UCC27211 驅(qū)動器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動器，但提供了幾項顯著的性能改進。峰值輸出上拉和下拉電流已增加到 3.7A 拉電流和 4.5A 灌電流，從而允許在通過 MOSFET 的米勒平臺轉(zhuǎn)換期間以最小的開關(guān)損耗驅(qū)動大功率 MOSFET。輸入結(jié)構(gòu)現(xiàn)在能夠直接處理 –10VDC，這提高了穩(wěn)健性，并且還允許直接連接到柵極驅(qū)動變壓器，而無需使用整流二極管。輸入也獨立于電源電壓，最大額定值為 20V。
*附件：ucc27211.pdf

開關(guān)節(jié)點（HS 引腳）可以處理最大 –（24 – VDD） V，從而可以保護高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負電壓的影響。UCC27211（TTL 輸入）具有更高的輸入遲滯，允許與模擬或數(shù)字 PWM 控制器接口，具有增強的抗噪能力。

低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器可獨立控制，并在彼此的導通和關(guān)斷之間匹配 4 ns。片內(nèi) 120V 額定電壓的自舉二極管消除了外部分立二極管。

為高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器提供欠壓鎖定功能，提供對稱的導通和關(guān)斷行為，并在驅(qū)動電壓低于指定閾值時強制輸出為低電平。

特性

• 通過獨立輸入在高側(cè)和低側(cè)配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
• 最大啟動電壓 120V DC
• 3.7A 拉電流、4.5A 灌電流輸出電流
• 輸入引腳可承受 –10V 至 20V 電壓，并且與電源電壓范圍無關(guān)
• TTL 兼容輸入版本
• 8V 至 17V VDD 工作范圍，（絕對最大值 20V）
• 7.2ns 上升時間，5.5ns 下降時間，1000pF 負載
• 快速傳播延遲時間（典型值為 20ns）
• 4ns 延遲匹配
• 用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器的對稱欠壓鎖定
• 提供所有行業(yè)標準封裝（SOIC-8、PowerPAD? SOIC-8、4mm × 4mm SON-8 和 4mm × 4mm SON-10）
• 額定溫度范圍為 –40°C 至 150°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號?：UCC
• ?類型?：V、3.7A/.A半橋驅(qū)動器
• ?特點?：
  • 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET，具有獨立輸入
  • 最大自舉電壓0V DC
  • 高側(cè)3.7A源電流，低側(cè).A沉電流
  • 輸入引腳可承受-0V至0V電壓，與電源電壓范圍無關(guān)
  • TTL兼容輸入版本
  • V至V VDD工作范圍（絕對最大值為V）
  • .ns上升時間和.ns下降時間（pF負載）
  • 快速傳播延遲時間（典型值為0ns）
  • ns通道間延遲匹配
  • 對稱欠壓鎖定（UVLO）功能

二、應用領域

• 太陽能電源優(yōu)化器和微型逆變器
• 電信和商用電源
• 在線和離線不間斷電源（UPS）
• 儲能系統(tǒng)
• 電池測試設備

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正電源，為低側(cè)柵極驅(qū)動器供電
• ?HB?：高側(cè)自舉供電，連接自舉電容正極
• ?HO?：高側(cè)輸出，連接高側(cè)功率MOSFET柵極
• ?HS?：高側(cè)源極連接，連接高側(cè)功率MOSFET源極和自舉電容負極
• ?VSS?：負電源，通常接地
• ?LO?：低側(cè)輸出，連接低側(cè)功率MOSFET柵極
• ?LI?、?HI?：低側(cè)和高側(cè)輸入，分別控制低側(cè)和高側(cè)輸出
• ?NC?：未連接引腳

四、電氣特性

• ? 供電電壓（VDD） ?：V至V（絕對最大值為0V）
• ?輸入電壓范圍?：HI和LI引腳-V至V
• ?輸出電流?：高側(cè)峰值.A源電流，低側(cè)峰值.A沉電流
• ?傳播延遲?：典型值為ns
• ?上升/下降時間?：高側(cè)和低側(cè)分別為.ns和5.5ns（0pF負載）
• ?UVLO閾值?：VDD欠壓鎖定閾值為7.0V（帶0.5V遲滯），VHB欠壓鎖定閾值為.V（帶.V遲滯）

五、保護功能

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：當VDD或VHB電壓低于閾值時，禁用高側(cè)或低側(cè)輸出，保護電路免受低電壓影響
• ?輸入保護?：內(nèi)部具有ESD保護電路，可承受高達±V（HBM）和±0V（CDM）的靜電放電

六、典型應用

• 提供了在多種電源轉(zhuǎn)換拓撲中的典型應用電路，包括半橋、全橋和同步降壓配置
• 描述了設計要求和詳細設計過程，包括輸入閾值選擇、VDD和自舉電容設計、傳播延遲和功率耗散考慮等

七、布局指南

• 推薦將驅(qū)動器盡可能靠近MOSFET放置，以最小化寄生電感
• 在VDD和VSS之間以及HB和HS之間放置旁路電容，以改善電源去耦
• 提供了布局示例和熱設計考慮，以確保最佳熱性能和效率

八、文檔與支持

• 提供了相關(guān)技術(shù)文檔、設計資源和社區(qū)支持的鏈接
• 提供了靜電放電警示和術(shù)語表

九、封裝與可訂購信息

• 提供SOIC-、PowerPAD SOIC-8、4mm × 4mm SON-8和4mm × 4mm SON-等多種封裝選項
• 提供了詳細的封裝尺寸、材料、引腳分配和可訂購代碼信息