DC轉換器和車載充電器(OBC)。
  • 兩輪和三輪電動車牽引驅動和電池組。
  • 電動助力轉向(EPS)。
  • 無線充電
  • 智能玻璃模塊。

設計指南

電源去耦

  • 在VDD和HB引腳附近放置旁路電容,以減小電源噪聲和干擾。

輸入信號處理

  • 確保輸入信號源具有低阻抗,以避免噪聲影響。
  • 在必要時,在輸入引腳和地之間添加旁路電容以濾除噪聲。

PCB布局

  • 將驅動器盡可能靠近MOSFET放置,以減小環路面積和寄生電感。
  • 注意GND和HS節點的布線,避免在高電流路徑中產生噪聲。
  • 使用寬跡線(至mils)連接LO和HO引腳及其相關GND或HS引腳。

熱考慮

  • 選擇具有適當熱性能的封裝,并確保良好的散熱設計。
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